本発明は、対応する単純な酸化物に基づいて、Ａｌ₂Ｏ₃と、ＴｉＯ₂と、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃を含む群から選ばれる元素Ｍ₂の少なくとも１種の酸化物と、ＺｒＯ₂、Ｃｅ₂Ｏ₃、ＨｆＯ₂を含む群から選ばれる元素Ｍ₃の少なくとも１種の酸化物と、そして所望によりＭｇＯ、ＣｏＯのうちから選ばれる元素Ｍ₁の少なくとも１種の酸化物と、所望によりＳｉＯ₂と、を含む酸化物セラミック材料を含む多孔質構造体に関するものであり、当該材料は対応する単純な酸化物又はその前駆物質の１つの反応焼結により、又は当該組成を有する焼結した粒子の熱処理により得られる。 （もっと読む）

溶融粒子であって、溶融粒子は、１５％を超えるが５５％未満のＡｌ₂Ｏ₃、２５％を超えるが６０％未満のＴｉＯ₂、全体が２０％未満の、ＭｇＯおよびＣｏＯから選択される、元素Ｍ₁の少なくとも１種の酸化物、全体が０．７％を超えるが２０％未満の、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃およびＧａ₂Ｏ₃によって形成される群から選択される、元素Ｍ₂の少なくとも１種の酸化物、全体が２０％未満の、ＺｒＯ₂、Ｃｅ₂Ｏ₃およびＨｆＯ₂によって形成される群から選択される、元素Ｍ₃の少なくとも１種の酸化物、および３０％未満のＳｉＯ₂の化学組成を、酸化物に基づく重量パーセントとして有する溶融粒子。上記粒子を焼結することによって得られるセラミック製品または材料。 （もっと読む）

１５％を超え、５５％未満のＡｌ₂Ｏ₃、２０％を超え、４５％未満のＴｉＯ₂、３％を超え、３０％未満のＳｉＯ₂、全体が２０％未満の、ＺｒＯ₂、Ｃｅ₂Ｏ₃およびＨｆＯ₂から選択される少なくとも１種の酸化物、１％未満のＭｇＯ、および全体の合計量が１％を超えるが１５％未満の酸化物ＣａＯ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、ＳｒＯ、Ｂ₂Ｏ₃およびＢａＯの化学組成を、酸化物に基づく重量パーセントとして有する溶融粒子。上記粒子を焼結することによって得られるセラミック製品または材料。 （もっと読む）

【課題】チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体であって、圧電特性が良好な組成を有する圧電体を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電体は、組成式（１）、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙＯ_３・・・（１）（式中、Ｍは、ＴａおよびＮｂの少なくとも一方であり、かつ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも一方を置換している。式中、ｘは、０．５１≦ｘ≦０．５７の範囲であり、ｙは、０．０５≦ｙ＜０．２の範囲である。）で示されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、添加物として、ＳｉＯ_２およびＧｅＯ_２の少なくとも一方を含有し、添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、０．５モル％以上５モル％以下である。 （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを提供する。
【解決手段】光学セラミックは、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、ただし、0≦x≦1.1および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである。 （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを得る。
【解決手段】少なくとも１つの光学的に活性体中心を持つ、対称、立方体構造の単一粒子を有する透明、多結晶光学セラミックスを得るため、前記光学セラミックを、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、（ただし、-1.15≦x≦0および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである）、となるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電特性と温度特性に優れた鉛を含まない圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなる圧電材料。


（式中、ＡはＢｉ元素であり、Ａ’はＬａを含む希土類元素であり、ＢはＴｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＺｒから選択される少なくとも１種以上の元素であり、Ａ’’はＢａ、Ｓｒ、及びＣａから選択される少なくとも１種以上の元素であり、Ｂ’は２から６価の元素から選択される少なくとも１種以上の元素である。ｘは０．１０≦ｘ≦０．９５、ｙは０≦ｙ≦０．５、ｚは０≦ｚ≦０．７の数値を表す。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。） （もっと読む）

【課題】従来よりも高いプロトン伝導性を示すペロブスカイト型複合酸化物薄膜を提供すること。
【解決手段】一般式：Ａ(Ｂ_1-YＭ_Y)Ｏ_3-Zで表される組成を有するプロトン伝導性ペロブスカイト型複合酸化物を含むペロブスカイト型複合酸化物薄膜。但し、Ａは、アルカリ土類金属元素から選ばれる２種以上の元素。Ｂは、Ｚｒ及びＣｅから選ばれる１種以上の元素。Ｍは、Ｓｃ、Ｙ、Ｉｎ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、及び、Ｙｂから選ばれる１種以上の元素。０＜Ｙ＜０．２、０＜Ｚ。 （もっと読む）

【課題】チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体であって、圧電特性が良好な組成を有する圧電体を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電体は、組成式（１）、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙＯ_３・・・（１）（式中、Ｍは、ＴａおよびＮｂの少なくとも一方であり、かつ、ＺｒおよびＴｉの少なくとも一方を置換している。式中、ｘは、０．５１≦ｘ≦０．５７の範囲であり、ｙは、０．０５≦ｙ＜０．２の範囲である。）で示されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、添加物として、ＳｉＯ_２およびＧｅＯ_２の少なくとも一方を含有し、添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、０．５モル％以上５モル％以下である。 （もっと読む）

