【解決手段】珪素粒子と二酸化珪素粒子との混合物を、非酸化雰囲気下１０００〜１４００℃で焼結させてなり、ゆるめ嵩密度が０．７〜２．０ｇ／ｃｍ³、かつＢＥＴ１点法で測定した比表面積が０．０１〜３０ｍ²／ｇであることを特徴とする酸化珪素製造用原料。
【効果】本発明の酸化珪素製造用原料及びその製造方法によれば、酸化珪素製造時の反応性を低下させることなく、反応器単位容積あたりの原料充填率を高め、さらに吸湿を抑制し、安定した物性の酸化珪素を効率よく製造でき、装置部材の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スラリーを塗布したときの塗膜内の上部及び下部の均質性が高い固体電解質用グリーンシートを製造し、イオン伝導性固体電解質を製造する方法を提供する。
【解決手段】使用時に固体電解質に成り得る無機材料を含むスラリーから固体電解質用グリーンシートの上部及び下部の均質性が、上面及び下面にそれぞれ計測可能な特徴として現れることを見出した。この特徴の１つとして、光沢度を採用した。光沢度は、一般に、表面粗さ等の形状ファクタに依存すると考えられるので、簡単な計測ではあっても、上面及び下面の特性を十分把握可能である。 （もっと読む）

【課題】 白色以外の鮮やかな発色を示す単分散性の金属酸化物中空粒子、及びこれを効率良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】 水性媒体に溶媒和可能な親水性ポリマー層（ｘ１）とアミノ基（ｘ２）とを有する単分散性ポリマー微粒子（Ｘ）の水性分散液と、金属アルコキシド（Ｙ）の溶液とを混合し、ゾルゲル反応を行う工程、前記工程で得られた、金属アルコキシド（Ｙ）のゾルゲル反応で得られた金属酸化物（Ｙ’）で被覆された単分散性ポリマー微粒子（Ｘ）を単離し焼成する工程、を有することを特徴とするカーボン含有金属酸化物中空粒子の製造方法、および金属酸化物（Ｙ’）とカーボンとを主構成成分とする殻からなり、殻壁の厚さが５ｎｍ〜３０ｎｍで、且つ平均粒子径が５０ｎｍ〜１０００ｎｍの単分散性中空粒子であることを特徴とするカーボン含有金属酸化物中空粒子。 （もっと読む）

本発明は、重金属を含む廃棄物の処理のためのゾルゲル法に関し、この方法は、安定な物品中にこのようなイオンを固定して、前記金属の自然放出を起こさないようにすることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に、低温でシリコン結晶を製造することができるシリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、粉末、バルク体または融液から成る金属ナトリウム１と、バルク体または粉末から成るシリコン２とを、６２０℃以上の温度で加熱して混合体３を作製する。その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。 （もっと読む）

汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法は、汚染材料中に高純度シリコンのサンプルを部分的に包み込むステップを含む。汚染材料中に包み込まれるサンプルは、炉内で加熱される。加熱ステップの前の高純度シリコンの不純物含有量と比較されて、加熱ステップの後に高純度シリコンの不純物含有量の変化が決定される。高純度シリコンを熱処理する炉は、加熱チャンバを定めるハウジングを含む。ハウジングは、高純度シリコンを焼き鈍す十分な時間の期間に亘る焼鈍し温度での加熱の間、４００ｐｐｔａ未満の不純物を高純度シリコンに寄与する低汚染材料で少なくとも部分的に形成され、炉は、同じ加熱条件の下で、平均４００ｐｐｔａ未満の不純物を高純度シリコンに寄与する。 （もっと読む）

