【課題】 エッチングマスクの耐性を向上させ、エッチングマスクの存在により形成される凹部の被エッチング箇所寸法が２５ｎｍ以下、特に２０ｎｍ以下であっても当該箇所のエッチング加工が可能となるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 第１マスクおよび当該第１マスクの存在により形成された難侵入性凹部を有する基材を準備する工程と、第１マスクが形成された側から物理蒸着法により、第１マスクよりも高いエッチング耐性を有する第２マスク形成用材料を第１マスクの頂上表面全体と前記難侵入性凹部の側面に周状に堆積させて、一連の膜からなる第２マスクを形成する工程と、第１マスクおよび第２マスクを介して前記基材をエッチングする工程と、を含み、難侵入性凹部の寸法は、基材の主面に対して垂直に物理蒸着法により前記第２マスク形成用材料を堆積させようとしたときに、第２マスク形成用材料が凹部の底面に実質的に到達できない大きさに設定される。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの洗浄時間を短縮できるテンプレート洗浄装置を提供すること。
【解決手段】実施形態のテンプレート洗浄装置は、表面に凹凸パターンおよび溝部が形成されているインプリント用のテンプレートの前記溝部のイメージを取得するためのイメージ取得手段１０を具備する。実施形態のテンプレート洗浄装置は、さらに、前記イメージ取得手段１０により取得された前記溝部のイメージと、予め取得しておいた基準イメージとを比較して、前記テンプレートの洗浄時間を決定する機能を含む洗浄時間決定手段１２を具備する。実施形態のテンプレート洗浄装置は、さらに、前記洗浄時間決定手段１２により決定された洗浄時間に基づいて、前記テンプレートを洗浄するための洗浄手段１３を具備する。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細パターンを有するインプリント用のパターンの形成方法およびテンプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３１にクロム薄膜４１を積層し、クロム薄膜４１上に重合性樹脂層３３を形成して、準備した透明のインプリント用テンプレート１０と石英基板３１上の重合性樹脂層３３とを重ね合わせて、インプリント用テンプレート１０のパターンである第１のパターン１３により重合性樹脂層３３を賦型し、重合性樹脂層３３に第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターン４３を形成する。第２のパターン４３をマスクとして石英基板３１上に第３のパターン４５を形成する。第３のパターン４５をマスクとして基板３１の表面に凹凸で構成された第４のパターン４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いて、金型パターンよりも微細なパターンを基板上に形成するパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】 アルコキシシラン類の加水分解物を含有する光硬化性ナノインプリント用組成物を基板上に塗布し塗膜を形成し、金型と前記塗膜とを接触させ、金型のパターンを転写し、光照射して塗膜を硬化させた後に、１２０℃〜２５０℃で熱処理をすることで金型のパターンよりも微細なパターンを基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能な形成方法等を提供する。
【解決手段】サンプルドグレーティング２１Ｐの形成方法は、複数の凹部３を含むパターン面１Ｐを有するナノインプリント用のモールド１を準備する工程と、周期的に設けられた光透過部７Ｔを有するマスク７を準備する工程と、半導体層２１上に、フォトレジスト層２７と、樹脂部２９とをこの順に形成する工程と、熱ナノインプリント法によってモールド１の複数の凹部３の形状を樹脂部２９に転写する工程と、マスク７を介してフォトレジスト層２７に露光光ＬＥを照射する工程と、フォトレジスト層２７を現像する工程と、フォトレジスト層２７の形状を半導体層２１に転写する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に密着剤を適切に成膜しつつ、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハの表面に離型剤を成膜するウェハ処理では、先ず、塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射し、当該ウェハの表面を洗浄する（工程Ａ２）。続いて、同塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射しながら、当該ウェハの表面に密着剤を塗布する（工程Ａ３）。その後、リンスユニットにおいて、ウェハ上の密着剤をリンスして、当該密着剤の未反応部を除去する（工程Ａ４）。こうしてウェハの表面に密着膜が所定の膜厚で成膜される。 （もっと読む）

