【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄板を提供し、該鉄板を前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記鉄板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

本発明は鉄冶金の分野に関し、より詳細には鋼を還元、ドープ、改良するための合金の製造に関する。本発明によれば、非金属介在物を高度に還元及び改良すると同時に、バリウム、チタン、及びバナジウムによって鋼をマイクロアロイングすることにより、本願発明の合金によって処理した鋼の品質を改善することができる。本発明によれば、アルミニウム、ケイ素、カルシウム、炭素、及び鉄を含む合金に、以下の構成元素比でバリウム、チタン、及びバナジウムを添加する（単位：質量％）：ケイ素４５．０〜６３．０、アルミニウム１０．０〜２５．０、カルシウム１．０〜１０．０、バリウム１．０〜１０．０、バナジウム０．３〜５．０、チタン１．０〜１０．０、炭素０．１〜１．０、残部鉄。 （もっと読む）

【課題】 無毒で伝導性に優れたｎ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること
【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。これは、Ｘを構成する元素であるＳｉ及びまたはＧｅに予めＰを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をＰを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で粉末およびバルク体の金属ケイ素化物を製造することができる金属ケイ素化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Ｎａの融液または蒸気を付加した状態で、金属とＳｉとを加熱する。金属およびＳｉは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にＳｉの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびＳｉのバルク体または粉体を同一Ｎａ融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｏから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−ＦｅＳｉ_２、Ｍｇ_２Ｓｉ、ＣｒＳｉ_２またはＭｏＳｉ_２である。更に、加熱温度は、５００℃以上、１２００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】自己組織成長のメカニズムを援用し、蒸着や超高真空を用いずに実現できる、工業的に簡便で実用性の高い発光素子とその製造方法、並びにＥｒＳｉ_２ナノワイヤーとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板を洗浄する工程（Ｓ１）と、Ｓｉ基板にエルビウム溶液を付着させる工程（Ｓ２）と、エルビウム溶液が付着したＳｉ基板を真空下で熱処理する工程（Ｓ３，Ｓ４）とを有し、Ｓｉ基板上にエルビウム化合物による発光層を形成することを特徴とする。また、Ｓｉ基板を洗浄する工程（Ｓ１）と、Ｓｉ基板にエルビウム溶液を付着させる工程（Ｓ２）と、エルビウム溶液が付着したＳｉ基板を真空下で熱処理する工程（Ｓ３，Ｓ４）とを有し、Ｓｉ基板上にＥｒＳｉ_２結晶によるナノワイヤーを形成する。 （もっと読む）

【課題】高いイオン伝導度を有する硫化物系固体電解質粉体及びそれを用いた硫化物系固体電解質成形体、並びに全固体リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】イオウ元素、リチウム元素、及びホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、リン及びアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含み、平均粒径が０．０１〜１０μｍである硫化物系電解質粉体であって、好ましくは硫化リチウムとＰ２Ｓ５を用いて得られるものである。また加圧成形体は、固体電解質成形体中の各一次粒子は融着しており、かつ、その固体電解質成形体の算出密度は１．４５〜２．００ｇ/ｃｍ３となる。 （もっと読む）

【課題】熱電素子として熱的に安定し、熱電変換効率も高いＭｇ_２Ｓｉ（マグネシウムシリサイド）を短い加熱時間で容易に製造する。
【解決手段】Ｓｉウエハ１に、傾斜面あるいは円弧面が残るようにして該Ｓｉウエハ１を貫通する隣接したエッチング２をウエハ表面から形成した後、該隣接するエッチング２間にドーパント膜３を成膜し、さらにその上からＭｇ膜４を成膜した後、Ｍｇ_２Ｓｉの融点以下の温度で熱処理するようにしてＭｇ_２Ｓｉのｎ型またはｐ型の熱電素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生体に安全で環境負荷が少なく、資源的にも豊富な元素から構成されるシリサイド半導体としてのβ鉄シリサイドを製造する方法を提供する。
【解決手段】還元対象酸化物としての鉄酸化物，シリコン酸化物を主成分とする酸化物原料に鉄シリサイドのβ化促進剤として微量の銅もしくは銅酸化物を混合した後、加熱して溶融状態なった時点で還元剤としてシリコンを投入し、直接溶融還元することによりβ鉄シリサイドを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱伝導率に加えて熱拡散性をも高めた、更に熱伝導効率の高い無機複合体を安価に提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高熱拡散・高熱伝導の無機複合体は、非金属の母体を略真空中または不活性ガス雰囲気中で加熱して溶融させ、該溶融した非金属の母体に銅と炭素同素体とを添加し、冷却して形成する。本発明によると、熱拡散性が高く、従来知られている鉱石よりも更に熱伝導効率の高い無機複合体を安価に提供することができる。また、拡散層の材料を選択することにより、装飾性が高い高熱伝導効率の無機複合体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電気的性質を有する粒界を有し(品質が単結晶なみ)、かつ強度が、従来の多結晶よりも強い多結晶材料の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成するバルク多結晶材料の製造方法で、バルク多結晶材料が、シリコンまたはシリコンゲルマニウム多結晶であるバルク多結晶材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リチウムイオン電池の珪素・炭素複合陰極材料及びその製造方法を提供し、電池の比容量を高めることである。本発明の材料は、球形または球形近似の珪素形粒子、炭素形粒子の複合材料の基本体とし、その外側に被覆層を被覆する。
【手段】珪素形粒子を破砕し、それを炭素形粒子と混合して複合粒子を製造してから、有機物の熱分解グラファイトの前駆物と混合被覆し、炭化処理をしてから、破砕する。従来の技術に比べて、本発明の複合陰極材料は、珪素形粒子と炭素形粒子からなる複合材料の基本体とし、その外側に被覆層を有する構造をもっており、その可逆的容量は450mAh/gより大きく、第一回のサイクルクーロン効率は85%より大きく、200回のサイクル容量の保持率は80%より大きい。本発明は、リチウムの挿入・脱離時に生じた炭素を含む活性物質の体積効果を著しく減軽し、活性材料におけるリチウムの拡散行為を改善して、各種類の携帯式器具、電動工具などに使われている電池陰極材料に適している。

