【課題】マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、酸素含有銅膜２と無酸素銅膜３とを順に成膜するとともに、この無酸素銅膜の上に銅メッキ層４を形成してなるフレキシブル基材とした。酸素含有銅膜２は、酸素を５〜２０ａｔ％、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種又は２種以上を合計で０．２〜８ａｔ％それぞれ含有するとともに、残部を銅および不可避不純物からなる膜厚５ｎｍ以上のものとした。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する多層セラミック基板上に受動素子が形成された電子部品において、小型化を可能とすること。
【解決手段】本発明は、貫通電極１２を有し、上面に受動素子が設けられた多層セラミック基板２０と、多層セラミック基板２０上に設けられ、貫通電極１２上に開口部を有する絶縁膜２６と、絶縁膜２６上に設けられ、開口部を覆うように設けられ、貫通電極１２と電気的に接続された第１接続端子９２と、開口部以外の絶縁膜２６上に設けられた第２接続端子９０と、を具備する電子部品である。 （もっと読む）

【課題】下地金属層と該下地金属層上に積層された銅被膜層とからなる金属層とフィルムとの初期密着力、耐熱密着力等の密着力が高く、必要に応じてフィルム厚さも含めた基板全体の厚さを薄くすることができる金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート系フィルムの少なくとも片側の表面上に、金属層を有する金属被覆ポリエチレンナフタレート基板であって、下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。
（１）前記ポリエチレンナフタレート系フィルムの下地金属層が接する表面は、その中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜４ｎｍである。
（２）前記下地金属層は、乾式めっき法により形成されたクロム、バナジウム、チタン及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するニッケル合金を主成分として含み、かつその膜厚が３〜５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 クラッド工程以前での再結晶温度の低下に起因した軟化を引き起こすことなく屈曲特性のさらなる向上を可能としたプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 このプリント配線板用銅箔は、絶縁性基板４上に張り合わされてプリント配線板用銅張基板を形成するために用いられるプリント配線板用銅箔であって、銅箔からなる基材層１と、基材層１の表面上に形成された、銅とは異なる金属からなる異種金属薄膜層２と、異種金属薄膜層２の表面上に形成された、銅薄膜層３とを少なくとも備えている。 （もっと読む）

【課題】厳しい屈曲条件下においてもクラックの進展を抑制し、高い屈曲性を得ることができるフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を提供する。
【解決手段】フレキシブルプリント配線板用の銅箔であって、300℃で30分の熱処理後に、導電率が80％IACS以上であり、圧延平行方向の断面に結晶粒界が存在し、箔の厚みをt（μm）としたとき、一方の表面から他方の表面に最短距離で結んだ直線と45度以上の角度で交差する結晶粒界の数Nが、N/t≧1を満足し、最終焼鈍後の平均結晶粒径をD、最終焼鈍後の厚みをt0としたとき、0.13×D＋0.75≦ln(t0/t)≦0.085×D＋2.95を満足する加工度で前記最終焼鈍後に最終圧延して製造されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、導電性、及び屈曲性に優れつつ高強度である銅箔及びそれを用いたフレキシブルプリント基板を提供する。
【解決手段】300℃で30分の熱処理後に、4.5×10^-3≧（引張強度/ヤング率）≧3×10^-3を満たし、かつ引張強度が250MPa以上で導電率が80%IACS以上である銅箔であって、Ti、Zr及びMgの群から選ばれる１種以上の元素を合計1000〜3000ppm含むか、又はTi、Zr、Mg、Cr、Sn、In及びAgの群から選ばれる２種以上の元素を合計1000〜3000ppm含む。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温であっても焼結膜を形成できる金属ナノ粒子ペーストを提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子（Ａ）と、この金属ナノ粒子（Ａ）を被覆する保護コロイド（Ｂ）とで構成された金属コロイド粒子、およびこの金属コロイド粒子の分散媒を含むペーストにおいて、前記保護コロイド（Ｂ）を、アミン類（Ｂ１）と、炭素数１〜３以上のカルボン酸（Ｂ２）とで構成する。このような金属ナノ粒子ペーストにおいて、金属ナノ粒子（Ａ）の割合は、例えば、４０〜９５質量％程度であってもよく、金属ナノ粒子ペーストの粘度は、２５℃において、１〜３００Ｐａ・ｓ程度であってもよい。 （もっと読む）

