【課題】平均粒子径が小さく（１μｍ以下程度）、結晶性を備える、研磨剤（特に仕上げ研磨用の研磨剤）として好ましく利用できる結晶性シリカゾルの提供。
【解決手段】結晶性を備え、平均粒子径が１μｍ以下であり、粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以上であるシリカ微粒子を含み、ｐＨが８．７〜１０．６である、結晶性シリカゾル。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を１Ωｃｍ以上、１０Ωｃｍ以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において１Ω以上、１０Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータ等の加熱源を用いることなくシリコン芯線を均一に加熱することにより、シリコン芯線への初期通電の電圧を低くすることを可能とする技術の提供。
【解決手段】シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０が、各反応炉の排ガスラインと原料ガス供給ラインに接続されている。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０から、ガスノズル３を通して、反応中の他の反応炉からの排ガスの一部を炉内に供給し、シリコン芯線５に電流が効率的に流れる電気抵抗となるように、シリコン芯線５を３００℃以上の温度に初期加熱する。続いて、金属電極２から、芯線ホルダ２０を介してシリコン芯線５に電流を供給してシリコン芯線５を９００℃〜１３００℃に加熱する。そして、水素ガスとともにトリクロロシランガスを原料ガスとして低流量で供給し、多結晶シリコンの気相成長を開始する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用正極材料として有用なリチウムシリケート系材料について、従来よりも優れた電池特性を有する材料を比較的簡単な手段によって製造できる方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属塩から選ばれた少なくとも一種を含む溶融塩中で、二酸化炭素および還元性ガスを含む混合ガス雰囲気下において、珪酸リチウム化合物と、鉄および／またはマンガンを含む遷移金属元素含有物質と、を３００℃以上６００℃以下で反応させるリチウムシリケート系化合物の製造方法において、
前記遷移金属元素含有物質は、鉄および／またはマンガンを含む化合物を含む遷移金属含有水溶液をアルカリ性にして形成される沈殿物を含むことを特徴とする。本製造方法によれば、ケイ素を過剰に含むリチウムシリケート系化合物が得られる。 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるインゴットおよびインゴットから切り出されたウェーハおいて、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボを囲繞し、冷却ルツボ内に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８と、前記各部材を収容するチャンバー１とを備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、チャンバー１の内壁面および／またはチャンバー１内に収容される部材の表面の少なくとも一部にウール材１７を配置することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボ７を固定する天板１０と、冷却ルツボ７の外側を囲繞し、冷却ルツボ７の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８とをチャンバー１内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ７の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材１７を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】保温装置内の温度環境の変化を防止して安定した操業を行い、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、モールド１と保温装置３の外枠６との間の隙間に、炭素繊維材８ａの上に断熱材８ｂが載置されてなる保温ボード８が配置された電磁鋳造装置。前記炭素繊維材は、少なくとも１箇所で切断されていることが望ましい。炭素繊維材に替えて炭化珪素製またはアルミナ製の部材も使用できる。 （もっと読む）

【課題】 メソポーラスシリカ膜の低屈折率を保ちつつ、吸湿による屈折率の変動を抑制する。
【解決手段】 メソポーラスシリカ膜の少なくとも一方の表面から深さ１０ｎｍ未満の領域である表面層にＳｉＯ_{（２−ｎ／２）}Ｘ_ｎ（Ｘはアルキル基、フッ化アルキル基およびフッ素から選ばれる少なくとも１種類以上からなる基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。Ｘがアルキル基またはフッ化アルキル基の場合、その一部に不飽和結合を有していてもよい。）で表わされる構造を有し、前記表面層におけるケイ素炭素及びフッ素の合計の元素成分比が０．１以上であり、前記表面から深さ１０ｎｍ以上の領域である内部層におけるケイ素に対する炭素とフッ素の合計の元素成分比が、前記表面層における元素成分比より小さい。 （もっと読む）

【課題】酸洗浄をより効果的に実施して、不純物であるアルミニウムが有利に低減されることにより精製されたシリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンを製造する方法は、アルミニウムを７重量％以上含有するシリコンを加熱してシリコン融液を得る溶融工程（Ｓ１０）、当該シリコン融液を凝固してシリコン塊を得る凝固工程（Ｓ２０）、当該シリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程（Ｓ３０）、及びシリコン粒子を酸性溶液に３時間以上浸漬して酸洗浄する洗浄工程（Ｓ４０）、をこの順に備え、凝固工程（Ｓ２０）において、１３５０℃までの平均冷却速度が１．０×１０^４℃／分以上である。 （もっと読む）

【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にする。
【解決手段】略筒状の壁体１１、壁体１１の上端を閉じる天板１２および下端を閉じる底板１３を備え、壁体１１の下部に設けられたガス導入流路１１ｂを通じてテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応容器１０と、反応容器１０内に設置され、原料ガスを加熱する複数のヒータ２０とを備え、ヒータ２０は、電気を供給されて発熱する発熱体２１と、発熱体２１の下端を支持する受台２２とを有し、発熱体２１に、その高さ方向の途中位置かつガス導入流路１１ｂの上方に配置されるフランジ２３が水平方向に沿って設けられており、隣接するヒータ２０間にフランジ２３により狭められた原料ガスの流路１０２が形成されているトリクロロシラン製造装置１００。 （もっと読む）

【課題】様々な品質のシリコンを、数多くの試行錯誤を経ることなく、目標とする減圧保持時間（Ｔ）で、アルミニウム濃度（Ｃ）が精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）になる精製シリコンを、効率良く製造しうる方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム初期濃度（Ｃ₀）と精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）と減圧保持時間（Ｔ）とから、あらかじめ、本発明の式（１）を満足する融液温度（Ｌ）および真空接触面積比（Ｓ）を求め、求めた真空接触面積比（Ｓ）になるように鋳型内にアルミニウムを含有するシリコンを充填し、かつ、求めた融液温度（Ｌ）になるまで減圧下で加熱し、求めた融液温度（Ｌ）で減圧下のまま、減圧保持時間（Ｔ）まで保持する減圧精製工程を含む精製シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属反応性を著しく喪失することなく容易に取り扱うことができる形態でアルカリ金属及びアルカリ金属合金を提供する。
【解決手段】液状１族金属をシリカゲルの細孔へ吸収させるのに十分な等温条件下での不活性雰囲気中において、液状１族金属とシリカゲルを混合させることによって得られる生成物を含有する１族金属／シリカゲル組成物であって、乾燥酸素と反応する該組成物、又は、乾燥酸素と反応しない該組成物であること。 （もっと読む）