【課題】良好な多孔質シリカ内包粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）多孔質シリカを準備する工程と、（ｂ）多孔質シリカと金属または前記金属を元素組成として有する化合物を含有する液とを接触させ、多孔質シリカの孔内に前記液を含浸させる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、熱処理を施すことにより、前記多孔質シリカの孔内において前記金属または前記金属化合物を含有する微細粒子を形成する工程と、を有する。また、無溶媒系でアルコキシシランの加水分解することにより多孔質シリカを合成すれば、微細な孔径を有する多孔質シリカの合成が可能であり、この多孔質シリカを鋳型とすることで、バルクの状態では見られない特異な性質を示す粒子（例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＮｉやこれらの金属酸化物）も容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を含まない蛍光シリカであって、高い蛍光強度を有し、且つ高輝度の材料を提供する。
【解決手段】 SiO_２を主成分として、Cu及びGaを含有することを特徴とする蛍光シリカ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料となる金属シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属シリコンの製造方法は、珪藻土の細孔内部に、炭素物質、難分解性有機塩素化合物又は有機物を混合又は吸収させ、不活性ガス、水素ガス、窒素ガス、空気又は真空雰囲気下で加熱することにより、炭素源と二酸化珪素の接触面積を増大させ、効率よく金属シリコンを製造することができる。また、前記有機物が、使用済珪藻土濾過助剤に充填された有機物である。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】例えば、電磁波を透過する材料からなる中空状の反応器（１１）と、その内部に原料ガスを供給する原料供給手段（１５）と、反応器（１１）中の原料ガスに高周波交番磁界を印加する高周波誘導コイル（１２）とを備えた装置（１０）を用い、反応器（１１）内に導入した原料ガスに高周波交番磁界を印加またはマイクロ波を照射し、原料ガスを分解および／または反応させてナノ粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、インゴットの最終凝固部位で割れの発生を防止しつつ、炭素濃度の増大を防止できる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱、およびルツボ７の上部に挿入されたプラズマトーチ１３からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造方法において、シリコン原料１１をルツボ７に投入し溶解させるとともに凝固させる定常期には、プラズマトーチ１３を当該トーチの電極と溶融シリコン１２との間にプラズマアークを発生させる移行式とし、シリコン原料１１の投入を停止して溶融シリコン１２を凝固させる鋳造最終期には、プラズマトーチ１３を当該トーチの電極間にプラズマアークを発生させる非移行式とする。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

繊維状形態を有する高表面積ナノ粒子を開示する。ナノ粒子は複数の繊維を有し、ここで、それぞれの繊維は他の一つの繊維と接触しており、それぞれの繊維は、長さが約1nm〜約5000nmである。また、本発明のナノ粒子の適用、本発明のナノ粒子の製造方法が開示される。

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【課題】酸化物微小構造体表面の水酸基及び吸着水を十分に除去することができる酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法を提供する。
【解決手段】酸化物微小構造体の表面に存在する水酸基及び吸着水を除去する方法であって、当該酸化物微小構造体の表面に表面処理剤を修飾する第１工程と、当該表面処理剤により修飾された酸化物微小構造体にマイクロ波を照射する第２工程と、を含む酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法である。
本発明により得られる酸化物微小構造体は、その規則正しい構造の形状性など光学分野、触媒分野、電気化学分野、電子工学分野などで好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素を主成分とし、表面に存在する水酸基及び吸着水が十分に除去された低誘電率性、低誘電正接性の多孔質酸化物粒子を得るとともに、表面に存在する水酸基及び吸着水を十分に除去することができる多孔質酸化物粒子の水酸基及び吸着水の除去方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素を主成分とする多孔質酸化物粒子の外周表面及び内表面に表面処理剤が修飾されており、シラノール基の３０００〜３８００ｃｍ^-1の赤外線吸光ピークの最大値が、酸化ケイ素のＳｉ−Ｏ吸光を示す１８５０〜１９００ｃｍ^-1の赤外線吸光ピークの最大値の２倍以下である多孔質酸化物粒子である。また、表面の水酸基及び吸着水が除去された多孔質酸化物粒子は、当該多孔質酸化物粒子の表面に表面処理剤を修飾する第１工程と、当該表面処理剤により修飾された多孔質酸化物粒子にマイクロ波を照射する第２工程と、を含む方法により得ることができる。 （もっと読む）

誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造するための装置が、シリコンの加熱を始動させるための手段と、インダクターに囲まれる冷却るつぼとを備える筐体を備える。るつぼは、可動式の底部と、鉛直方向に延在するスロットで離間されるセクションで構成される４つの壁と、可動式の底部を移動させるための手段と、冷却るつぼの下方に配置される制御冷却コンパートメントとを有する。るつぼの内面は、矩形断面又は正方形断面の溶融チャンバの範囲を規定する。冷却るつぼの壁は、少なくともインダクターから冷却るつぼの最下部に向かって外側に広がるため、溶融チャンバが拡張され、溶融チャンバを拡張する角度βは、式
【数1】


（式中、ｄは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の矩形の短辺又は正方形の一辺の寸法であり、ｂは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の隣接する辺の寸法であり、ｋは実験係数であり、１．５〜２である）によって規定される。本装置は、シリコン融液の流出を減少させ、またこのようにして製造される多結晶シリコンの品質を高めることを可能にする。
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【課題】高圧条件といった過酷な反応条件を必要とすることなく、温和な条件下で高速液体クロマトグラフィー用シリカゲルとして求められる粒径が１．５μｍ以上の球状シリカゲルの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水より極性の低い有機溶媒と水との混合溶媒中で、アルコキシシラン化合物及び／又はその誘導体を、特定の（数平均）分子量を有する有機成分を特定量有する反応系において、加水分解し、得られた反応混合物にマイクロ波を照射することにより、粒径が１．５μｍ以上の球状シリカゲルが得られることを見出した。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、細孔を有するシリカゲルを原体とて用い、粒径を維持したまま、細孔径、細孔容積を減少させる、すなわち細孔物性が調整されたシリカゲルを製造する方法及び細孔を有するシリカゲルの細孔物性を調整する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】細孔を有するシリカゲルとアルコキシシラン及び／又はその誘導体を水存在下で加水分解し、マイクロ波を照射することで、シリカゲルの粒径を維持したまま、細孔物性を制御できる。すなわち、細孔径、細孔容積を減少させることができる。 （もっと読む）

階層的多孔構造を有するモノリス型金属又は金属複合体を製造する方法であって、多孔質構造を有するテンプレート材料を選択する工程；該テンプレート材料を、構造化される１つの又はそれぞれの該金属の溶液と接触させる工程；１つ又はそれぞれの該金属を該テンプレートに堆積させる工程；該金属被覆テンプレートを、更なる金属の堆積の前に洗浄する工程；該金属被覆テンプレート材料を分離する工程；該テンプレート材料の少なくとも一部分を熱的に除去する工程を含む方法。
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本発明は、ソーラーグレードシリコンとしての使用に好適な純粋のシリコンを製造するための完全な方法であって、１つ以上の純粋炭素源を使用して精製酸化珪素を還元することを含み、水相に溶解された酸化珪素として精製された該精製酸化珪素が、酸化珪素に対して３００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ未満、特に好ましくは５０ｐｐｍ未満、本発明によれば１０ｐｐｍ未満の他の金属の他の多価金属または金属酸化物の含有量を有し、有利にはアルカリ性条件下でのゲル形成によって得られる方法に関する。本発明は、また、活性化剤を含む配合物、およびシリコンを製造するための精製酸化珪素と活性化剤との併用に関する。 （もっと読む）

本発明は、ソーラーグレードシリコンとしての使用に好適である純粋のシリコンを製造するための方法全体であって、１つまたは複数の純粋炭素源を使用して、水相に熔解された酸化珪素の水溶液からの酸沈殿によって精製された酸化珪素を還元することを含み、精製酸化珪素を、特に、酸性化剤にて水相に溶解された酸化珪素の沈殿によって得る方法に関する。本発明は、また、活性化剤を含む配合物、ならびにシリコンを製造するための装置、反応器および電極に関する。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、品質の高いチタニア被覆粒子を簡便かつ生産性高く、提供することができる製造方法を確立することである。
【解決手段】粒子（Ｐ）が分散したチタンアルコキシドの有機溶剤（Ｅ）溶液（Ａ）中で、該チタンアルコキシドをゾルゲル反応により該粒子（Ｐ）の表面においてチタニアを生成させてチタニア被覆粒子を製造する製造方法であって、該溶液（Ａ）にβ−ジケトンを含有させた状態で、好ましくはβ−ジケトンをチタンアルコキシド1モルに対して、１．５〜４モル含有させて、マイクロ波を照射してチタニア被覆粒子の分散液を得ることを特徴とするチタニア被覆粒子の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ波オーブン内で熱還元により、例えば場合によってはドープされたケイ砂から最高純度のケイ素を製造する方法に関する。
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