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Fターム[4G031AA30]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 成分 (10,922) | 第3b〜6b族元素酸化物 (1,974) | 酸化珪素 (502)

Fターム[4G031AA30]に分類される特許

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【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】(Ba1−x−ySrCa(Ti1−zZr )Oで表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、(Ba1−x1−ySrx1Ca(Ti1−zZr)Oで表される第1主成分原料と、(Ba1−x2−ySrx2Ca(Ti1−zZr)Oで表される第2主成分原料とを準備する工程と、第1主成分および第2主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第1主成分のモル数をa、第2主成分のモル数をbとし、a+b=1、a:b=20:80〜80:20、0.20≦x≦0.40、x=ax1+bx2、x1/x2≧1.05、0≦y≦0.20、0≦z≦0.30、0.950≦m≦1.050である。 (もっと読む)


【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
a(Sn,Ti)O−bMgSiO−cMgTi−dMgSiO
で表され、前記組成式におけるa、b、c、及びd(ただし、a、b、c、及びdはモル%である)がそれぞれ4≦a≦37、34≦b≦92、2≦c≦15、及び2≦d≦15の範囲内にあり、ここでa+b+c+d=100である主成分と、ZrOからなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分100重量部に対して3.0〜12.0重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 (もっと読む)


【課題】熱による体積変化が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅元素を含むチタン酸アルミニウム系セラミックス、および、チタニウム源粉末と、アルミニウム源粉末と、銅源とを含む原料混合物を焼成する工程を備えるチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法である。銅源としては、金属銅粉末などを用いることができる。チタン酸アルミニウム系セラミックスは、マグネシウム元素やケイ素元素を含んでいてもよい。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】BaTiO、(Ba,Ca)TiO、(Ba,Sr)TiOおよび(Ba,Ca,Sr)TiOから選ばれる1つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびBaを含む複合化合物を複合化合物換算で9〜13モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とR元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をS1、拡散相が占める面積をS2とすると、S1:S2=20:80〜30:70(ただしS1=30およびS2=70を除く)であり、表面拡散粒子における前記R元素の平均濃度をCとした場合、4.8≦S2×C≦5.8である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ba(Ti1−xZr)O(0.995≦m≦1.010,0<x≦0.10)で表される母材粉末と第1副成分〜第5副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。 (もっと読む)


本発明は、一般的に多孔性ハニカム基材に関し、さらに特には、繊維系材料を備える素材からなる多孔性ハニカム基材に関する。約10容量%から約60容量%のセラミックファイバーを有する多孔性ハニカム基材は、様々な複合材料に製造される。ファイバー材料は、粒子系材料に混合されて、多孔性マトリックス形状の複合構造を反応形成する。多孔性ハニカム基材は、ファイバー複合材料から生成した細孔のオープンポアネットワークを表し、フィルタ及び化学プロセスの触媒ホストのような様々な用途のために、高い透過性を提供する。
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【課題】 高誘電率であり、EIA規格のX5R特性を満足しつつ、DCバイアス特性およびDCエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層5が、チタン酸バリウム100モルに対して、バナジウムを0〜0.1モル、マグネシウムを0.5〜1.2モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素を0.5〜1.0モルおよびマンガンを0〜0.2モル含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部9aと、該コア部9aを取り囲み前記バナジウム、前記マグネシウム、前記希土類元素および前記マンガンのうち少なくとも1種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部9bとからなり、該シェル部9bの平均厚みtが5〜15nmであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が0.15〜0.4μmである。 (もっと読む)


【課題】高温負荷試験における信頼性を向上し、長寿命とすることができる誘電体磁器を提供する。
【解決手段】金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器であって、結晶粒子内において、希土類元素の濃度の、Mnの濃度に対する比率が、結晶粒子の表面からの距離が大きくなるにつれて小さくなることを特徴とする誘電体磁器とする。高温負荷試験における信頼性が高い誘電体磁器を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】接触部分酸化反応用の触媒などの触媒担体として好適な、高い耐熱性を有し、長期間に渡って安定な触媒担体用多孔質セラミックス成形体を提供する。
【解決手段】アルミニウム源粉末、チタニウム源粉末、マグネシウム源粉末およびケイ素源粉末を含む原料混合物の成形体を焼成する工程を備え、該原料混合物中におけるAl23換算でのアルミニウム源粉末とTiO2換算でのチタニウム源粉末との含有量比がモル比で35:65〜45:55の範囲内であり、Al23換算でのアルミニウム源粉末とTiO2換算でのチタニウム源粉末との合計量に対するMgO換算でのマグネシウム源粉末の含有量がモル比で0.03〜0.15の範囲内であり、ケイ素源粉末の含有量は、原料混合物に含まれる無機成分中5質量%以下である、触媒担体用多孔質セラミックス成形体の製造方法および当該製造方法により得られる触媒担体用多孔質セラミックス成形体である。 (もっと読む)


【課題】酸化触媒として活性が高く、しかも資源豊富で安価な鉄系酸化触媒を用いた、高強度で粉落ちやクラックの少ない、実用性の高いハニカム成形体の提供を目的とする。
【解決手段】BET比表面積が30〜250m/gの紡錘状含水酸化第二鉄10〜50重量%、セメント系結合材20〜60重量%、無機増量材20〜60重量%からなる組成物に成形助剤を添加してハニカム状に成形し、乾燥、焼成してなることを特徴とするハニカム成形体。 (もっと読む)


