【課題】低温で且つ迅速にＳｉＯ_２系セラミックス膜を形成する方法により、効率良くガスバリアフィルムを得て、最終的に得られるセラミックス膜のガスバリア性、耐傷性等の膜特性を向上したガスバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、ヒドリドシランとして実質的に少なくとも１種のシリコン原子最大２０個を有する非環状ヒドリドシランを包含する組成物を、触媒の不在下で２３５℃より小さい温度で熱により反応させる、ヒドリドシランをオリゴマー化する方法、前記方法に従って製造可能なオリゴマー及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】二硫化ケイ素を低エネルギー消費で製造する。
【解決手段】本発明の硫黄変性ケイ素化合物の製造方法は、光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物に、光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って前記環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる。この硫黄変性ケイ素化合物に不活性雰囲気で第２の加熱処理を行って硫黄変性ケイ素化合物を分解するともに、この硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子および硫黄原子を結合させる。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液の作製方法は、混合液作製工程と絶縁膜形成前駆体作製工程と塗布液作製工程とを備えている。混合液作製工程では、炭素数２〜６個のアルコキシル基を有するアルコキシシラン化合物と第１の溶媒との混合液を作製する。絶縁膜形成前駆体作製工程では、この混合液に加水分解触媒及び水を添加し、加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製する。水の添加量は、アルコキシシラン化合物中の全アルコキシル基１モルに対して０．３〜０．８倍モルの範囲とする。塗布液作製工程では、作製された絶縁膜形成前駆体に第２の溶媒を加え、素子分離材料用塗布液を作製する。 （もっと読む）

本発明は、その場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で形成され、製造プロセスの最後に熱酸化により除去される一時的な有機固体骨格支持体を用いた、ゲルの亜臨界乾燥によるゾル−ゲルプロセスによる多孔質ＳｉＯ_２キセロゲルの製造に関する。
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本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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本発明は、式Ｓｉ_nＨ_2n+2の化合物またはこの化合物の混合物（ここでｎは１以上３以下の整数である）の製造方法であって、ａ）粉末状の式Ｍ¹_xＭ²_yＳｉ_zの少なくとも１種の珪化物または珪素合金（ここでＭ¹は還元性金属であり、Ｍ²はアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｘ、ｙおよびｚは０から１まで変化し、ｚは０とは異なり、和ｘ＋ｙは０とは異なる）を、エーテル非プロトン性溶媒中に予め溶解させた塩化水素酸と反応させる工程を含む方法に関する。 （もっと読む）

本発明の主題は、一般式（１） Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄ （１）のネオペンタシランの製造方法において、一般式（２） Ｒ₃Ｓｉ−（ＳｉＲ₂−）_xＳｉＲ₃ （２）［式中、Ｒは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｘは、負ではない５までの整数を表す］のケイ素化合物を、触媒活性化合物（Ｋ）の存在で反応させ、この場合に形成されるテトラハロゲンシランの分離を、遊離される前記テトラハロゲンシランよりも高い沸点を有する室温で液状の化合物（Ｌ）の存在での蒸留により行う、ネオペンタシランの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高圧条件といった過酷な反応条件を必要とすることなく、温和な条件下で高速液体クロマトグラフィー用シリカゲルとして求められる粒径が１．５μｍ以上の球状シリカゲルの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水より極性の低い有機溶媒と水との混合溶媒中で、アルコキシシラン化合物及び／又はその誘導体を、特定の（数平均）分子量を有する有機成分を特定量有する反応系において、加水分解し、得られた反応混合物にマイクロ波を照射することにより、粒径が１．５μｍ以上の球状シリカゲルが得られることを見出した。 （もっと読む）

【課題】可燃性溶媒を用いることなく、基板上に無機膜を安全かつ低時間、超低電力で製膜できる、工業的に極めて有利な無機膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】泳動電着法により基板表面に無機膜を製膜する方法において、電着浴の溶媒としてハイドロフルオロエーテルを用いた無機膜を製膜する。
ハイドロフルオロエーテルとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で示されるフルオロエーテルを用いる。
R¹−O−R² （Ｉ）
（R¹およびR²は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のフルオロアルキル基であり、かつR¹およびR²の少なくとも一方は炭素数１〜６のフルオロアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】所定の粒度分布まで粉砕された、金属シリコンから出発する多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンと無水フッ化水素(ＨＦ)とを反応させて、四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を得ること、および四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を有機溶媒または溶融塩の流体媒体におけるアルカリ金属水素化物またはアルカリ土類金属水素化物で水素添加する反応によってモノシラン(ＳｉＨ４)の合成を作動させることを含む。次に、前記モノシラン(ＳｉＨ４)の沸騰疑似流動床反応器において熱分解を行って、高純度粒状多結晶シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】コア粒子の表面にシリカ系被覆層を形成する段階において、コア・シェル粒子同士の凝集を防ぐことができるシリカ系中空粒子分散体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題は、重合体粒子およびアニオン系界面活性剤を含有する水系の分散媒中で、下記一般式（１）で表される少なくとも１種の化合物を加水分解縮合させることにより、シリカ系被覆層を有するコア・シェル粒子を形成する工程、および前記工程により得られたコア・シェル粒子を加熱することにより重合体粒子を分解する工程を含むことを特徴とする。
Ｒ^１_ｄＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｄ …（１）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は独立して１価の有機基を表し、ｄは０〜３の整数を表す。）
シリカ系中空粒子の製造方法により達成される。 （もっと読む）

