【課題】Ａｌ配線上に絶縁層を形成しても、焼成時にガラス中に発泡が生じ難く、また低温で焼成可能であり、しかも熱的安定性が良好であり、焼成時にガラスに失透が発生し難い表面平滑性が良好な絶縁層形成材料を提供する。
【解決手段】絶縁層形成材料は、ガラス粉末と無機酸化物粉末を含有する絶縁層形成材料において、（１）ガラス粉末の含有量が７０〜９９．９質量％、無機酸化物粉末の含有量が０．１〜２０質量％であり、（２）ガラス粉末が、ガラス組成として、モル％で、ＺｎＯ １５〜４５％、Ｂ_２Ｏ_３ ２５〜４５％、ＳｉＯ_２ ５〜２５％を含有し、（３）無機酸化物粉末が、Ｃｕおよび／またはＦｅを含有する。 （もっと読む）

【課題】第１物質からなるコアおよび第２物質からなるシェルを含むコア−シェル微細構造を有し、第１物質の相対誘電定数が第２物質の相対誘電定数より大きい誘電物質用焼結物質およびその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電物質用焼結物質は、ＬｉとＴｉがドープされたＮｉＯ、ＬｉとＡｌがドープされたＮｉＯ、ＣｕＯ、ペロプスカイト構造のＡＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂、およびＲＥ_2-yＡ’_yＮｉＯ₄よりなる群から選ばれる物質から構成される分散相と、焼結助剤からなる連続相とを含み、前記Ａは０＜ｘ＜１であり、前記ＲＥはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄまたはＣｅであり、前記Ａ’はＣａ、ＳｒまたはＢａであり、０＜ｙ＜２である。 （もっと読む）

フュージョン成形可能な、高歪み点のナトリウム不含有のケイ酸塩、アルミノケイ酸塩およびアルミノホウケイ酸塩ガラスの組成範囲がここに記載されている。このガラスは、光起電装置、例えば、ＣＩＧＳ光起電装置などの薄膜光起電装置のための基体として使用できる。これらのガラスは、５４０℃以上の歪み点、６．５から１０．５ｐｐｍ／℃の熱膨張係数、並びに５０，０００ポアズ超の液相線粘度を有するものとして特徴付けられる。それゆえ、そのガラスは、フュージョン法により板に成形するのに理想的に適している。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスとして高純度酸素を使用したときに問題となるオゾン濃度の低下を回避する。
【解決手段】 一対の電極間にオゾン発生用の放電空隙を形成するために、一対の電極に接して誘電体が配置されたオゾン発生装置用放電セルにおいて、前記誘電体の体積抵抗率を１０¹⁴Ω・ｃｍ以上とする。前記誘電体の表面に、オゾン濃度の低下を防止するための機能膜として、体積抵抗率が１０⁶ Ω・ｃｍ以上、１０¹³Ω・ｃｍ以下である低抵抗層を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光等の照射光による局所加熱に好適であるとともに、低軟化特性と高耐水性を両立させた有機ＥＬ照明用封着材料を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ照明用封着材料として、ビスマス系ガラス粉末２５〜１００体積％、耐火性フィラー粉末０〜７５体積％含有し、且つビスマス系ガラス粉末が、ガラス組成として、ＣｕＯ＋Ｆｅ_２Ｏ_３を０．２〜１５質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 ６００℃以下の温度で焼成でき、焼成時にガラス基板に反りを発生させることなく、ガラス基板の強度を向上させることができ、しかも、高い透過率と低い誘電率及びヘーズ値を有する誘電体層をえることが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体材料及びそれを用いて形成された誘電体層を備えてなるプラズマディスプレイパネル用ガラス板を提供することである。
【解決手段】 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系ガラス粉末からなるプラズマディスプレイパネル用誘電体材料において、該ガラス粉末が、実質的にＰｂＯを含まず、モル百分率で、ＺｎＯ １〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２６〜５０％、ＳｉＯ_２ ４２超〜５０％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ５〜２０％含有するガラスからなり、且つ、該ガラス粉末の水分量が０．１〜０．８質量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

