【課題】 導電性膜の内部応力の影響を受けて基板が変形することを抑制することが可能な複合基板を提供する。
【解決手段】 基板１に導電性膜３が設けられる場合に、内部応力Ｆ１として引張応力ＦＴを有する主導電性膜３１および内部応力Ｆ２として圧縮応力ＦＣを有する副導電性膜３２を含む積層構造を有するように導電性膜３を構成する。副導電性膜３２の圧縮応力ＦＣを利用して主導電性膜３１の引張応力ＦＴが相殺されるため、副導電性膜３２を含まずに主導電性膜３１のみを含むように導電性膜３を構成する場合とは異なり、導電性膜３の内部応力Ｆの影響を受けて基板１が変形しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】 電極が低電気抵抗で耐熱性があり、電極が貫通孔から離脱し難い貫通電極付基板を得る。
【解決手段】 Ｃｕ粉とＳｎ粉の混合材を熱処理することで、Ｃｕ−Ｃｕ_３Ｓｎ−Ｃｕ_６Ｓｎ_５の３層構造を形成。Ｃｕ_３Ｓｎ領域を多くすることで電気抵抗を下げ、３層構造とすることで耐熱性を有する電極材６とする。貫通孔３の内壁に予め金属膜をスパッタ等で形成し、金属膜と電極材６とが一部合金化することで、電極６が貫通孔３に強固に保持された貫通電極付基板５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】半田ペーストを溶融して得られる半田にヒケが発生することを防止する。
【解決手段】本発明の回路装置である混成集積回路装置１０は、パッドを含む導電パターン１８が基板１６の表面に形成されている。パッド１８Ａは、上面にヒートシンク１４Ｄが載置されることから比較的大型に形成される。パッド１８Ｂは、チップ部品１４Ｂおよび小信号のトランジスタ１４Ｃが固着される小型のパッドである。本発明では、パッド１８Ａの表面には、ニッケルから成るメッキ膜２０が形成されている。従って、パッド１８Ａと半田１９とが接触しないので、半田付け性の悪いＣｕ／Ｓｎ合金層が生成されず、半田付け性に優れるＮｉ／Ｓｎ合金層が生成される。このことから、溶融された半田１９にヒケが発生することが抑止されている。 （もっと読む）

【課題】アンテナとして十分に機能する導電膜を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にトランジスタを含む素子形成層と、素子形成層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられたアンテナとして機能する導電膜とを有し、トランジスタと導電膜は電気的に接続され、絶縁膜は溝を有し、絶縁膜の表面および溝に沿って導電膜を設ける。なお、絶縁膜が有する溝は、絶縁膜を貫通させて設けてもよいし、絶縁膜を貫通させずに絶縁膜に凹部を形成して設けてもよい。溝の構造はどのように設けてもよく、例えばテーパー状等に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの形成が容易で、廃液処理の必要がなく、生産工程が単純で設備費や生産コストが少なくて済む遮光パターンの形成された透光体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基体上に、インクジェット装置を用いて、平均粒子径が１００ｎｍ以下の金属微粒子を保護コロイドとしての重合体又は界面活性剤を含有する水または有機溶剤中に分散させた金属微粒子インクにより、所定のパターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の遮光パターンとする。
ファインパターンの形成が容易で、廃液処理の必要がなく、生産工程が単純で設備費や生産コストが少なくて済む。 （もっと読む）

【課題】 熱に弱い基板や下層に熱ダメージを与えることなく、感光性樹脂が十分に分解・除去される導電性組成物、パターン形成方法及び該パターン形成方法によって製造される電気光学装置を提供する。
【解決手段】 ガラスで構成された基板２上に形成された低耐熱性であるアクリル樹脂で構成されたバンク上に、銀２０Ａ、感光性樹脂２０Ｂ、鉄２０Ｃ、及び溶剤２０Ｄからなる感光性導電ペースト２０を印刷した。そして、インダクションヒータを使用して高周波電磁波を印加して同感光性導電ペースト２０を加熱することで、バンク上に補助配線層を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 電極構造を多層化することにより腐食等による信頼性の低下を抑えるとともに、各層間の接続抵抗（コンタクト抵抗）を抑える。
【解決手段】 接続端子部Ｔは、２層以上の導体層（第１導体層２及び第２導体層３）が積層された構造を有し、積層された積層構造部分の面積が拡大されている。例えば、積層構造部分の面積を、接続端子部Ｔ上に接続されるバンプＢの接触面積の２倍以上とする。接続端子部Ｔが所定のピッチｐで配列される場合、積層構造部分の面積を、ピッチｐを１辺とする正方形の面積よりも大とする。あるいは、積層構造部分を長方形とする。 （もっと読む）