本発明の目的はナノスケールの二酸化ケイ素の製造方法であり、前記方法は以下の工程を含む：ａ）平均粒子寸法が１〜５００ｎｍであるコロイド状二酸化ケイ素の水性懸濁液を供給する工程；ｂ）それを、非プロトン性環状エーテル中の有機シランまたは有機シロキサンと反応させて、コロイド状二酸化ケイ素をシラン化する工程；ｃ）反応混合物の水相を有機相から分離する工程；ｄ）有機相を、非プロトン性環状エーテル中の有機シランまたは有機シロキサンと再び反応させて、コロイド状二酸化ケイ素をシラン化する工程；ｅ）反応混合物の水相を有機相から分離する工程。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎで表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒、及び（ｃ）成分：オニウム塩を含み、（ａ）成分では、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ、Ｆ、Ｂ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、及びＣから成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．５０モル以下であり、１５０℃で３分間加熱したときに得られる被膜の応力が１０ＭＰａ以上であり、且つ、最終硬化により得られる被膜の比誘電率が３．０未満となる硬化特性を有する。 （もっと読む）

Ａ_３Ｓｉ−Ｒ^１−ＳｉＢ_３
［式中、Ａ、Ｂ、およびＲ^１は本明細書に規定された通りである］の不斉ビスシラン化合物、ならびにこのビスシラン化合物を製造するための方法および金属酸化物粒子の層またはフィルムを形成するためのそれらの使用に関し、その層またはフィルムは、適した基材に付着する。この材料および方法を使用して、例えば、光活性デバイスを製造することができる。 （もっと読む）

少なくとも９３％（ｗ／ｗ）のネオペンタシランを含む組成物、及びテトラキス（トリハロシリル）シランを水素化ジイソブチルアルミニウムで処理することを含む、ネオペンタシランを含む組成物を製造する方法。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子、とくに、粒子相関分光法（ＰＣＳ）または透過型電子顕微鏡により決定される３〜５０ｎｍの範囲の平均粒子サイズを有し、有機溶媒中に分散した表面修飾ナノ粒子であって、該ナノ粒子の１つまたは２つ以上の前駆体をＭ_３−ｘ［Ｏ_３−ｘＳｉＲ_１＋ｘ］（式中ｘは０、１または２から選択される整数を表わし、ＭはＨ、Ｌｉ、ＮａまたはＫを表わし、そして全てのＲは、それぞれ互いに独立して、分枝または非分枝、飽和または不飽和の１〜２８のＣ原子を有する炭化水素ラジカルを表わし、そこにおいて、１つまたは２つ以上のＣ原子はＯによって置換されていてもよい）で表わされる化合物と有機溶媒中で反応させ、該ナノ粒子を得ることを特徴とする、前記ナノ粒子に関し、およびポリマー中のＵＶ防護のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 孔径の分散が小さい多孔質体およびその製造方法の提供を目的とする。また、同一組成の溶液を用いても、膜と粉体の両方の形状で多孔質体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】 メソ孔を有する多孔質体であって、Barrett-Joyner-Halenda法を用いて求められる孔径に対する孔の個数分布で、孔径範囲２ｎｍ〜１０ｎｍにある孔数が全孔数の９０％以上を占め、前記孔の個数分布の標準偏差が、孔の個数分布のピークとなる孔径に対して、１０％以下であることを特徴とする多孔質体である。
また、シリコンアルコキシドと触媒とを含む前駆体溶液と、非イオン性界面活性剤溶液とを含んでなる形成溶液を、基材に塗布した後焼成する多孔質体の製造方法において、前記非イオン性界面活性剤として特定のトリブロックコポリマーを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式１を有する３〜２０質量％のシルセスキオキサンオリゴマー、３〜２０質量％の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。
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