【課題】従来に比して低温条件で焼成した場合であっても緻密であるとともに結晶性に優れており、かつ、優れた圧電／電歪特性を示す圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＢｉをＡサイトとし、ＢサイトがＢ１、Ｂ２の元素（Ｂ１：Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及び希土類からなる群から選ばれるイオン価数が２価以下の少なくとも１種類以上、Ｂ２：イオン価数が４価以上でＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｍｏ及びＷからなる群から選ばれる少なくとも１種類以上である）からなるＡＢＯ₃型化合物（主成分１）として、Ａサイトに少なくともＰｂが含まれるＡＢＯ₃型化合物（主成分２）に固溶させる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で誘電体の焼結が可能であり、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃から１１００℃程度の低温焼成によっても圧電特性を悪化させることなく、所望の形状の焼結体を製造することのできる圧電磁器組成物を提供すること
【解決手段】 組成式が、Ｐｂ_ａＳｒ_ｂ（Ｚｒ_ｃＴｉ_ｄＭｎ_ｅＳｂ_ｆ）Ｏ_３で表され、その組成範囲が、０．９≦ａ≦１．０，０≦ｂ≦０．１，０．４≦ｃ≦０．５，０．４≦ｄ≦０．５，０≦ｅ≦０．１，０≦ｆ≦０．１を満たした組成物を主成分とした圧電原料粉体に、副成分として、ＣｕＯとＧｅＯ_２のいずれか一方を０．３ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下の範囲内で含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧を良好にすることができ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３とＢａＺｒＯ_３とを有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子２０と粒界相３０とから構成されており、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第１誘電体粒子２１とし、ＢａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第２誘電体粒子２２とし、第１誘電体粒子２１の平均結晶粒子径をＤ１とし、第２誘電体粒子２２の平均結晶粒子径をＤ２とした場合に、Ｄ１に対するＤ２の比である（Ｄ２／Ｄ１）が０．０４〜０．３３であり、Ｄ２が０．０２〜０．２５μｍであり、第１誘電体粒子２１の合計個数に対する第２誘電体粒子２２の合計個数の比が０．１０〜２であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】ＩＲ寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と、ＢａＺｒＯ_３と、Ｒ酸化物（Ｒは希土類元素）とを有する誘電体磁器組成物であって、ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対して、ＢａＺｒＯ_３の含有量をＡモル、Ｒ酸化物の含有量をＣモルとした場合に、４０≦Ａ≦６５モル、４≦Ｃ≦１５モルで、かつ、式（１）および（２）を同時に満足する誘電体磁器組成物。式（１）…０．００３８Ａ−０．１４７≦Ｂ≦０．００４Ａ＋０．０４（Ｂは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＢａＺｒＯ_３のＸ線最大ピーク強度の比）、式（２）…０．００４１Ｃ−０．０１１５≦Ｄ≦０．００４６Ｃ＋０．０８４（Ｄは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＲ酸化物のＸ線最大ピーク強度の比） （もっと読む）

従来技術によれば、圧電セラミック多層エレメントは空気中で約１１００℃以上の温度で焼結される。したがって、内部電極としては高い溶融温度を有する貴金属しか使用することができない。卑金属では酸化する虞がある。したがって通常の場合は、４０％迄のパラジウムを有する銀パラジウム合金が使用される。しかしながら、これは高い材料コストに繋がる。しかしながら内部電極材料の低い溶融温度は相応に低い焼結温度を有するセラミック材料も必要とする。したがって本発明によれば、基本材料に非導電性の焼結助剤を添加し、内部電極が主材料成分として銀、有利には純銀、また非導電性材料成分および／または金属合金または金属酸化物混合物を含有する。
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【課題】耐割れ性に優れた光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＡをＳｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｓｎの内の１種または２種以上とすると、Ｚｒ_ａＩｎ_ｂＡ_ｃＯ_{１００−ａ−ｂ−ｃ}（ただし、５原子％＜ａ＜２３原子％、１２原子％＜ｂ＜３５原子％、０＜ｃ＜３０原子％）からなる成分組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＺｒの９０％以上がＺｒとＩｎの複合酸化物相となってターゲット素地中に分散しており、前記ＺｒとＩｎの複合酸化物相は、Ｚｒ_ｘＩｎ_ｙＯ_{１００−ｘ−ｙ}（ただし、２０原子％＜ｘ＜３０原子％、１０原子％＜ｙ＜１６原子％）からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】液相法において、組成制御性がよく、しかも鉛などの金属成分の再利用が可能な強誘電体形成用の前駆体組成物、該前駆体組成物の製造方法、および前駆体組成物を用いた強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】前駆体組成物は、強誘電体を形成するための前駆体を含む前駆体組成物であって、前記強誘電体は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で示され、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなり、前記前駆体は、少なくとも前記Ｂ元素およびＣ元素を含み、かつ一部にエステル結合を有する。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ただし、ｍは、０．９９≦ｍ≦１．０１）と、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ （ただし、ｎは、０．９９≦ｎ≦１．０１）と、Ｍｇの酸化物と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、を有し、前記Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ １００モルに対し、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ ：３５〜６５モル、Ｍｇの酸化物：４〜１２モル、Ｒの酸化物：４〜１５モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅの酸化物：０．５〜３モル、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢの酸化物：３〜９モル、である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）