遷移金属をドープしたスズリン酸塩ガラス組成物及びその調製方法であって、例えば、このガラス組成物は封着用途に使用可能なものである。 （もっと読む）

【課題】誘電体としてガラスを有する改良されたキャパシタ、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属酸化物含有量が2重量％以下であり、かつ、50μm以下の厚みを有するガラス層（16、18）からなる誘電体を有するキャパシタを提供する。このキャパシタは、ガラス層により分離された少なくとも2つの金属層を備えている。ガラス層は、下方延伸法により、または、オーバーフロー下方延伸溶融法により製造されているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄く、均一に塗布することができて、かつ、一様なガラス被膜を形成することができる、被覆用ガラス材料を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の被覆用ガラスゾルは、金属アルコキシドならびに溶媒を含む金属アルコキシド溶液を加熱、濃縮してなる。そして、金属アルコキシドに含まれる金属が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｎ、およびＢｉを含む。 （もっと読む）

【課題】セラミック誘電体を低温で焼結することができ、積層セラミックキャパシタの高温絶縁抵抗特性を向上させることのできる焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物を提供し、これを含む誘電体組成物、及びこれを利用した積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】本発明による焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物は、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、及び希土類酸化物を含むもので、セラミック誘電体を低温で焼結することができ、積層セラミックキャパシタの高温絶縁抵抗特性を向上させる。これにより、これを含む誘電体組成物及びこれを利用した積層セラミックキャパシタは、１１００℃以下の低温焼結が可能であり、高容量を有し、電気的特性及び高温絶縁抵抗（Ｈｏt ＩＲ）特性に優れて高信頼性が確保される。 （もっと読む）

【課題】軟化点が低く、誘電率が低く、基板との熱膨張係数のマッチングが良い上に、ガラス転移温度が高く、黄変も生じ難い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製することが可能な、ガラス組成物を提供する。
【解決手段】表示電極５が設けられた前面板１と、アドレス電極１０が設けられた背面板８と、電極５，１０を被覆する誘電体層６，１１と、隔壁１２と、が設けられている。誘電体層６，１１および隔壁１２から選ばれる少なくとも１つは、酸化物ガラスを含んでいる。この酸化物ガラスは本発明のガラス組成物であり、含まれる元素の内、酸素（Ｏ）を除く元素の比率が、５６原子％≦Ｂ≦７２原子％、０原子％≦Ｚｎ≦１８原子％、８原子％≦Ｒ＜１２原子％、０原子％≦Ｍ≦５原子％、０原子％≦Ｓｉ≦１５原子％、である。なお、ＲはＬｉ、ＮａおよびＫの合計量を示し、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの合計量を示す。 （もっと読む）

【課題】電子部品の接着や封止材料として、あるいは電子部品に形成された電極や抵抗体の保護や絶縁のための、被服材料としての低融点ガラスにおいて、高温時に結晶化しにくく安定な無鉛低融点ガラス組成物が求められている。
【解決手段】質量％でＶ_２Ｏ_５を４５〜８５、Ｐ_２Ｏ_５を８〜３０含むことを特徴とするＶ_２Ｏ_５−Ｐ_２Ｏ_５系無鉛低融点ガラスである。３０℃〜２００℃における熱膨張係数が（６０〜１００）×10^−７／℃、軟化点が２８０℃以上４００℃以下である特徴を有す。 （もっと読む）

乾燥ガラス系フリット、および乾燥ガラス系フリットを製造する方法が開示されている。ある実施の形態において、乾燥ガラス系フリットは、バナジウム、リンおよび金属ハロゲン化物を含む。ハロゲンは、例えば、フッ素または塩素であってよい。別の実施の形態において、乾燥ガラス系フリットを製造する方法は、そのフリットのバッチ材料をか焼し、次いで、バッチ材料を窒素雰囲気などの不活性雰囲気中で溶融する各工程を有してなる。さらに別の実施の形態において、乾燥ガラス系フリットを製造する方法は、フリットのバッチ材料をか焼し、次いで、バッチ材料を窒素雰囲気などの空気雰囲気中で溶融する各工程を有してなる。
（もっと読む）

【課題】電子材料や光学材料として有用なバルク状のガラス組成物を提供する。
【解決手段】下記の配合条件１又は２を満たす、成分（Ａ）〜（Ｃ）を含有する混合物を、１３００〜１８００℃で溶解する工程を含む、ガラス組成物の製造方法。
・配合条件１
（Ａ）Ｉｎ元素を含む化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で７０．０重量％以上９０．０重量％以下
（Ｂ）Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＴｅから選択される金属元素を含む、１又は２以上の化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で１．０重量％以上２５．０重量％以下
（Ｃ）Ｚｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される金属元素を含む、１又は２以上の化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で３０．０重量％以下
・配合条件２
（Ａ）Ｉｎ元素を含む化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で２５．０重量％以上７０．０重量％未満
（Ｂ）Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＴｅから選択される金属元素を含む、１又は２以上の化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で２０．０重量％以下
（Ｃ）Ｚｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される金属元素を含む、１又は２以上の化合物：混合物全体に占める量が、酸化物換算で２５．０重量％以上７０．０重量％以下 （もっと読む）