【課題】 折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができるフレキシブルデバイスを提供する。【解決手段】 フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板１が金属又は炭素を含む第一の導電層３と、導電性有機材料からなる第二の導電層４を含む配線層９を有するフレキシブルデバイス。外力等を加えてフレキシブルデバイスを湾曲することで、前記第一の導電層３が断線部１１で破断する場合でも、第二の導電層４は破断しないので導通できる。 （もっと読む）

【課題】焼成の際に二次元の収縮が低い多層セラミック支持プリント回路基板。
【解決手段】キャパシタ、抵抗器およびRFフィルタなどの受動素子が、グリーンテープ上に適したインクをスクリーン印刷することによって形成され、構成要素インク層の上下の導電層（14および15）で完成され得る。次いで、得られるグリーンテープ積層体は焼成され、埋込みキャパシタが形成される。グリーンテープ積層体を金属支持基板上に貼り合わせることによって、ｘおよびｙ次元への収縮が制限され、構成要素が精密許容範囲を維持し得る。多数のグリーンテープ層が積層されるとき、適量の酸化充填剤、例えば、グリーンテープ組成の約15重量％未満の酸化充填剤を有するグリーンテープが、より多い量、例えば、25重量％を超える酸化充填剤を有するグリーンテープと交互に重ねられると、改善された収縮が得られる。 （もっと読む）

【課題】 各基材における鏡面状の被処理面に銅めっきを良好に密着させることができ、これにより、ファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、高周波特性が良好な回路を形成する。
【解決手段】 塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて、ガラス成分を含有したセラミック基材に第１触媒層を形成する第１触媒工程と、セラミック基材を酸素を含む分域内において加熱する銅めっき前熱処理工程と、塩化錫溶液および塩化パラジウム溶液を用いて、セラミック基材に積層触媒層を形成する積層触媒処理工程と、セラミック基材に微量のニッケルイオンを含む銅めっき液を用いて銅めっき膜を形成するめっき処理工程と、セラミック基材をガラス転移温度以下の熱処理温度によって加熱する銅めっき後熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

導電性組成物は、導電性金属、第一の樹脂成分、及びイソシアネート成分であり、該第一の樹脂成分と反応性の第二の樹脂成分を含む。金属酸化物及び潤滑剤が、この金属の表面上に不純物として存在する。該第二の樹脂成分は、第一の温度にてブロッキングされており、また該第一の温度よりも高い第二の温度にてアンブロッキングされて、第一及び第二の融剤を生成する。この第一の融剤は、該潤滑剤と反応して、該金属表面から、該金属酸化物及び該潤滑剤を、少なくとも部分的に除去する。該金属表面からの該金属酸化物及び該潤滑剤除去又は浄化は、該組成物の導電率を高める。また、方法を提供し、この方法では、基板上に該組成物のトレースを堆積し、また該組成物を該第二の温度に加熱して、該第二の樹脂成分を、アンブロッキングさせる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの特性を効果的に活用できるデカップリング性能に優れたデカップリング素子およびその製造方法、並びに、当該優れたデカップリング性能を備えたデカップリング素子を内蔵するプリント基板回路を提供すること。
【解決手段】 基体１と、該基体１表面に支持され、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体からなる高周波ノイズ吸収体２と、該高周波ノイズ吸収体にそれぞれ接続された入力電極３および出力電極３と、を備えることを特徴とするデカップリング素子、およびその製造方法、並びに、これを高周波ノイズ吸収体として予め搭載したプリント基板製品である。 （もっと読む）

導電構造（１００）のある実施態様は、第１の導電層（１１０）および第２の導電層（１２０）を有する。第２の導電層は、第１の導電層のほぼ全長にわたり、第１の導電層に接触している。第２の導電層は第１の導電層の上方にある。非導電層（１３０）は、第１の導電層および第２の導電層に接触している。電流は第１の導電層および第２の導電層を通じて伝搬する。
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【課題】 粗化された導電性基材の表面に均一な厚さ分布で抵抗層が形成された抵抗層付き導電性基材及びそれを用いた抵抗回路基板材料を提供すること。
【解決手段】 本発明は、粒状晶を持つ電解銅箔の少なくとも片面にＲｚで２．５μｍ以下となる租化処理が施されており、その上に少なくともＰを８〜１８ｗｔ％含有するＮｉ合金層が形成されている薄膜抵抗層を有する抵抗層付き導電性基材及び該抵抗層付き導電性基材を用いた抵抗回路基板材料である。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブの導電性のパターン化されたコーティングを形成するための組成および方法を対象とする。パターンは、電気導電材料からなる自己パターン化ナノ構造体を利用することにより作製された電気導電性コーティング／フィルムである。結果として生じる層は、透明電極が必要な用途において電気を導くのに適している。主な用途としては、ＬＣディスプレイ、タッチ・スクリーン、ＥＭＩ保護ウィンドウおよび建築のウィンドウが上げられるが、限定されない。フィルムは、高度に透明であってもよい。一実施形態では、カーボンナノチューブは、絶縁基板に塗布されて、ネットワーク状に制御された気孔を有するナノチューブの電気導電性ネットワークを形成する。連続的なナノチューブ相は、全面またはパターン化された領域にわたって電気伝導度を提供するとともに、ナノチューブのネットワーク間の開口領域は、可視スペクトルの光透過性を増加させる。印刷またはスプレーによって、ナノチューブのこの自己組織化ネットワークの適用の制御によって、パターン化された領域は、装置において電極として機能するために形成することができる。これらの電極を形成する印刷技術を使用して、今日、ＩＴＯコーティングの形成に一般的に使用される真空蒸着やフォトリソグラフィなどのより高価なプロセスを必要としない。