ベース基板を封止実装するための保護基板に電気的に連結されて前記ベース基板と前記保護基板を予め設定された間隔だけ離間させる第１層と、前記第１層と電気的に連結され、前記ベース基板の表面上に共融接合される第２層を含むことを特徴とする多層バンプ構造物が開示される。前記第１層は、前記第２層と前記ベース基板の共融温度よりも高い溶融点を有することができる。前記多層バンプ構造物を使用すれば、ベース基板の表面上に形成されたＭＥＭＳ素子などのような微細構造物が駆動するための空間を確保することができ、封止実装過程で接合物質の拡がりによって基板上の隣接構造物又は電極間で接触が発生しないという利点がある。 （もっと読む）

【課題】ビア導体におけるセパレーションの発生を低減させること。
【解決手段】基板１１、活性金属の酸化物層１５および導体層１２を有している。基板１１は、セラミックスからなり、スルーホールを有している。酸化物層１５は、スルーホール１１ｈの内側壁面に形成されている。導体層１２は、活性金属からなり、酸化物層１５の内側に形成されている。配線基板は、ビア導体１３および導体パターン１４を有している。ビア導体１３は、１１族の金属材料からなり、導体層１２の内側に形成されている。導体パターン１４は、スルーホール１１ｈ上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサと樹脂層間絶縁層との間の剥離を防止し、コンデンサの位置ずれを防止することにより、信頼性が高くなるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載工程、硬化工程及び内蔵工程を経て製造される配線基板の製造方法において、搭載工程では、コンデンサ１０を未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１上に搭載するとともに、樹脂層間絶縁層８１の一部を貫通孔１１１内に入り込ませる。硬化工程では、未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１を硬化させて硬化状態の樹脂層間絶縁層８１とする。内蔵工程では、コンデンサ１０上及び硬化状態の樹脂層間絶縁層８１上に上層側の樹脂層間絶縁層を被覆することにより、コンデンサ１０を樹脂層間絶縁層８１内に埋め込む。 （もっと読む）

【課題】貫通ビア導体と他の導体との間の剥離を防止することにより、信頼性が高くなるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂層間絶縁層８１，８２内に埋め込まれたコンデンサ１０は、電極層１１と誘電体層２１とを有する。誘電体層２１は、電極層１１の第１主面１２上及び第２主面１３上に形成される。また、樹脂層間絶縁層８１，８２には、コンデンサ１０を厚さ方向に貫通する貫通ビア導体１２１が設けられる。貫通ビア導体１２１の底部は内層側導体層１２３に面接触し、貫通ビア導体１２１の外周部は、電極層側貫通孔１１２の第１主面１２側開口縁、内壁面及び第２主面１３側開口縁に面接触する。即ち、貫通ビア導体１２１の外径は、電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の制御および複数の抵抗の同時形成が容易であり、抵抗値の変動が小さく、導電層表面が平滑であって、可撓性に優れた抵抗体内蔵フレキシブル配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ベースフィルム１と、前記ベースフィルム１上に積層された中間層２０と、前記中間層２０上に積層された導電層３０とを具備してなり、
前記導電層３０が複数の配線部３１、３２から構成され、少なくとも一対の配線部３１、３２同士の間から、前記中間層２０が露出されているとともに、
前記中間層２０が前記導電層３０よりも高抵抗であることにより、前記中間層２０が抵抗体２２とされていることを特徴とする抵抗体内蔵フレキシブル配線基板１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 （もっと読む）

