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Fターム[4G072NN21]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 結晶、薄膜系操作 (908) | 溶液からの薄膜形成 (105)

Fターム[4G072NN21]に分類される特許

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【課題】微粒子の集積体であって別異の粒子格子構造をとるもの、およびサブミクロンのレベルで簡便に物質・材料の構造を制御でき、別異の粒子格子構造の集積体を形成できる、微粒子の新規な配列・集積方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、正方格子構造を形成して整列したサブミクロンの微粒子の集積体およびこれを作製する方法に関し、当該方法は、サブミクロンの微粒子を分散媒中に分散させて成る微粒子の分散液を、対向する一対の電極板で挟み、当該電極板間に電圧を印加することにより得られる電気泳動現象により、前記分散液中の微粒子を配列・集積させるに際し、前記分散液のpHを所定の値に維持することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】一定のサイズの微小球体を形成することにより、安定した性能を発揮させることのできる多孔質膜形成装置及び多孔質膜形成方法を提供する。
【解決手段】液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を含む微小球体原料11を微粒子化して液状微粒子15とする。そして、前記液状微粒子15を加熱して前記液体有機化合物または前記液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却して微小球体15bを形成する。これを半導体ウエハ18に付着させて、微小球体15bからなる多孔質膜17を形成する。 (もっと読む)


【課題】 トレンチ、ホールを埋め込むための多孔質シリカ材料がエッチングなどのプロセス過程で受けるダメージを減じるようにするトレンチ内部の埋め込み方法の提供。
【解決手段】 50〜5000nmの大きさの開口部を有するトレンチ、ホールからなる構造物を設けてある半導体基板に対して、その構造物の内部に配線を形成した後、疎水性多孔質シリカ材料の前駆体を含有する所定の粘度の溶液を基板上に塗布し、加水分解し、焼成して、配線の形成された構造物内部を疎水性多孔質シリカ材料で埋め込む。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブを細孔内に有するメソ構造体の管状細孔の方向性を、基板表面の異方性に基づく配向規制力を用いて、マクロスコピックなスケールで制御されている構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された、均一な径の管状の細孔が一軸方向に配列した構造を有するメソ構造体膜と、前記メソ構造体膜の細孔内にカーボンナノチューブを有する構造体において、前記カーボンナノチューブが一軸配向を有していることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】任意の厚さを有し、表面の平滑なシリコン含有多孔質板であって、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されており、伝送損失の小さな多孔質基板を提供すること。
【解決手段】1対の平板によって構成される間隙内で、ゾル−ゲル反応により3次元網目状の骨格相(固体相)と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶液を乾燥除去する工程、および前記1対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を含み、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されている多孔質基板を得る。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率で機械的強度の高い絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも2つ以上のアセチレン基を持つ下記一般式(3)で表される化合物(A)と、少なくとも2つ以上のヒドロシリル基をもつポリシロキサン(B)とをヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とするポリマー。
【化1】


一般式(3)中、
は、炭素原子10個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基を表す。
は各々独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはシリル基を表す。
rは2〜20の整数を表す。 (もっと読む)


本発明は、基板における構造表面の製造方法であって、基板が、振動する状態にしたゾルに導入、特には浸漬されるか、または振動を設定されている基板が、随意に振動する状態にした、ゾルに導入、特には浸漬する、前記方法に関する。本発明は同様に、このように構造化された基板および光学的応用におけるこれらの使用に関する。 (もっと読む)


【課 題】 平滑性の低い多孔質支持体上に、メソポーラス酸化物薄膜が均一に製膜されており、かつ前記多孔質支持体の内部に前記薄膜を構成する酸化物が実質的に存在しないメソポーラス複合体の提供。
【解決手段】(1)多孔質支持体に流動パラフィンを含浸させ、(2)前記(1)で得た流動パラフィン含浸多孔質支持体の表面に、界面活性剤および酸化物源からなるゲル薄膜を形成させることにより多層構造体とし、ついで(3)該多層構造体を焼成することにより流動パラフィンと界面活性剤とを除去して、多孔質支持体上にメソポーラス酸化物薄膜が積層されてなるメソポーラス複合体を製造する。 (もっと読む)


