【課題】窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。
【解決手段】シリコン原料に清浄化水溶液を適用することによりシリコン原料の表面を清浄化する。清浄化水溶液はマイクロバブル状態のオゾンと液中に溶存するオゾンとフッ化水素酸とを含み、上記マイクロバブルが平均直径１〜１００μｍで１〜２０体積％のボイド率で清浄化水溶液中に分散する。清浄化水溶液中のフッ化水素のモル濃度を[ＨＦ](ｍｏｌ／リットル)とし、オゾンマイクロバブルのボイド率及び平均直径をそれぞれｆ(体積％)及びｄ(μｍ)とし、フッ化水素とマイクロバブルの混合比率に関する指数をＡとするとき、清浄化水溶液がフッ化水素とマイクロバブルを[ＨＦ]／（[ＨＦ]＋１００ｆ／ｄ）＝Ａで規定する組成で含みかつ混合比率指数Ａが０．０５〜０．３である。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ含有鉱物粉末とアルカリ水溶液を混合して、ｐＨが１１．５以上のスラリーを調製した後、固液分離して、Ｓｉを含む液分と、固形分を得る工程と、（Ｂ）得られた液分と酸を混合して、ｐＨを３．０未満に調整した後、固液分離を行い、固形分と、Ｓｉを含む液分を得る工程と、（Ｃ）得られた液分とアルカリ源を混合して、ｐＨが３．０以上、１０．３以下である水溶液を調製した後、固液分離を行い、ＳｉＯ_２を含む固形分と、液分を得る工程と、（Ｄ）工程（Ａ）と工程（Ｂ）の間、及び／又は、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間の工程であって、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理及び活性炭処理を行ない、不純物を回収する工程と、を含む高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】二酸化珪素粒子及び繊維長５ｍｍ以下の二酸化珪素単繊維を液体に懸濁分散させ、混合してなる離型剤組成物であって、上記単繊維が上記混合によって剪断されてなることを特徴とする珪素鋳造用離型剤組成物。
【効果】本発明によれば、鋳型に塗布する際に液だれすることなく、均一な厚さに塗工でき、溶融・凝固した珪素と固着することのない離型剤層を形成できる珪素鋳造用離型剤組成物、その調製方法及び珪素鋳造用鋳型の製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを１ｍｍ以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を１００℃以上、１ｔｏｍ以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを１０００〜１４００℃で焼成処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】９９．９９％以上の高純度のシリカまたはシリコンを工業的にかつ安価に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度シリカの製造方法は、珪砂または水晶の細粒子を１ミクロン以下に粉砕する粉砕工程と、粉砕したものを水を加えてスラリー状にするスラリー工程と、磁石分離器を用いて、鉄・アルミ・カリウム等の不純物を取り除いて、二酸化硅素を取り出し回収する磁力分離回収工程と、回収した二酸化硅素から加熱により水分を蒸発させ、若しくは、遠心分離により水分を除去し、二酸化硅素を乾燥させる乾燥工程とを備え、９９．９９％以上の高純度シリカを得る。磁石分離器に電磁回転型磁力分離器を用い、長時間運転を可能とし製造コストを安価にする。更に、カーボンアーク炉内で還元する工程を加え、高純度シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液の作製方法は、混合液作製工程と絶縁膜形成前駆体作製工程と塗布液作製工程とを備えている。混合液作製工程では、炭素数２〜６個のアルコキシル基を有するアルコキシシラン化合物と第１の溶媒との混合液を作製する。絶縁膜形成前駆体作製工程では、この混合液に加水分解触媒及び水を添加し、加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製する。水の添加量は、アルコキシシラン化合物中の全アルコキシル基１モルに対して０．３〜０．８倍モルの範囲とする。塗布液作製工程では、作製された絶縁膜形成前駆体に第２の溶媒を加え、素子分離材料用塗布液を作製する。 （もっと読む）

熱応力に対して改善された抵抗を有するシリコン溶融物を保持する装置を創出する。シリコン溶融物を保持する装置であって、該溶融物を保持するための内室（２）を部分的に取り囲むるつぼ（１；１ａ；１ｂ）を有し、該るつぼは、基部（３；３ａ）及び基部材料で作られた少なくとも１つの側壁（４；４ａ）を有し、該るつぼ（１；１ａ；１ｂ）は、機械的熱応力を均一化するための少なくとも１つの均一化手段（５）を有する装置により解決される。
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各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体／液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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【課題】多結晶シリコン棒の気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果の高い技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極３０の上部電極３１の上面側には、シリコン芯線５ａを保持する芯線ホルダ２０の固定部が設けられている。上部電極３１には、上面３３から下面３４に貫通する孔部（貫通孔）３５が設けられており、棒状の締結部材であるボルト３６がワッシャ３７を介して上部電極３１の上面３３から該孔部３５に挿入され、下部電極３２でネジ止めされて固定されている。孔部３５内におけるボルト３６の直胴部との間の間隙５１は、上部電極３１が下部電極３２の上面との接触面である載置面（図２では上部電極３１の下面３４と接する下部電極３２の上面）の面内での全方位の摺動を可能とするため、気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果を奏することとなる。 （もっと読む）

