【課題】高電圧下の高温負荷寿命および高温における直流電圧印加時の比誘電率を向上させることができる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物を誘電体層として有する電子部品を提供すること。
【解決手段】特定の主成分および副成分を特定の組成範囲で含有する誘電体磁器組成物であって、主成分の原料の粒径の累積分布の５０％の値をＤ５０ｍ、累積分布の９０％の値をＤ９０ｍとしたときに、Ｄ５０ｍ／Ｄ９０ｍ≧０．６であり、中心層と、副成分が拡散している拡散層と、からなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子の個数割合が、全誘電体粒子に対して、６０％以上であり、表面拡散粒子の粒子径をＤｇ、中心層の径をＤｃとすると、（Ｄｇ−Ｄｃ）／Ｄｇ≧０．１である関係を満足し、Ｄｃの累積分布の９０％の値をＤ９０ｃとしたときに、０．２５≦Ｄ９０ｃ≦０．５０である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高温負荷環境下のＣＲ積の低下を抑制できる誘電体磁器組成物と電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分と、Ｒ酸化物（ＲはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる１種以上）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂ、Ｌｉから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第５副成分とを有し、少なくとも一部の誘電体粒子に線欠陥が存在し、全誘電体粒子に対し、１個の粒子に存在する線欠陥の長さの最大値の平均値が０．０３以上０．２μｍ未満の範囲、かつ、該線欠陥の合計長さの平均値が０．１以上０．５μｍ未満の範囲にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】広い温度域において良好な比誘電率を実現できる誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ＲはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる１種以上）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂ、Ｌｉから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第５副成分とを有し、少なくとも一部の誘電体粒子が線欠陥を有し、全誘電体粒子に対し、１個の粒子が有する線欠陥の長さの最大値の平均値が０．１〜０．７μｍの範囲、かつ、その線欠陥の合計長さの平均値が０．５〜３μｍの範囲にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】電歪量が低く、高温における容量温度変化率を向上できる誘電体磁器組成物と電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分と、希土類元素（Ｒ）の酸化物を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、ＢおよびＬｉから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第５副成分とを有する誘電体磁器組成物が誘電体粒子と結晶粒界とを有しており、誘電体粒子のうち、少なくとも一部の誘電体粒子が、中心層とその周囲に存在する拡散層とから構成される表面拡散構造を有しており、誘電体粒子の界面近傍のＲの濃度をＣｂとし、拡散層におけるＲの濃度の最大値をＣｍａｘとした場合に、Ｃｍａｘ／Ｃｂ＞１である。 （もっと読む）

【課題】電歪量が低く、ＩＲ寿命を向上できる誘電体磁器組成物と電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分と、希土類元素（Ｒ）の酸化物を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、ＢおよびＬｉから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第５副成分とを有する誘電体磁器組成物が誘電体粒子と結晶粒界とを有しており、誘電体粒子のうち、少なくとも一部の誘電体粒子が、中心層とその周囲に存在する拡散層とから構成される表面拡散構造を有しており、誘電体粒子の界面近傍のＭｇ濃度をＣｂとし、拡散層におけるＭｇ濃度の最大値をＣｍａｘとした場合に、Ｃｍａｘ／Ｃｂ＞１である。 （もっと読む）