共軸導線に応用される金属配線を製作する多層基板の金属配線の製造方法及びその構造を提供する。多層基板の金属配線の製造方法は、多層基板（３００）の誘電層の表面にフォトレジスト層（３０４）を塗布する工程と、フォトレジスト層（３０４）を露光して金属配線の所定の位置を定義する工程と、所定の位置に位置されるフォトレジスト層を除去する工程と、所定の位置に金属配線（３０２）を形成する工程後、金属配線（３０２）の表面に上被覆金属層（３０６）を形成する工程とを含む。一次露光工程で金属配線の上表面、側面にさらに底面に被覆金属層を形成することができる。
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【課題】 下地金属層にＮｉ−Ｔｉ−Ｍｏ合金を設けた２層フレキシブル配線基板のエッチング処理を良好に行い、微細配線加工品でも十分な絶縁信頼性を有するプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体フィルムの少なくとも片面にチタン、モリブデン、ニッケルを含有する下地金属層を、接着剤を介さずに直接形成し、該下地金属層上に銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板に、エッチング法によってパターン形成するプリント配線基板の製造方法において、前記２層フレキシブル基板を、塩化第２鉄溶液または塩酸を含む塩化第２銅溶液によりエッチング処理する工程と、その後、得られた２層フレキシブル基板を塩酸を含む酸性エッチング液で処理する工程と、さらにその後、フェリシアン化カリウムまたは過マンガン酸塩を含むアルカリ性エッチング液で処理する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い接着力を有し、高熱条件下においても接着力を維持することができる金属層付き積層フィルムを提供する。
【解決手段】主金属層１および厚さ１０ｎｍ以上の酸化防止金属層２を有する金属箔３上に耐熱性樹脂層７を有する金属層付き積層フィルムであって、主金属層／酸化防止金属層界面の断面において、主金属の界面結晶密度が１０００個／ｍｍ以下である金属層付き積層フィルム。該酸化防止金属層が、亜鉛、モリブデン等から選ばれる１種以上からなり、該耐熱性樹脂層が、ポリイミド系樹脂を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型化・薄型化が容易であって、かつ内蔵された素子の機能が良好である電子部品と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂を主成分とする絶縁層上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される第２の電極と、を有するキャパシタを備えた電子部品であって、前記第１の電極の主成分である第１の金属よりも融点が高く、かつ、該第１の金属よりも熱伝導率が低い第２の金属を主成分とする層を含む緩衝層が、前記下部電極と前記誘電体層の間に形成されていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】配線基板において、下地層とこの層に接する導体との間にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】本発明は、貫通孔５１Ａ，６１Ａを有する絶縁層５１，６１と、絶縁層５１，６１に積層され、かつ少なくとも一部が貫通孔５１Ａ，６１Ａを介して露出する導体層５０，６０と、導体層５０，６０に接続され、かつ貫通孔５１Ａ，６１Ａの内面５１Ａａ，６１Ａａを覆う下地層５２，６２と、下地層５２，６２を覆うように、少なくとも一部が貫通孔５１Ａ，６１Ａに形成されたビア導体５３，６３と、を備えた配線基板に関する。導体層５０，６０と下地層５２，６２との間には、導体層５０，６０の金属材料と下地層５２，６２の金属材料との金属結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板内にそれぞれ設置された、キャパシタ・アパーチャおよび側方に離間されたバイア・アパーチャを含むチップ・キャリア基板を提供すること。
【解決手段】キャパシタ・アパーチャは、基板内でキャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャを同時にエッチングするために用いられるプラズマ・エッチ法におけるマイクロローディング効果に伴なってバイア・アパーチャよりも狭い線幅およびより浅い深さで形成される。その後、キャパシタ・アパーチャ内でキャパシタが形成および設置され、バイア・アパーチャ内でバイアが形成および設置される。第１のキャパシタ・プレート層、キャパシタ誘電体層および第２のキャパシタ・プレート層の様々な組み合わせは、キャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャに関しては連続し得る。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをコンデンサに近付けて実装することが可能で、かつ低コストで製造可能な薄膜コンデンサ搭載配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサが、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して配線基板上に積層され、前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層が、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジスト層で覆われた薄膜コンデンサ搭載基板であって、前記薄膜コンデンサが、前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂに前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有し、前記ソルダーレジスト層が、前記開口部Ｘの内側面を覆い、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを有することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板とその製造方法を提供する。 （もっと読む）