本発明は、アモルファス状態の成形品である巻きリボンから得られて、原子組成［Ｆｅ_{１−ａ−ｂ}Ｃｏ_ａＮｉ_ｂ］_{１００−ｘ−ｙ−ｚ−α−β−γ}Ｃｕ_ｘＳｉ_ｙＢ_ｚＮｂ_αＭ’_βＭ”_γ（式中、Ｍ’は元素Ｖ、Ｃｒ、Ａｌ、およびＺｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍ”は元素Ｃ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｉｎ、およびＢｅのうちの少なくとも１つであり、ａ≦０．０７およびｂ≦０．１、０．５≦ｘ≦１．５および２≦α≦５、１０≦ｙ≦１６．９および５≦ｚ≦８、β≦２およびγ≦２である）を有するナノ結晶材料のストリップを作製する方法、および特にこれまで知られているよりもはるかに小さい巻き付け半径を伴った、先行技術のものよりも小型の磁気回路幾何学構造のために取り扱いおよび使用されることが可能なナノ結晶製品を提供することである。 （もっと読む）

【課題】 残留炭化チタン（TiC）相の発生を抑制して均質化による特性の向上を図るとともに、簡便な真空加熱合成により、チタンシリコンカーバイド（Ti₃SiC₂）粉末及びその製造方法を得る。
【解決手段】 炭化チタン（TiC）の含有量が１ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド（Ti₃SiC₂）からなる金属性セラミック粉末並びにチタン（Ti）、シリコン（Si）、炭化チタン（TiC）の混合粉末を真空加熱することを特徴とする金属性セラミック粉末の製造法及びチタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、カーボン（C）の混合粉末を真空加熱することを特徴とする金属性セラミック粉末の製造法。 （もっと読む）

【課題】 成膜試料がプラズマによるダメージを受けることなく、任意の基板に性状のよいクラスレート化合物からなる膜を簡便に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】 希少元素の含有量が少なく、軽量であり、かつ、多量の水素を相対的に低温で吸蔵／放出することが可能な水素吸蔵材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式： (Ｃａ_１−ｘＬｉ_ｘ)_１−ｚＳｉ_ｚ（但し、０．２５≦ｘ≦０．４、０．３８≦ｚ≦０．５８）で表される水素吸蔵材料。また、Ｃａ、Ｌｉ及びＳｉの比が、組成式： (Ｃａ_１−ｘＬｉ_ｘ)_１−ｚＳｉ_ｚ（但し、０．２５≦ｘ≦０．４、０．３８≦ｚ≦０．５８）となるように、ＣａＨ_２と、ＬｉＨと、Ｓｉとを配合し、配合物を機械的混合プロセスで複合化する複合工程と、該複合工程で得られた水素化物複合体を熱処理する熱処理工程とを備えた水素吸蔵材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】負極活物質、その製造方法及びそれを採用した負極とリチウム電池を提供する。
【解決手段】金属コア、及び金属コアの表面上に形成されたコーティング層を備え、コーティング層が伝導性の金属物質を含む負極活物質である。これにより、金属コアを被覆する炭素系コーティング層が伝導性の金属物質を含むことによって、優秀な電子伝導性及び弾性を有するので、容量改善と共に充放電時に炭素系及び金属コアの膨脹により発生するストレスを解消させ、金属が電解液に直接露出される確率を顕著に減少させることができる。また、このような負極活物質を含む負極電極及びリチウム電池は、放電容量及び初期の充放電効率などの充放電特性が優秀である。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性、機械的安定性、耐溶媒性などが良好で、高湿度においても低湿度においてもプロトン伝導性の優れたプロトン伝導性材料を１段階で操作性よく安価に製造することが可能なプロトン伝導性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３−メルカプトプロピルトリアルコキシシランと、過酸化水素のような酸化剤と、界面活性剤と、必要に応じてテトラエチルオルトシリケートおよび水酸化アンモニウムのような塩基を０〜８０℃で反応させることによって１段階で、下記一般式（１）： (HO₃S-CH₂-CH₂-CH₂-SiO_3/2)_n（HS-CH₂-CH₂-CH₂-SiO_3/2)_m（SiO_２)_z ‥（１）
（式中、ｎ＝０．３５〜０．５７、ｚ＝０．５７以下、ｎ＋ｍ＋ｚ＝１である。）で表されるプロトン伝導性材料を製造する。このプロトン伝導性材料は、燃料電池、キャパシター、電解セルなどの電気化学素子に応用される。 （もっと読む）

本発明は、ナノチューブ、特に、ナノチューブの調製のための工程及び装置に関する。特に、本発明は、炭素以外の材料から作られるナノチューブ、又は、炭素を含有するが、低い炭素の含有量のため、通常はカーボンナノチューブに分類されないであろうナノチューブに関する。本発明のナノチューブは、イオン導電体／バッテリーの部品、水素の貯蔵、ナノワイヤーを鋳造すること、電気的デバイス、触媒作用及び合成、フラットスクリーンの技術、並びに機械的用途のような、多くの用途を有する。 （もっと読む）

【課題】 優れた熱電変換特性を有するクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子の提供。
【解決手段】 下記組成式（１）乃至（３）で表されるクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子。
Ｂａ₈Ｍ_xＳｉ_46-x （１≦ｘ≦６） （１）
（組成式（１）において、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。）
Ａ_yＢａ_8-yＭ_xＳｉ_46-x （１≦ｘ≦６、１≦ｙ＜８） （２）
（組成式（２）において、Ａは希土類元素を表し、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。）
Ａ_yＢａ_8-yＭ_zＧｅ_46-z （１≦ｙ＜８、１≦ｚ≦６） （３）
（組成式（３）において、Ａは希土類元素を表し、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。） （もっと読む）

【課題】 ニオビウムまたはその合金の表面に被覆して、高温における等温耐酸化性及び反復耐酸化性を向上させ、被覆層の高温機械的性質を改善し得る新しいナノ複合被覆層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。前記ナノ複合被覆層は、等軸晶のＮｂＳｉ₂結晶粒界にＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子が分布された微細組織を有し、ナノ複合被覆層内に存在するＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子の体積分率の調整によって、母材の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有するＮｂＳｉ₂系ナノ複合被覆層が形成される。 （もっと読む）

【課題】 従来のバリスタ材料は、酸化金属などの焼結体であり基本的に素子の膜厚が厚く小型化し難いものであり、またその材料の種類は限られていた。
【解決手段】 ２価を取り得る元素（X）―シリコン（Si）非晶質母体中に多数のXSi₂結晶粒を均一に析出させるのに十分であり、前記析出させたXSi₂結晶粒のそれぞれの少なくとも一部をパーコレーションさせるのに十分であり、かつ、シリコン（Si）結晶の析出が起こる一歩手前である熱処理を施すことによって、熱電能および／またはパワーファクターを増加させたことを特徴とするナノクリスタル構造体を提供する。 （もっと読む）

本発明は、アルカリ金属とケイ素とを混合する工程および、生じる混合物を温度約４７５℃以下に加熱する工程を包含する、アルカリ金属シリサイド組成物の製造方法、およびこの方法による組成物に関する。生じる組成物はドライＯ_２と反応しない。更に、本発明は約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折図形および約１８ ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有するナトリウムシリサイド組成物にも関する。更に、本発明は制御された方法で揮発性または引火性物質を除去する方法にも関する。更に、本発明によるアルカリ金属シリサイド組成物は水と反応して水素ガスを発生させる。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）