説明

Fターム[4G072AA20]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 主題 (3,842) | 珪化物 (96)

Fターム[4G072AA20]の下位に属するFターム

Fターム[4G072AA20]に分類される特許

21 - 40 / 73


【課題】金属とリチウムとの合金化・脱合金化反応を利用したリチウムイオン二次電池用負極材に好適な、高容量で、充放電サイクル性に優れる複合粒子、その製造方法、それを用いたリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池を提供すること。
【解決手段】複合粒子を、リチウムを電気化学的に吸蔵・放出できる金属Aと、前記金属Aよりも導電性が高く、且つ前記金属Aよりもリチウムの吸蔵・放出能力が低い金属Bと、を含有して構成し、粉体電気抵抗が圧力50MPaにおいて1×E1Ω・cm以上1×E8Ω・cm以下とする。 (もっと読む)


【課題】熱電特性に優れた、特に高温領域において熱電特性に優れたMgSnSi系熱電変換材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】マグネシウム、錫及び珪素からなる金属間化合物Mg Sn1−y Si の焼結体からなり、焼結体組成において2.02<x≦2.10であることを特徴とする熱電変換材料、及び、原料の秤量工程、秤量した原料を溶解し、溶製材を得る工程、溶製材を粉砕し、分級して焼結原料を得る工程、焼結原料を焼結して焼結体を得る工程を含む、マグネシウム、錫及び珪素からなる熱電変換材料の製造方法であって、上記原料の秤量工程において、マグネシウムを、金属間化合物Mg Sn1−y Si の焼結体組成において2.02<x≦2.10となるように秤量することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するSiクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物ASi46−b−c(元素Aは、Ba、Sr
から選択した1成分以上の元素、元素Mは、Cu、Ag、Auから選択した1成分以上の
元素、元素Qは、Al、Ga、Inから選択した1成分以上の元素)を用いた熱電変換材
料であって、D=−2a+3b+cで定義されるD値が−3以上である。好ましくは、a
が7.7以上8.0以下、かつbが3.4以上3.9以下、かつcが2.2以上3.6以
下である。また、焼結密度が理論密度の95%を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が85%以上であることがより好ましい。 (もっと読む)


【課題】p型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを50原子数%を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 (もっと読む)


【課題】MnSi相の含有量が少ないMnSix粉末及びその製造方法、並びに、MnSix粉末製造用CaSiy粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】MnSi2-z相を主成分とし、MnSi相の含有量が7%以下、Si/Mn比(x)が1.5≦x<2.0、一次粒子のアスペクト比が5以下、比表面積が2.5m2/g以上であるMnSix粉末。CaSi2相を主成分とし、CaSi相の含有量が10%以下、Si/Ca比(y)が1.5≦y≦2.0であるMnSix粉末製造用CaSiy粉末。Ca源とSi源とを、Si/Ca比(モル比)が1.5〜2.0となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるMnSix粉末製造用CaSiy粉末の製造方法。MnSix粉末製造用CaSiy粉末と塩化Mnとを、Mn/Ca比(モル比)が1以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するMnSix粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高純度のマグネシウムシリサイドを高効率に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマグネシウムシリサイドの製造方法は、Siを主成分とする処理対象物を準備する工程(S10)と、上記処理対象物が加熱された状態で、上記処理対象物にMg蒸気を接触させる工程(S20)とを備える。Mg蒸気を接触させる工程(S10)を行なう際の、処理対象物の加熱温度が500℃以上1500℃以下であることが好ましい。Mg蒸気を接触させる工程において、Ar、Heからなる群から選択される少なくとも1種以上のガスを含む雰囲気中に処理対象物を載置することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】放電サイクル特性、高率放電特性および高温での連続充電特性に優れた有機電解液電池を提供することを目的とする。
【解決手段】PまたはSbの少なくとも一種をドープしたN型半導体のSiと、BをドープしたP型半導体のSiとを混合したSiと、Siと合金可能な金属と、を混合しメカニカルアロイング法により得られたSiの非晶質相とSiの結晶質合金相とを活物質とした非水電解液二次電池用負極とリチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極とをセパレータを介して対向配置した発電要素を非水電解液とともに外装体内に封入してなる非水電解液二次電池を提供する。 (もっと読む)


【課題】比較的高炭素のシリコクロムから炭素を除去することによって低炭素のシリコクロムを得ることができるシリコクロムの脱炭素方法を提供する。
【解決手段】シリコクロム及びスラグを電気炉に入れ、シリコクロム及びスラグを電気炉で溶解する(S21)ことによって、シリコクロム中の炭化珪素を比重差により浮上させるとともにスラグ中に懸濁させ、その後、シリコクロムからスラグを分離する(S23,S24)ことによって、シリコクロムから炭化珪素を分離する。 (もっと読む)


