【課題】工業生産により適したシリコンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法では、化学反応式（１）
【数１】


の右辺に反応が進む酸素濃度及び温度の反応条件で微粒子状のＳｉＯ₂を還元することによりシリコンを製造する。 （もっと読む）

【課題】融液からチューブを引き上げることによってシリコンのような材料から結晶質のチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１６に供給された材料を加熱要素２２，２４により溶融して製造した融液は、チューブの形状を定める毛管ギャップを通りメニスカスを形成し、上方の先端区域で凝固しながら、引き上げ手段４８によって、矢印５０の方向に持ち上げられ、多角形のチューブが製造される。多角形の各々の辺ごとに１つの融液の区域が割り当てられている。各々の辺の温度は別々に制御される。 （もっと読む）

【課題】クロロシランを効率良く金属で還元して高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】工程（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
（Ａ）温度Ｔ１で下式（１）
原料である、ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数。）
で示されるクロロシランを金属で還元して、シリコン化合物を得る工程、
（Ｂ）該シリコン化合物を温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２の関係にある。）の部分に移送する工程、
（Ｃ）該温度Ｔ２の部分に多結晶シリコンを析出させる工程、ここで
温度Ｔ１が、金属の融点（絶対温度）の１．２９倍以上であり、
温度Ｔ２が、金属の塩化物の昇華点又は沸点より高い。 （もっと読む）

【課題】例えば、シリコン結晶を切削加工する際に発生する、シリコン粒子と砥粒や有機物質などの不純物を含む廃スラッジなどから高純度のシリコンを確実にしかも効率よく製造することが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】(ａ)廃スラッジから磁力により磁性体を分離し、(ｂ)磁性体を分離した廃スラッジを遠心分離して、シリコン粒子が分散したシリコン分散液と、沈降物質を含む沈降層とに分離し、(ｃ)シリコン分散液に酸を添加して、シリコン分散液に含まれる金属不純物を溶解させ、(ｄ)金属不純物を溶解させたシリコン分散液からシリコン粒子を分離し、(ｅ)分離したシリコン粒子を洗浄して、シリコン粒子に付着した酸を含む付着液を除去し、(ｆ)洗浄したシリコン粒子を熱処理して有機物質を除去し、(ｇ)熱処理されたシリコン粒子を加熱溶融させ、(ｈ)得られるシリコンインゴットを一方向凝固処理して高純度のシリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】冷却プレートを用いてルツボに溶融したシリコンを凝固させることにより、均一な結晶粒を形成する太陽電池用の多結晶シリコンインゴットを製造するための装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットの製造装置は、シリコンを溶融するためのルツボ２３０と、前記ルツボの高さを調節するための移送軸２５１と、前記ルツボ２３０を加熱するためのヒーター２２１，２２２と、前記ルツボ２３０の下部に位置して前記ルツボを冷却するための冷却プレート２６０とを含む。 （もっと読む）

これらは、反応管の内壁面に堆積されたシリコン析出物を効果的に除去することで、反応器を長時間安定的に操作することができる流動層反応器を利用した粒状の多結晶シリコンの連続形成方法を提供する。本発明の方法は、（i）前記反応ガス供給手段により前記反応ガスを供給することで、反応ガスと接触するシリコン粒子の表面にシリコンが析出されると同時に、前記反応領域を取り囲む反応管の内壁面にシリコン析出物が堆積するシリコン粒子の形成工程；（ii）前記反応ガスを供給することを中断した後、前記反応管内部に残留するシリコン粒子の残留層の高さが前記出口の高さを超過しないようにシリコン粒子の一部を前記流動層反応器の外部に排出させるシリコン粒子の部分排出工程；及び（iii）前記シリコン析出物と反応して気相のシリコン化合物を生成させることができるエッチングガスを前記反応領域の空間に供給することで、シリコン析出物を除去するシリコン析出物の除去工程とを含む。
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【課題】 シリコン原料からシリコンよりも高い蒸気圧を有する高蒸気圧不純物と金属不純物とを同時に除去することが可能なシリコン精製装置およびシリコン精製方法を提供する。
【解決手段】 シリコン精製装置１は、真空ポンプ２１によって溶解炉１１内を真空状態に保持し、溶解炉１内の坩堝１２に収容されるシリコン原料１０をヒータ１３によって加熱して溶融させて溶融シリコン１０ａとし、この溶融シリコン１０ａに冷却体１４を浸漬させて溶融シリコン１０ａを冷却し、冷却体１４のシリコン晶出部２９に精製シリコン３０を晶出させる。ヒータ１３は、シリコン原料１０の温度が１４１５℃以上１５００℃以下になるように、制御手段１８によって制御される。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池級シリコンを得る効率的なホウ素除去方法を含むシリコン精製方法およびシリコン精製装置を提供する。
【解決手段】 溶解炉内に配置された坩堝内で、粗精製シリコンを溶融し、粗精製シリコンに含まれる不純物を除去するシリコン精製方法において、前記坩堝内で、ホウ化物からなる少なくとも１種類のホウ化物体が、前記ホウ化物を形成する金属元素と同一の金属元素単体を含む前記粗精製シリコンと接触していることによって、簡易に金属級シリコンに含まれるＢ濃度を太陽電池級シリコンレベルのＢ濃度に低減する。 （もっと読む）