本発明は、ホウ素含有化合物に関して特定純度のハロゲン化ポリシランを純粋な化合物又は化合物の混合物として生成する方法である。本発明の一実施形態は、一般式Ｈ_pＳｉ_n-pＸ_(2n+2)-p（式中、n=1〜50、0≦p≦2n+1、X=F,Cl,Br,I）のハロゲン化ポリシランを、ハロゲン化ポリシランを含有、又は混合物中でハロゲン化ポリシランが形成されている混合物から、個別の化合物、又は化合物の混合物として生成する方法である。混合物は、ホウ素含有不純物を含有する。方法は、ａ）混合物を、少なくとも1ppbw（10億分の1重量部）のシロキサン形成酸化剤又はシロキサン自体と反応させる方法ステップであって、ホウ素含有不純物が、シロキサンと、ハロゲン化ポリシランとは異なる揮発性及び／又は溶解性を有する化合物を形成する方法ステップと、ｂ）ハロゲン化ポリシランをこれらの化合物と分離する方法ステップとを含み、水が最高で1ppmw、シロキサンが最低で1ppbw存在する。 （もっと読む）

反応器ボリュームを備える、シリコンの生産のための反応器であって、反応器は、化学蒸着（ＣＶＤ）用のシリコン含有反応ガスを反応器ボリュームの内側に回転状態で設定するための少なくとも１つの手段を備えるか、または当該少なくとも１つの手段が有効に配置されることを特徴とする。シリコンの生産のための方法。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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【課題】放電サイクル特性、高率放電特性および高温での連続充電特性に優れた有機電解液電池を提供することを目的とする。
【解決手段】ＰまたはＳｂの少なくとも一種をドープしたＮ型半導体のＳｉと、ＢをドープしたＰ型半導体のＳｉとを混合したＳｉと、Ｓｉと合金可能な金属と、を混合しメカニカルアロイング法により得られたＳｉの非晶質相とＳｉの結晶質合金相とを活物質とした非水電解液二次電池用負極とリチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極とをセパレータを介して対向配置した発電要素を非水電解液とともに外装体内に封入してなる非水電解液二次電池を提供する。 （もっと読む）

【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシランの合成システム及び方法に向けられる。開示されたシステム及び方法は、気化された金属塩を回収又は分離し、トリクロロシラン合成中の下流操作で金属塩の凝固によって生じる閉塞を削減するために、スラリー中の固形物濃度を増大することを含みうる。加熱して温度を上げてクロロシラン化合物を気化し、その後気化クロロシラン化合物を凝縮するのではなく、本発明は、水素などの非凝縮性ガスを利用してクロロシラン成分を気化することによって、スラリーストリーム中の固形分濃度を増大させることを含みうる。この方法は、結果的に、スラリー温度を低下できる蒸発条件を促進できる。低いスラリー温度によって金属塩は気化しにくくなり、このことが下流のユニット操作へのキャリーオーバーの可能性を削減する。 （もっと読む）

【課題】、高純度のシリカを、簡易かつ低コストで製造できる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ含有鉱物粉末と、アルカリ水溶液を混合して、ｐＨが１１．５以上のアルカリ性スラリーとし、上記珪質頁岩の粉状物中のＳｉ、Ａｌ、Ｆｅを液分中に溶解させた後、該アルカリ性スラリーを固液分離して、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを含む液分を得るアルカリ溶解工程と、（Ｂ）工程（Ａ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを１０．３以上１１．５未満とし、液分中のＡｌ、Ｆｅを析出させた後、固液分離を行い、Ｓｉを含む液分を得るＳｉ液分分離工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを９．０以上１０．３未満とし、液分中のＳｉを析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ₂を含む固形分を得るシリカ分離工程を経て得られる高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】混酸廃液から有価物としての硝酸を効率よく回収できるようにする。
【解決手段】硝酸とフッ酸とを含む混酸により酸処理を行った後の混酸廃液の処理方法であって、前記混酸廃液中に珪素が含まれる場合、前記混酸廃液にアルカリ金属又はアルカリ土類金属の塩を添加して珪フッ化塩と硝酸を生成させ、前記珪フッ化塩と前記硝酸を含む混合液から固液分離手段により硝酸を分離して回収する。 （もっと読む）

【課題】従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填したチャンバ１内において、長手方向に延長した保持炉３に半導体の溶融体５を保持し、前記保持炉３の上方からウエハ基板となる金属テープ２を所定の速度で供給し、下降させて供給し、前記シリコン溶融体５上面に接触させ、前記テープ２の少なくとも１面に前記半導体を凝固付着させ、該テープ２を上方に引上げ、基板で補強されたウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板１０１の温度を４００℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板１０１の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 （もっと読む）