【課題】繊維状多結晶Siを製造する方法、及び、当該方法により製造される繊維状多結晶Siを提供する。
【解決手段】Siとアルカリ金属を主成分として含む混合融液より糸状物を紡糸する行程と、当該紡糸された糸状物からアルカリ金属を蒸発させて除去する行程を有する繊維状多結晶Siの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板101上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板101の温度を400℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板101の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板101の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 (もっと読む)


【課題】 Zrに代わるアモルファス化促進元素としのTiを用いることにより、原料費が安価で、かつリチウム二次電池におけるサイクル特性に優れ、しかもアモルファス性に優れたSi合金を提供する
【解決手段】 原子%で、Al:15〜40%、Ti:1〜20%を含み、残部Siおよび不可避的不純物よりなることを特徴とするリチウム二次電池負極物質用Si合金。また上記に加えて、Ta,Wの1種または2種を合計で3%以下含有させたこと。また、上記に加えて、Fe,Ni,Crの1種または2種以上を合計で30%以下含有させたこと。さらに、上記に加えて、Zrを10%以下含有させた、リチウム二次電池負極物質用Si合金。 (もっと読む)


鋳造可能なケイ素ベース組成物は、ケイ素に比べて高められた靱性および関連特性を有する。ケイ素ベース組成物は、立方晶系ケイ素相と塑性流動または境界面との亀裂相互作用に関連したメカニズムによって靱性を与える可能性がある追加の相とを含む構造中に、50重量%より大きい濃度でのケイ素と1つ以上の追加元素とを含む。
(もっと読む)


【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Aと元素Dとを含み、前記元素AがSi、Sn、Al、Pb、Sb、Bi、Ge、InおよびZnからなる群より選ばれた1種の元素であり、前記元素DがFe、Co、Ni、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ba、ランタノイド元素(CeおよびPmを除く)、Hf、Ta、W、Re、OsおよびIrからなる群より選ばれた1種の元素であり、前記元素Aの単体または固溶体である、球形状の第1の相と、前記元素Aと前記元素Dとの化合物である第2の相を有し、前記第2の相の一部または全部が、前記第1の相に覆われていることを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 (もっと読む)


【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Mgの含有量が原子量比で66.17〜66.77at%であり、Siの含有量が原子量比で33.23〜33.83at%である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Mgの含有量とSiの含有量との比が原子量比で66.17:33.83〜66.77:33.23であり、ドーパントの含有量が原子量比で0.10〜2.0at%である組成原料により製造される。 (もっと読む)


【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム0.1〜50mol%及びシリコン99.9〜50mol%からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する0.5m〜4mの長さ及び25mm〜220mmの直径のインゴット。 (もっと読む)


【課題】珪化鉄粉末に含まれるガス成分である酸素が少なく粉砕が容易であり、したがって粉砕が不良である場合に伴う不純物の混入が少なく、また珪化鉄粉末の比表面積が大きく、焼結する際に密度を上げることが可能である珪化鉄粉末を提供する。
【解決手段】酸化鉄を水素で還元して鉄粉末を作製し、この鉄粉末とSi粉末を非酸化性雰囲気中で加熱して主にFeSiからなる合成粉末を作製し、さらに再度Si粉末を添加混合し非酸化性雰囲気で加熱して主にFeSiからなる珪化鉄粉末を製造する。 (もっと読む)


【課題】シリコン電極素材の商用化における最大の問題である充放電中に発生する電極素材の大きな体積変化を制御し、さらに、シリコンの低い電気伝導度の性質を向上させた電極素材(すなわち、電極活物質)の製造方法、並びにこれを利用した二次電池用負極及び二次電池を提供する。
【解決手段】シリコンと金属との複合粒子の表面上にカーボンナノチューブが被覆されていることを特徴とするカーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子を製造し、集電体とカーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子を含む負極活物質とを含む二次電極用負極を用いて二次電池を製造する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも1種の半導体帯域を含み、方法は、
a)支持体上への、1種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも1種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびSiに基づく少なくとも1種の第1の半導体帯域を現わし、
b)Siに基づく前記第1の半導体帯域上のSi1−xGe(式中0<x)に基づく少なくとも1種の第2の半導体帯域の形成、
c)前記マスキング層を通じた前記第1の半導体帯域および第2の半導体帯域の熱酸化を具える。 (もっと読む)


【課題】溶液中、特に非極性溶媒中でケイ素系材料で作製されたナノワイヤの安定なディスパーションを得ることのできるナノワイヤおよび該ナノワイヤを溶媒中に分散させる方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1個の金突起部をその表面上に含むケイ素系材料で作製されたナノワイヤを、溶媒中に分散させる方法を提供し、該方法は、各ナノワイヤの少なくとも1個の金突起部に、X−S−Rの有機硫黄誘導体をグラフトするステップを含む(式中、Xは水素またはチオール保護基であり、Rは少なくとも1個のヘテロ原子を含有する可能性のあるCからC40炭化水素基である)。 (もっと読む)


【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を600℃〜1200℃程度に加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


21 - 40 / 73