【課題】匣鉢の耐久性をさらに改善した、リチウムイオン電池の正極活物質製造用匣鉢及びその製造方法を提供すること
【解決手段】リチウムイオン電池の正極活物質を製造するための匣鉢は、スピネルを40質量%〜60質量%、コージライトを20質量%〜40質量%、及びムライトを0質量%〜40質量%含有する。匣鉢の気孔率は30%以下である。 (もっと読む)


【課題】高い比誘電率を示し、絶縁抵抗に優れ、十分な信頼性が確保されたコンデンサ等の電子部品を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式(Ba1−αα(Ti1−βMnβで表され、結晶構造が六方晶であって、Mの12配位時の有効イオン半径が、12配位時のBa2+の有効イオン半径に対して±20%以内であり、A、B、αおよびβが、0.900≦(A/B)≦1.040、0.003≦α≦0.05、0.03≦β≦0.2の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分100モルに対し、副成分としてMgO等のアルカリ土類酸化物と、Mnおよび/またはCrと、CuOと、Alと、希土類元素酸化物と、SiOを含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を示し、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保された電子部品の誘電体層を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式(Ba1−αα(Ti1−βMnβで表され、結晶構造が六方晶であって、Mの有効イオン半径が、12配位時のBa2+の有効イオン半径に対して±20%以内であり、A、B、αおよびβが、1.000<A/B≦1.040、0≦α<0.003、0.03≦β≦0.2の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分100モルに対し、副成分として、MgO等のアルカリ土類酸化物、Mnおよび/またはCrと、CuOと、Alと、希土類元素酸化物と、SiOを含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】サイズ効果によっても誘電率が低下しにくく、しかも絶縁抵抗と高い誘電率とを両立させることが容易であり、比誘電率の温度変化が少ない新規な誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体粒子2aが形成された誘電体磁器組成物である。誘電体粒子2aが、六方晶のチタン酸バリウムで構成されるコア22aと、コア22aの外周に形成される立方晶または正方晶のチタン酸バリウムで構成されるシェル24aとを有する。 (もっと読む)


本開示は、チタン酸アルミニウム含有セラミック形成バッチ材料およびその使用方法に関する。
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【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、誘電体セラミックの比誘電率が高く、温度変化や機械的衝撃に対する信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1−xCa)TiO(ただし、0.045≦x≦0.15)を主成分とし、かつRe(ただし、Reは、Gd、Dy、Ho、YbおよびYから選ばれる少なくとも1種)、MgO、MnO、VおよびSiOを副成分とし、一般式:100(Ba1−xCa)TiO+aRe+bMgO+cMnO+dV+eSiOで表わされ、0.65≦a≦1.5、0.15≦b≦2.0、0.4≦c≦1.5、0.02≦d≦0.25、および0.2≦e≦3.0の各条件を満足する、誘電体セラミックを用いる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、86.32〜97.64モル%のBaTiO3、0.01〜10.00モル%のY23、0.01〜10.00モル%のMgO、0.001〜0.200モルのV25からなる誘電体主成分と、MnO,Cr23,Co23からなる群から選ばれる一種以上の第1添加物0.01〜1.0モル%と、{Baα,Ca(1−α)}SiO3(ただし、0≦α≦1)である第2添加物0.5〜10.0モル%と、BaTiO3100重量部に対し、Sr:10〜500ppm S:10〜50ppm Al:10〜50ppm Fe:10〜50ppm Zr:100〜800ppm Y:10〜100ppm Hf:10〜100ppmを含むことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】微細で、かつ、結晶性が高く、しかも、焼成工程における粒成長を抑制することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末を作製する主成分粉末作製工程を備えた誘電体磁器組成物の製造方法において、主成分粉末作製工程が、バリウム化合物とチタン化合物とを含む混合物を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼物を酸溶液により洗浄する酸洗浄工程とを備えた工程であり、酸洗浄後に得られる主成分粉末が、一般式ABO3で表され、Aサイト元素とBサイト元素のモル比であるA/B比が1.0未満、0.9以上であるペロブスカイト型複合酸化物であるという要件を満たすようにする。
酸洗浄工程後に得られる主成分粉末が、結晶軸のa軸に対するc軸の比であるc/a軸比が1.010以上、比表面積が7m2/g以上という要件を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に耐湿負荷試験および高温負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】BaTiO3系を主成分とし、副成分として、希土類元素R(RはNd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、YbおよびYから選ばれる少なくとも1種)、M(MはMg、Mn、Ni、Co、Cu、Al、Mo、WおよびVから選ばれる少なくとも1種)、SiO2およびCaOを含有する、誘電体セラミック。この誘電体セラミックに含まれる結晶粒子のうち、Siが固溶している結晶粒子11の個数割合が5%以上である。 (もっと読む)


【課題】 従来の誘電体磁器組成物は、焼成温度が高く、小型化、薄型化が可能な積層型電子部品に用いることができなかった。また、共振周波数における温度係数が高いため、特に、バンドパスフィルタに用いた場合、通過帯域における信号の挿入損失が大きく、バンドパスフィルタとして十分な特性が得られない。
【解決手段】 MgTiO、MgTiO、CaTiOを含有し、一般式でxMgTiO・yMgTiO・zCaTiOと表される組成において、x、y、zがモル%でそれぞれ、75.8≦x≦82.5、14.1≦y≦18.1、1.5≦z≦6.1の範囲にあるセラミックスであり、セラミックス100重量部に対して、結晶化ガラスを25〜30重量部添加する。
【効果】 共振周波数における温度係数を小さくできると共に、積層型電子部品の誘電体層間の導体パターンを構成する銀や銅等の融点よりも低い温度で焼結可能になる。 (もっと読む)


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