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【課題】 放電容量と充放電サイクル寿命の双方に優れる非水電解質電池を実現することが可能な非水電解質電池用負極材料を提供しようとするものである。
【解決手段】 下記一般式で表される組成を有するとともにＲ，Ｍ，Ｓｉを必須元素とする金属間化合物を主相とすることを特徴とする非水電解質電池用負極材料。
一般式：ＲＭ_ｘＳｉ_ｙＴ_ｚＺ_αＸ_β
Ｒ：Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種、Ｍ：Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種、Ｔ：Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種、Ｚ：Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ及びＩｎよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素から選ばれる少なくとも１種、Ｘ：Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｐから選ばれる少なくとも１種、０．８≦ｘ≦１．１、２．７≦ｙ≦３．２、０≦ｚ≦０．５、０．８≦ｘ＋ｚ≦１．２、０≦α≦０．５、２．７≦α＋ｙ≦３．３、０≦β≦１（原子比）。 （もっと読む）

【課題】エネルギー密度が高いアルカリ金属ケイ化物を含む燃料を備えている燃料電池を提供する。
【解決手段】燃料電池１４はカソード１６と、アルカリ金属ケイ化物を含んでいる燃料１２に接触しているアノード１８と、前記カソードと前記アノードの両方に接触しながら両者を分離している電解質膜と、を備えている。前記アルカリ金属ケイ化物は、シリコンと、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、及びフランシウムから成る群より選択される１つ又はそれ以上のアルカリ金属と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体等の情報通信用デバイス材料等として有用で、多様な組成および形態が簡便に実現できる新しいシリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法は、一般式Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（式中、０＜ｘ＜１）で示す組成を有する合金を浮遊帯域溶融法により溶解させることからなり、その溶融温度を調整することで、前記球状部とナノワイヤー部との前記式中のｘの相違具合を制御する構成である。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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【課題】 本発明は、室温近傍の冷蔵庫や冷凍庫などの家電だけでなく、ガス液化産業や
、超伝導デバイスなどを支える冷凍技術に関し磁気冷凍作業物質ならびに磁気冷却方法を
提供する。
【解決手段】 本発明では、磁気冷凍作業物質であるNaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙにおいて、LaのＰｒ部分置換を行い、その組成をNaZn₁₃型La_1-zPr_z(Fe_xSi_1-x)₁₃およびその水素吸収La_1-zPr_z (Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙであることを特徴とする磁気冷凍作業物質で、また、前記磁気冷凍作業物質NaZn₁₃型La(Fe_xSi_1-x)₁₃もしくわその水素吸収La(Fe_xSi_1-x)₁₃Ｈ_ｙを1種類あるいはその組成を変えたものを複数用いて冷却制御を行う磁気冷凍方法である。 （もっと読む）

【課題】 軽量であって、室温付近で水素を吸蔵・放出することができる水素吸蔵合金およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水素吸蔵合金は、Ｃａ（Ｓｉ_1-n Ａｌ_n ）で表され、ｎの範囲が０＜ｎ＜０．４である。ｎの範囲は０．２５≦ｎ＜０．４であるのが好ましい。
また、本発明の水素吸蔵合金の製造方法は、ＣａＳｉ合金のＳｉ原子の少なくとも一部をＡｌ原子で置換した水素吸蔵合金の製造方法であって、Ｃａ、ＳｉおよびＡｌの原子比が１：（１−ｍ）：ｍ（０＜ｍ＜０．４）となるように調製した原料粉末を加圧して成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を加熱して原料粉末を溶融する加熱工程と、からなることを特徴とする。ｍの値を０．４未満とすることにより、水素を吸蔵・放出しない相の生成が抑制される。 （もっと読む）