【課題】 絶縁層とフェライト層との間の接合強度をより向上させたガラスセラミック基板を提供する。
【解決手段】 ガラス相および第１結晶を含むガラスを有するガラスセラミックスからなる絶縁層１と、フェライト結晶を有するフェライト層２と、絶縁層１とフェライト層２との間に設けられた第２結晶を含むガラスを有する中間層３とが積層されており、第２結晶は、フェライト結晶および第１結晶と同一の結晶構造であるとともに、第２結晶とフェライト結晶との格子定数の差、および第２結晶と第１結晶との格子定数の差は、それぞれ前記第２結晶の格子定数の１０％以内であるガラスセラミック基板である。第１結晶と第２結晶との界面、および第２結晶とフェライト結晶との界面にボイドや隙間がないため、これらの間の接合強度の高いガラスセラミック基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ電極が形成されたガラス基板上に、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｒ_２Ｏ系ガラス粉末を誘電体材料として用いても、誘電体層が黄変し難く、ガラス粉末とセラミック粉末との反応を抑えて緻密な焼成膜を得ることができ、安定した耐電圧を有し、しかも、６００℃以下の温度で焼成することが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体材料及びそれを用いて形成されてなる誘電体層を提供することである。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｒ_２Ｏ（Ｒ_２ＯはＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏを表す）系ガラス粉末と無機顔料粉末とを含むプラズマディスプレイパネル用誘電体材料であって、該ガラス粉末が、実質的にＰｂＯ及びＢｉ_２Ｏ_３を含まず、モル百分率で、ＳｉＯ_２ ５〜２５％、Ｂ_２Ｏ_３ １０〜５０％、ＺｎＯ ３０〜６０％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜１％、Ｎａ_２Ｏ １〜１５％、Ｋ_２Ｏ １〜１５％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ２〜３０％、ＭｇＯ ０〜２％、ＣａＯ ０〜３％、ＳｒＯ ０〜２％、ＢａＯ ０〜３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜４％含有するガラスからなり、無機顔料粉末の含有量が０．００１〜９質量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ケイ素半導体デバイスおよび光起電力電池用導電性ペーストに有用なガラス組成物に関する。厚膜導体組成物は、１以上の電気機能性粉末と、有機媒体に分散された１以上のガラスフリットとを含む。厚膜組成物はまた１以上の添加剤を有していてもよい。例示の添加剤としては、金属、金属酸化物または焼成中、これらの金属酸化物を生成することのできる任意の化合物を挙げることができる。 （もっと読む）

【課題】２２０ＭＰａ以上の強度値、０．１％以下の低誘電損失と高品質係数を有し、誘電率が６〜１０、共振周波数の温度係数が−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃で可変性を持っている低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物を提供する
【解決手段】低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物は、ホウケイ酸塩系ガラスフリットと、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、コーディエライト、ムライト、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、ＺｒＳｉＯ₄、ＭｇＴｉＯ₃、ＭｇＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃及びＺｎ₂ＳｉＯ₄とからなる単一酸化物と複合酸化物の中から選択された少なくとも１種の充填材と、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃及びＢａＴｉＯ₃の中から選択された少なくとも１種のセラミックと、を含む。 （もっと読む）

金属またはセラミック基材上に形成された絶縁層は、ガラス成分の総重量を基準として０．１〜１０重量％のＢ₂Ｏ₃を含有する、ガラス成分を含む。本発明の絶縁層は、高温で焼成されたときでさえ、基材との界面上にほとんど欠陥を示さない。
（もっと読む）

【課題】環境上有害な物質を含まず、５００℃以上の高い耐熱温度を有し、しかもジュメット等の酸化され易い金属を封止可能な金属被覆用ガラス及び半導体封止材料を提供する。
【解決手段】歪点（Ｐｓ）が４８０℃以上、１０^４ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度（Ｔ（１０^４））が１１００℃以下、３０〜３８０℃における熱膨張係数（α_{３０―３８０}）が７０〜１１０×１０^―７／℃のガラスからなる。 （もっと読む）