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システムは、環境的バリアを備える。環境的バリアは、回路を提供するのに好適に使用可能である。例えば、装置が薄いフィルム状のバッテリ（例えば、リチウムやリチウム化合物を備えるバッテリ）を備え、このバッテリが電気回路に接続する形態を挙げることができる。環境的バリアは、交代層として積層される。交代層を構成する層のうち少なくとも１つは、平滑化、平坦化及び／又は水平化を、物理的構造機能をもたらす層に与える。交代層を構成する層のうち少なくとも他の１つの層を構成し、この層は拡散バリア機能を発揮する。物理的構造機能を与える層は、フォトレジスト、光学的に境界を定めることが可能な層、エネルギ的に境界を定めることが可能な層及び／又はマスク可能な層を備える。物理的構造層は誘電体からなるものであってもよい。層状の構造は、複数の層の対を備え、各層の対は物理的構造層及びバリア層を備える。バリア層は低い気体透過速度性能を備える。このことにより、現状において検知可能な水準以下にまでガスの透過速度を低減可能となる。 （もっと読む）

銀系材料を導電層に用い、それを導電保護層により被覆して保護した配線付き基体形成用積層体であって、導電保護層とそれに積層される陰極との間の接触抵抗が極めて低い配線付き基体形成用積層体の提供。 基体と、前記基体上に形成された銀または銀合金を含む導体層と、前記導体層上に該導体層を被覆するように形成された、インジウム亜鉛酸化物を含む導電保護層とを有する、配線付き基体形成用積層体であって、前記導電保護層が、スパッタガス中の酸化性ガスの含有量が１．５体積％以下の雰囲気でのスパッタリングにより形成された導電保護層である、配線付き基体形成用積層体。 （もっと読む）

本発明は、極めて微細なパターン形状を有し、断面形状における厚さ／最小幅の比率が高い導電体層の形成に利用可能であり、微細なパターン形状を高い精度で描画する際、インクジェット法の適用を可能とする高い流動性を有し、導電性媒体として金属ナノ粒子のみを利用する分散液を提供する。本発明に従うと、微細な液滴の形状で噴射し、積層塗布可能な金属ナノ粒子分散液として、 平均粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を、沸点８０℃以上の分散溶媒中に分散させ、分散溶媒の容積比率は、５５〜８０体積％の範囲に選択し、分散液の液粘度（２０℃）は、２ｍＰａ・ｓ〜３０ｍＰａ・ｓの範囲に選択した上で、インクジェット法などで微細な液滴として噴射すると、飛翔の間に、液滴中に含まれる分散溶媒の蒸散に伴い濃縮を受け、粘稠な分散液として、積層塗布が可能なものとなる。 （もっと読む）

【課題】セラミック系の配線基板において、配線回路層の微細配線化、低抵抗化を達成でき、かつ配線回路層の絶縁基板への接着強度が高い配線基板とそれを歩留り良く作製することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック系絶縁基板２の少なくとも表面に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＰｄから選ばれる少なくとも１種からなる金属含有量が９９重量％以上の金属箔などからなる高純度金属導体からなる配線回路層３を絶縁基板２表面と同一平面となるように埋設してなるとともに、配線回路層３の配線方向に直交する断面が逆台形形状からなり、その逆台形形状における下底６と横辺７とがなす形成角αを４５〜８０°とし、特に、表面配線回路層３ａの絶縁基板２への埋設側の平均表面粗さを２００ｎｍ以上、絶縁基板２の４０〜４００℃における平均熱膨張係数を６ｐｐｍ／℃以上とする。 （もっと読む）