本願発明は、分子式Ｐ_{１−ｃ−ｄ}Ｄ_ｃＺ_ｄ（ただし、０＜ｃ≦０．１５かつ０≦ｄ≦０．５）を有する材料を含む圧電材料であって、Ｐが化合物Ｐｂ（Ｚｒ_１−ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（ただし、０．５０≦１−ｙ≦０．６０）を表し、Ｚがペロブスカイト型構造の付加的成分を表し、Ｄが一般式［（Ｍ_１Ｏ）_１−ｐ（Ｍ_２Ｏ）_ｐ］_ａ［Ｎｂ_２Ｏ_５］_１−ａ（ただし２／３＜ａ＜１かつ０＜ｐ＜１）（このとき、Ｍ_１はＢａ_１−ｔＳｒ_ｔ、ただし０≦ｔ≦１、を表し、Ｍ_２はストロンチウムあるいはカルシウムを表す）を表し、材料Ｄがクリオライト型の構造を含む、圧電材料に関する。これにより、ＰＺＴホスト格子のＢサイトのドーピングを達成することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命、容量温度特性に優れ、定格電圧の高い中高圧用途に用いる事ができる誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第５副成分を所定量含有し前記主成分を構成する原料として、Ｄ１０径が０．２５〜０．７０μｍ、Ｄ５０径が０．３５〜１．０μｍ、Ｄ１０径とＤ５０径との比（Ｄ１０／Ｄ５０）が０．６５〜０．９０である原料粉末を用いて製造される誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第５副成分と、を所定量含有し、前記誘電体粒子の粒径をＤとした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Ｄの５％である深さＴ_５における前記第５副成分の含有割合が、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅまたはＢ換算で、０．１原子％より多く、１．３原子％未満である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、等から選択される）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、等から選択される元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、等から選択される元素の酸化物を含む第５副成分と、Ｖ、ＮｂおよびＴａから選択される元素の酸化物を含む第６副成分と、を有し、前記主成分１００モルに対する、比率が、第１副成分：９〜１３モル、第２副成分：２．７〜５．７モル、第３副成分：４．５〜５．５モル、第４副成分：０．５〜１．５モル、第５副成分：３．０〜３．９モル、第６副成分：０．０３〜０．３モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ 複合酸化物を含む主成分、組成式（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ 複合酸化物（ただし、０．９５≦ｘ≦１．００）を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分を所定量含有し、前記ｍの値０．９８０≦ｍ≦１．０００、前記ａの値０．９９０≦ａ≦１．０１０、前記（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ および前記（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ のＢａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの各元素量を合計した場合におけるＢａ／（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ）比であるｂの値が０．９８０≦ｂ≦１．０００である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸Ｂａを含む主成分、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分、Ａｌ酸化物を含む第６副成分、を有し、前記主成分１００モルに対する各副成分比率が、第１副成分９〜１３モル、第２副成分２．７〜５．７モル、第３副成分４．５〜５．５モル、第４副成分０．５〜１．５モル、第５副成分３．０〜３．９モル、第６副成分０．５〜１．５モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

本発明は、多孔質のセラミックス材料から成るブランクで形成された成形部品（１０）を、高精度のディメンションに焼結する方法に関わる。この成形部品は、焼結時、少なくとも第１の接合部（２０、２２、２４）を通して、前記ブランクから形成された収容部（１４）と接合されている。前記成形部品の焼結時にこの外形が変化することを、単純な製造工程と、構造上単純な処置とによって、確実に防ぐために、本発明では、前記収容部（１４）は、前記第１の成形部品（１０）の周りの少なくとも一部を囲むブランクの一部として、ミル加工などによって前記ブランクから形成され、そして、この形成後、前記収容部は、一方では、第１の接合部（２０、２２、２４、３４、３６）の少なくとも１つを通して前記成形部品と接合され、他方では、第２の接合部（１６、１８、３０、３２）の少なくとも１つを通して、前記収容部を一定の空間だけ離間して囲む残りのブランクと接合される。 （もっと読む）

【課題】低温かつ低酸素還元性雰囲気中において焼成が可能で、かつ１ｋＶ／ｍｍ以上の高電圧下においても十分な変位が得られる圧電磁器組成物及び積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】下記の組成式で示される複合酸化物を主成分とし、主成分に対し、第１副成分として、ＣｕをＣｕ_２Ｏ換算量αで０＜α≦０．５質量％、第２副成分として、Ｃｏ、Ｎｉ、ＧａおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種を、Ｃｏ、ＮｉおよびＧａは酸化物換算量β、Ｍｇは炭酸物換算量βで０＜β≦０．２質量％、第３副成分として、Ｔａ、Ｎｂ、ＷおよびＳｂから選ばれる少なくとも１種を酸化物換算量γで０＜γ≦０．６質量％を含む圧電磁器組成物。
組成式：Ｐｂ_ａ［（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_ｘＴｉ_ｙＺｒ_ｚ］Ｏ_３
ただし、ａ、ｘ、ｙ、ｚが、０．９６≦ａ≦１．０３、０．００５≦ｘ≦０．０４７、０．４２≦ｙ≦０．５３、０．４５≦ｚ≦０．５６、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する。 （もっと読む）