【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式1を有する3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。
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【課題】極めて薄い金属酸化物薄膜を、厚み精度良く、且つ確実に形成し得る金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】水酸基を有する固体表面に、該固体の水酸基と縮合反応し且つ加水分解により水酸基を生成し得る基を有する金属化合物、例えば、金属アルコキシド類等を接触させることにより該金属化合物を化学吸着させ、次いで、過剰の金属化合物を洗浄等の手段により除去した後、上記固体表面に存在する金属化合物を加水分解する。 (もっと読む)


【課題】 透明基板の表面上に設けた際に十分反射を防止でき、しかも水分の吸収を十分に抑制できるシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するシリカ系被膜は、透明基板上に形成するためのシリカ系被膜であって、その屈折率が1.41以下であり、その被膜中の空孔の平均ポアサイズが100nm以下であるものである。 (もっと読む)


【課題】透明基板の表面上に設けた際に十分反射を防止できるシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】シリカ系被膜は、シリカ系被膜形成用組成物を透明基板の表面上に塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜に含まれる溶媒を除去して乾燥膜を得る工程と、乾燥膜を焼成する工程を有する。その屈折率が1.41以下である。具体的には、まずシリコンウェハー上に、シリカ系被膜を形成するためのシリカ系被膜形成用組成物をスピンコートで塗布する。そして組成物の溶媒を除去し、窒素雰囲気下で硬化することによりシリコンウェハー上に被膜を形成する。 (もっと読む)


水素シルセスキオキサン(HSQ)を還元的熱硬化条件下で処理することによりナノ結晶Si/SiO複合材料を調製する方法が記載されている。また、ナノ結晶Si/SiO複合材料を酸エッチングすることによりケイ素ナノ粒子を調製する方法も記載されている。
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【課題】ポリシラザン由来の酸化ケイ素被膜の有する高い機械的耐久性を維持したまま、上記の欠点である高温焼成時の耐クラック性を著しく高めた酸化ケイ素系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ポリシラザンと、有機チタン化合物と、有機溶媒とを含むことを特徴とする酸化ケイ素系被膜形成用組成物。また、酸化ケイ素系被膜形成用組成物を基体上に塗布し、乾燥後550℃以上で焼成することを特徴とする酸化ケイ素系被膜付き基体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 従来と比較して平坦性に優れるシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明は、(a)シロキサン樹脂、(b)その(a)成分を溶解可能な溶媒、及び、(c)オニウム塩を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であって、上記(c)成分の配合割合が上記(a)成分の総量100重量部に対して0.001〜0.5重量部であるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】基材表面を触媒化処理することなく、基材表面上に直接金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が還元剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、このような状況下為されたものであり、フェロセン修飾界面活性剤を用いて分散された粉体類を含む水性電解媒体中に、被担持体である電極を設置し、設置された電極を通電して前記電極上に薄膜を形成する技術に於いて、形成する薄膜の均一性を向上せしめる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 無機粉体が分散されたフェロセン修飾界面活性剤を含有する水性電解媒体中に設置された少なくとも一つの電極に電位をかけて電極酸化して、前記電極上に薄膜を形成するステップを含む薄膜製造法において、前記水性電解媒体中に有機溶媒を含むことを特徴とする薄膜製造法。
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【課題】 平滑な表面を有し、疎水性のシリカエアロゲル膜を簡易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 有機修飾シリカを溶媒に分散させる工程と、前記有機修飾シリカを含む分散液によって膜を形成する工程とを含むシリカエアロゲル膜の製造方法において、前記分散工程においてケトン系溶媒に前記有機修飾シリカを分散させる方法。 (もっと読む)


【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板10の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板10の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜20aを形成する工程と、液状被膜20aが形成された一方の面側を密閉容器43で蓋った状態で基板10の他方の面側から液状被膜20aに光40を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 (もっと読む)


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