【課題】坩堝に収容した溶湯に基板を接触させて金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含む材料の薄板を製造する方法において、溶湯の液揺れにより溶湯が坩堝の外部に溢れ出し、坩堝上部の断熱材に溶湯が染み込む事態を回避し、断熱材の断熱性を均一に保つことができる薄板製造装置および同装置用の坩堝を提供する。
【解決手段】防波堤構造１０６を有する坩堝１０１と、坩堝１０１の側壁上面の外周側であって坩堝１０１の側壁上面の内周側より低い位置に設置した断熱材１０５と、基板搬送手段１２０とを備えた薄板製造装置１００において、防波堤構造１０６は、坩堝１０１の側壁上面の内周側にあり、防波堤構造１０６の上端が、断熱材１０６の上端より高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池等に使用される太陽電池級シリコンを得る、生産性が高く、精製コストを低減したシリコン精製方法を提供する。
【解決手段】 溶融シリコン中に回転冷却体を浸漬させ、回転冷却体の外周面に精製シリコンを晶出させる精製方法において、最初に溶融させる高純度シリコンの不純物濃度を、追装する粗精製シリコンの不純物濃度よりも低くする。 （もっと読む）

本発明は、金属コア手段を利用して多結晶シリコン棒をする方法に関し、シリコン棒を製造するために使用する析出反応器の内部空間にコア手段を設置し、前記コア手段は金属コア要素の表面に１又は複数の分離層を形成して構成されて、電極手段に接続され、前記電極手段を通して電気を供給してコア手段を加熱し、シリコンを析出するために前記内部空間に反応ガスを供給することで、前記コア手段の表面の外側方向に析出生成物を形成する工程からなる。本発明によると、前記析出生成物及び前記コア手段はシリコン析出工程により得られたシリコン棒から容易に分離され、前記金属コア要素の不純物により引き起こる析出生成物の汚染が最小化され得るため、高純度のシリコンが更に経済的で便宜な方法で製造され得る。 （もっと読む）

析出反応器の内部空間に抵抗性材料から作られる第１コア手段をシリコン材料から作られる第２コア手段とともに設置し；前記第１コア手段を電気的に加熱して、電気的に加熱される前記第１コア手段により前記第２コア手段を予熱し；前記予熱された第２コア手段を電気的に加熱し；そしてシリコンの析出のために前記第１コア手段と第２コア手段が電気的に加熱される状態で内部空間に反応ガスを供給することを具備する混合されたコア手段を使用して多結晶シリコン棒を製造する方法及び装置を開示する。
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【課題】高容量でかつサイクル低下がなく、しかも初回充放電時における不可逆容量の少ないリチウムイオン二次電池用負極材として適したＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、１，１００〜１，６００℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、１，８００〜２，４００℃の温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素粉末を効率的に低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】二酸化珪素粉末と金属珪素粉末の混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下、１，１００〜１，４５０℃の温度範囲で加熱し、一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、二酸化珪素粉末の平均粒子径が１μｍ以下、金属珪素粉末の平均粒子径が３０μｍ以下であることを特徴とする酸化珪素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、長期間にわたって保管しても凝集することなく容易に樹脂中に分散可能で、粉体として流動性が悪化しないシリカ粒子を提供することである。
【解決手段】本発明のシリカ粒子は、乾燥状態において、ＦＴ−ＩＲスペクトルを拡散反射法で測定したときの１０００〜１０５０ｃｍ^-1の最大吸光度をＡ_S、３６４０〜３６９０ｃｍ^-1の最大吸光度をＡ_Oとしたとき、Ａ_O／Ａ_Sが０．０４〜０．７であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 （もっと読む）

【課題】炭化水素中の硫黄分を効率よくｐｐｂレベルの低濃度まで除去し得て、かつ破過時間が延長された長寿命の炭化水素用脱硫剤を提供すること。
【解決手段】ニッケルを酸化物（ＮｉＯ）換算で５０〜９５質量％、モリブデンを酸化物（ＭｏＯ_３）換算で０．５〜２５質量％、及び無機酸化物を含有することを特徴とする炭化水素用脱硫剤。 （もっと読む）

ケイ素金属間化合物、例えば金属ケイ化物を特徴とするケイ素金属溶浸法によって作製された複合体。これは、複合材料技術者に、得られる複合材料の物理的性質を設計又は調整するより大きな柔軟性を与えるばかりでなく、該溶浸材を、固化の際の膨張の量をはるかに減少して有するように組成的に設計することができ、それによってネットシェイプ作製能力を高めることができる。ケイ素溶浸によってなされる複合体の金属成分を設計することによるこれらの及びその他の結果は、複雑な形状の大きな構造物の製作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】
溶融のタイミングが検知容易な種結晶を用いた半導体インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型１の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶１０を配設し、該種結晶１０上で鋳型１内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材９を配設する工程Ａと、鋳型１内で熱緩衝部材９上に、前記半導体融液を供給する工程Ｂと、熱緩衝部材９全体及び種結晶１０の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶１０の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Ｃとを有する半導体インゴットの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用原料として、好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法、及び該製造方法で得られる高純度シリコンを提供する。
【解決手段】〔１〕下式（１）で表されるハロゲン化珪素をアルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元剤として使用するアルミニウムの純度が９９．９重量％以上である高純度シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
（式中、ｎは、０〜３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。ここでアルミニウムの純度は、１００重量％から、アルミニウムに含まれる鉄と銅とガリウムとチタンとニッケルとナトリウムとマグネシウムと亜鉛の合計の重量％を差し引いたものである。） （もっと読む）