【課題】ポリマー電解質に添加する場合においてポリマー電解質との密着性が高く、焼結によって固体電解質を作製する場合においても、充填率が高くなり、焼成後も緻密となるリチウムイオン伝導性の無機粉体とその製造方法を提供する。
高出力・高容量のリチウム二次電池、およびリチウム一次電池を提供することを課題とする。
【解決手段】個々の粒子投影像の面積とそれぞれ同じ面積の円の周長をｌ、粒子投影像の周長をＬとしてｌ／Ｌを円形度とした場合に、円形度が０．８以上の粒子が７５％以上であることを特徴としたリチウムイオン伝導性無機粒子。
平均粒径５μｍ以下の一次粒子に溶媒を加えてスラリーとする工程と、前記スラリーを造粒し二次粒子を得る工程と、前記二次粒子を熱処理する工程とを含み、熱処理後の二次粒子の平均粒径が３０μｍ以下のリチウムイオン伝導性の無機物球状粒子を得ることを特徴としたリチウムイオン伝導性無機粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性が高い透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｇａ、ＴｉおよびＯから実質的になる透明導電膜。ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の透明導電膜。Ｇａ、ＴｉおよびＯから実質的になる焼結体。ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の焼結体。チタンを含有する粉末と、ガリウムを含有する粉末とを混合して得られる混合物を成形して成形体を得、該成形体を焼結することにより得られる前記の焼結体。前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液体吐出ヘッドの圧電体として好適な、大きな圧電性を有する圧電体及び圧電体素子を提供すること。
【解決手段】圧電体を、ＡＢＯ₃で構成され、Ａの主成分がＰｂで、Ｂの主成分がＴｉとＮｂと、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃ，Ｃｄ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｙｂ，Ｉｎ，Ｆｅの内の３種類の元素を含むペロブスカイト型構造の酸化物からなり、正方晶のａ-ドメインおよびｃ-ドメインを少なくとも有する１軸配向又は単結晶から形成する。 （もっと読む）

【課題】有機バインダーを用いることなく、バルク状のチタン酸ジルコン酸鉛を得る製造方法を提供すること。
【解決手段】バルク状チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法は、チタン酸ジルコン酸鉛の粉体と、アモルファスのニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛の粉体とを混合して原料粉体を得る工程と、前記原料粉体を焼結する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成形性がよく、かつ、低温焼結性にも優れ、これらに加えて焼結体にしたときの品質の信頼性にも優れたジルコニア微粉末、及びそれを用いた粉末顆粒を提供する。
【解決手段】安定化剤としてイットリア，カルシア，マグネシア及びセリアの１種以上を含むジルコニア微粉末であって、該ジルコニア微粉末の平均粒径が０．５μｍ未満であり、かつ、粒径分布の累積カーブにおいて１μｍでの粒子の占める割合が１００％以上であるジルコニア微粉末を顆粒化して用いる。該微粉末は、加水分解の反応率が９８％以上の条件下で得られる水和ジルコニアゾルに、安定化剤添加、乾燥、９００〜１２００℃の範囲で仮焼し、直径３ｍｍ以下のジルコニアボールを用いて湿式粉砕して得る。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】モル％で、酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウム：１０〜7０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、必要に応じて酸化イットリウム：０．１〜８．４％を含有し、残部：酸化アルミニウム、酸化ランタンまたは酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＡｌ_６Ｓｉ_２Ｏ_１３、Ｌａ_２ＳｉＯ_５またはＩｎ_２Ｓｉ_２Ｏ_７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有する高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

本発明は、スパッタ材料がＮｂ₂Ｏ₅ １５〜６０mol％を含有する、ＴｉＯ₂をベースとするスパッタ材料を含有するスパッタターゲットに関する。さらに、次の工程：・ＴｉＯ₂粉末及びＮｂ₂Ｏ₅粉末を液状スリップ中で混合する工程 ・このスリップを噴霧造粒してＴｉＯ₂：Ｎｂ₂Ｏ₅混合酸化物グラニュールにする工程 ・このグラニュールをスパッタターゲット基体上へプラズマ溶射する工程を有するスパッタターゲットの製造方法に関する。
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