本発明は、ソーラーグレードシリコンとしての使用に好適な純粋のシリコンを製造するための完全な方法であって、１つ以上の純粋炭素源を使用して精製酸化珪素を還元することを含み、水相に溶解された酸化珪素として精製された該精製酸化珪素が、酸化珪素に対して３００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ未満、特に好ましくは５０ｐｐｍ未満、本発明によれば１０ｐｐｍ未満の他の金属の他の多価金属または金属酸化物の含有量を有し、有利にはアルカリ性条件下でのゲル形成によって得られる方法に関する。本発明は、また、活性化剤を含む配合物、およびシリコンを製造するための精製酸化珪素と活性化剤との併用に関する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、又は不純物を含むシリコンと不純物精製用添加剤を含む固体とをそれぞれが溶融するよう加熱し、溶融状態のシリコン又は上記シリコン及び上記不純物精製用添加剤を含む融液中に不純物精製用気体として窒素原子と水素原子を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、金属Ｓｉ中の不純物、特にＢとＰ、さらにＡｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の金属不純物を１つの工程で同時に低減することができる。また、一般的な大気開放炉を使用するため高真空雰囲気も必要とせず、さらに電子ビームやプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ，Ｐと共に、Ａｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の不純物が低減された金属Ｓｉを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 光触媒作用を効率良く発揮させることができる光触媒体及びこれの製造方法、並びにこのような光触媒体を用いた浄化装置を提供する。
【解決手段】 光触媒作用を有する繊維状の光触媒体であって、少なくとも、シリカを主成分とし、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の含有量が１〜５０ｗｔ．％であるシリカチタニア系ガラス繊維からなることを特徴とする繊維状光触媒体、及びこのような繊維状光触媒体の製造方法、並びにこのような繊維状光触媒体を具備する浄化装置。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランの還元反応において反応率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法は、下記式（１）で示されるハロゲン化シランと還元剤とを反応させてシリコンを製造する方法であって、シリコンの融点以上でハロゲン化シランと還元剤とを反応させて、液状のシリコンを生成させる工程を備える。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。 （もっと読む）

【課題】部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で構成可能にする。
【解決手段】テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを反応させてトリクロロシランを含む反応生成ガスを生成するトリクロロシラン製造装置であって、複数のシリコン芯棒４が保持される反応炉１に、ガス供給口６及びガス導出口７と、シリコン芯棒４を加熱する加熱手段とが備えられるとともに、ガス供給口６に、テトラクロロシランと水素とを含むトリクロロシラン製造用原料ガスと、トリクロロシランと水素とを含む多結晶シリコン析出用原料ガスとを切り替えて供給可能な原料ガス供給系８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱してシリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させて降温して凝固させて単結晶化とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒を保持する電極の表面に析出する多結晶シリコンが剥がれ落ちることを防止することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】炉内に設けたシリコン芯棒４を通電加熱し、炉内に供給した原料ガスを反応させて、前記シリコン芯棒４表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉において、炉の底板部（炉底）２に、該底板部２に対して電気絶縁状態に設けた電極ホルダ１０と、該電極ホルダ１０に連結され、シリコン芯棒４を上方に向けて保持する芯棒保持電極１５とを備え、芯棒保持電極１５の外周面に炉内雰囲気に露呈する凹凸部（雄ネジ部）１５ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電極数を増やすことなく、多くのシリコン芯棒を保持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に配設された複数の電極に、上下方向に延びるシリコン芯棒４をそれぞれ立設しておき、反応炉内に原料ガスを供給するとともに、シリコン芯棒４に電極から通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、該シリコン芯棒４の表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる装置において、複数の電極のうちの少なくとも一部は、シリコン芯棒４を２本保持する２本用電極５Ｂとされるとともに、該２本用電極５Ｂは、底板部２に形成した貫通孔２５内に挿入状態に設けられた電極ホルダ２６と、該電極ホルダ２６の上端部に相互間隔をおいて設けられた一対の芯棒保持部２７とを有し、電極ホルダ２６の内部には、冷却媒体が流通する冷却流路４０が形成され、底板部２を貫通する電極ホルダ２６の下端部に、冷却流路４０に連通する冷却配管が接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）