【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】スループットが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法によれば、第１の基板上に被加工膜を形成し、前記被加工膜の第１の領域上に、自己組織化材料を選択的に塗布し、ベーキングにより前記自己組織化材料を複数の成分に相分離させ、相分離した前記複数の成分のうちのいずれかの成分を除去することにより第１のパターンを形成し、前記被加工膜の前記第２の領域上に硬化樹脂を塗布し、所望のパターンに応じた凹凸を有する第２の基板を前記硬化樹脂と対向するように近接させて密着させ、前記硬化樹脂を硬化させる工程と、前記第２の基板を前記硬化樹脂から離すことにより前記硬化樹脂に第２のパターンを形成し、前記第１および前記第２のパターンをマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】処理工程や処理装置を削減するとともに微細なビア形成を可能とするエッチング方法およびインプリント装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るエッチング方法は、半導体基板１０の処理面に所定の厚さの光硬化樹脂層１６を形成し、前記半導体基板１０の処理面に形成するビアの配置と対応するビアパターンが形成されたテンプレート基板１８を、前記半導体基板１０の光硬化樹脂層１６に前記ビアパターンが形成された面を対向させて積層し、前記光硬化樹脂層１６に光源から光を照射して該光硬化樹脂層１６を硬化させ、前記光硬化樹脂層１６から前記テンプレート基板１８を分離し、前記半導体基板１０の処理面をエッチングし、エッチング処理した前記半導体基板１０の処理面をアッシングする。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板１上方に被加工膜を形成し、前記被加工膜上にネガ型レジスト３を形成する。前記ネガ型レジスト３上に光硬化性レジスト４が形成され、前記光硬化性レジスト４に、凸部の一部に遮光部が設けられた凹凸パターンを有するテンプレート５の主面側が加圧される。前記テンプレート５の裏面から前記テンプレート５に光が照射され、光が照射されていない前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４が現像され、前記テンプレート５の凹凸パターンが前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４に転写される。前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４に転写された凹凸パターンをマスクとして、前記被加工膜がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】容易に所望の表面形態に形成され、所望の反射防止特性を有する導電性表面、更には光透過可能な低反射導電性表面を有する材料と、その製造方法を提供する。
【解決手段】モールドを用いて形成された、反射防止特性を備えた凹凸パターンを有する表面上に、透明な導電性材料からなる透明導電性薄膜が形成されていることを特徴とする低反射導電性表面を有する材料、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】光ナノインプリントによって形成した微細構造加工体の表面の残留層を溶媒によって除去する簡便な微細構造加工体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に光重合性前駆体を塗布する工程と、表面に微細な凹凸パターンを有するモールドを前記光重合性前駆体に押し当てる工程と、前記光重合性前駆体に光を照射する工程と、前記モールドを取り除く工程と、を含む光ナノインプリントによって形成された微細構造加工体の製造方法であって、この微細構造加工体の残留層を加水分解によって除去する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、フォトニックナノインプリントされた絹フィブロインベースの材料、ならびに、絹フィブロインベースのフィルムをナノメータースケールのフォトニックパターンによってエンボス加工する工程を含む、当該材料を製造する方法を提供する。さらに、本発明は、局所的に当該絹フィルムのガラス転移温度を低下させることによって、室温での絹フィブロインベースのフィルムのナノインプリントを可能にするプロセスを提供する。そのようなナノインプリントプロセスは、ハイスループット性を高め、生物医学的デバイスまたは他のオプティカルデバイスへの絹ベースのフォトニクスの組み込みに対する可能性を向上させる。

（もっと読む）

【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜２を有する基板１表面に式（Ｉ）に示す感紫外線化合物３を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子４により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。
（もっと読む）

【目的】本発明は、モールド作製方法に関し、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でモールド上に順次マスク露光した後に現像し、大面積のモールドを短時間に作製してスループットを向上させることを目的とする。
【構成】マスクを、レジストを塗布したモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上の微小パターンを透過した電子線をマスク上のレジストに露光するステップと、露光した後に、マスクを次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、モールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをモールド上に形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を用いないで、規則化されたブロックコポリマーの相分離構造を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にブロックコポリマー層を形成する工程と、加熱した前記ブロックコポリマー層の表面に凸部を有するモールドの前記凸部を押し当て、前記ブロックポリマーを構成する複数のセグメントを規則的に配列させて前記ブロックコポリマー層にパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。前記ブロックコポリマー層をブロックコポリマーのガラス転移点以上の温度に加熱する。前記モールドの凸部を押し当てて形成されたブロックコポリマー層の凹部の間に、ブロックコポリマー層のパターンを形成される。 （もっと読む）

【課題】転写された微細構造体と設計寸法との間を好適に見積もれるインプリントモールドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、凹凸パターン幅が小さくなるに従って凹部の側壁角度が傾斜が大きくなることにより、硬化収縮による傾斜変化とインプリントモールドの凹部の傾斜形状とが互いに相殺されるため、凹凸パターン幅の異なる凹凸パターンが転写された微細構造体の側壁角度のバラツキを抑制することが出来る。よって、側壁角度のバラツキを抑制されることから、転写された微細構造体と設計寸法との間を好適に見積もることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】材料損失が少なく、基板との高い密着性を有するめっき膜の製造技術を提供すること。
【解決手段】（ａ）金型(4)の凹部(2)内に、触媒液を付着させることによって触媒層(10)を形成すること、（ｂ）金型の一面側に樹脂を鋳込むことにより、凹部に対応した凸部を一面側に有するスタンプ(12)を形成すること、（ｃ）金型からスタンプを取り外し、触媒層を凸部に転写すること、（ｄ）スタンプの一面側を、基板(16)上に配置された半硬化状態の樹脂(14)に押し当てることにより、凸部に対応した形状を半硬化状態の樹脂に転写するとともに触媒層を半硬化状態の樹脂に転写すること、（ｅ）半硬化状態の樹脂を硬化させること、（ｆ）基板上の樹脂に転写された触媒層上にめっき膜を形成すること、を含むめっき膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体の提供。
【解決手段】厚みが０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成され、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジストに前記凹凸パターンを転写するモールド構造体であって、該モールド構造体の厚み（Ｄｍ）と、前記基板の厚み（Ｄｓ）と、該モールド構造体のカール量（Ｃ）とが、数式：０．０１≦１０，０００×（Ｄｍ^３／Ｄｓ^３）^１／２×Ｃ^２≦２５０を満たすことを特徴とするモールド構造体等である。 （もっと読む）

【課題】隣接するショット間のパターン同士を精度良くつなぐことが可能となる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】インプリントによる構造体の製造方法であって、
基板上に第一の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第一のインプリント工程と、
前記第一のインプリント工程で形成された前記第一の樹脂による樹脂層の上と、該樹脂層に隣接する前記基板上の領域の上に第二の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドの凹凸パターンを転写する第二のインプリント工程と、
前記モールドのパターンが転写された前記第一と第二の樹脂による樹脂層をエッチングしてパターンを形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）