【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

【課題】 粒度分布がシャープで、かつ、吸水率が低く、封止用樹脂組成物の充填材として好適に使用することができるシリカ粒子、その製造方法、及び、このシリカ粒子と樹脂とからなる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】５０℃−湿度９０％及び８５℃−湿度８５％条件下において５００時間での吸水率が１．０％未満であり、Ｄ９０／Ｄ１０が３以下であり、真比重が２．１ｇ／ｃｍ^３以上であり、平均粒子径が１０μｍ以下であるシリカ粒子。 （もっと読む）

【課題】二硫化ケイ素を低エネルギー消費で製造する。
【解決手段】本発明の硫黄変性ケイ素化合物の製造方法は、光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物に、光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って前記環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる。この硫黄変性ケイ素化合物に不活性雰囲気で第２の加熱処理を行って硫黄変性ケイ素化合物を分解するともに、この硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子および硫黄原子を結合させる。 （もっと読む）

【解決手段】使用後のフッ化水素酸と硝酸の混酸の廃液を原料とし、次の(a)〜(c)の順に処理する。(a) 廃液に含まれるフッ化水素酸に過剰の酸化ケイ素化合物を反応させ、ケイフッ化水素酸に変換する。(b) (a)でケイフッ化水素酸に変換した後の廃液に、過剰のアルカリ金属塩を添加し、アルカリ金属ケイフッ化物を製造する。(c) (b)によりアルカリ金属ケイフッ化物を製造した後、分離した液とアルミニウム化合物、または、ホウ素化合物とを反応させ、液に含まれるケイフッ化水素酸の構成元素であるフッ素を非揮発性のフルオロアルミン酸または高沸点性のホウフッ化水素酸に変換してから、蒸留法によって硝酸を製造する。
【効果】高純度のアルカリ金属ケイフッ化物と硝酸を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び球状化率が０．５５〜１．００であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピュアシリコンの含有率が高いシリコン汚泥を回収すること。
【解決手段】結晶シリコンの研磨および／または研削に伴う排水を流通させる樹脂製またはステンレス製の配管を用いることとしたうえで、流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着装置と、吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥装置とを配置し、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、かかる状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、配管によって流通される単位時間あたりの排水の量および汚泥吸着装置によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定するようにシリコン回収システムを構成する。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを簡易にかつ低コストで製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ鉱物含有岩石とアルカリ水溶液を混合して、ｐＨが１１．５以上のアルカリ性スラリーを調製し、該シリカ鉱物含有岩石中のＳｉ、Ａｌ、Ｆｅを液分中に溶解させた後、該スラリーを固液分離して、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを含む液分と、固形分を得る工程と、（Ｂ）工程（Ａ）で得た液分と酸を混合して、ｐＨを７．０以上、１０．３以下に調整し、液分中のＳｉを析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ_２を含む固形分（高純度シリカ）と、液分を得る工程と、（Ｃ）工程（Ａ）と工程（Ｂ）の間に設けられる工程であって、前工程で得た液分に対してイオン交換処理及び活性炭処理を行い、不純物を回収する工程、を含む。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

高純度シリコンを製造するためのプラズマ蒸着装置は、高純度シリコンを蒸着させるチャンバと、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチとをそなえ、チャンバは、その上端を実質的に形成する上部と、上端と下端とを有する１つ又はそれ以上の側部であって、上部が１つ又はそれ以上の側部の上端を実質的に密封的に接合する側部と、チャンバの下端を実質的に形成し、１つ又はそれ以上の側部の下端を実質的に密封的に接合する基部とを含み、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチは、チャンバの上部に配置され、実質的に垂直な位置に向けられて上部から基部に向かう下向きのプラズマフレームを生成し、プラズマフレームが、１つ又はそれ以上の反応剤を反応させて高純度シリコンを生成するための反応区画を形成する。さらに、溶融シリコンを収集する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】反応流体から金属シリコン粉末やその酸化物、不純物成分を効率的に除去して、不純物の少ないトリクロロシランを得る。
【解決手段】反応炉２内に供給された金属シリコン粉末を塩化水素ガスによって流動させながら反応させ、この反応により生成されたトリクロロシランを浄化しながら取り出すトリクロロシラン製造装置１において、反応炉２に接続されたトリクロロシラン浄化系５に、反応炉２から排出されるトリクロロシランを含む反応流体中の粗粒子を分離して捕集する粗粒子分離手段２１と、該粗粒子分離手段２１で捕集された粗粒子を反応炉２内に戻す粗粒子回収系２５と、粗粒子分離手段２１を通過した反応流体中の微小粒子を除去するフィルター２７とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】生成シリコンを固体状態で回収する亜鉛還元法において、反応器の休止時間を最小限に抑えることにより多結晶シリコンの生産効率を高め、多結晶シリコンを比較的安価に大量に製造することができる高純度多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素を亜鉛により還元して高純度多結晶シリコンを製造するシリコン製造装置において、反応器２は上下に切り離し可能な反応器上側本体４と反応器下側本体６とを備え、反応器上側本体６の上部には亜鉛ガス供給配管と四塩化珪素ガス供給配管が接続されていることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、シリコン融液の新規な粗脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングが容易な洗浄液を用いて、少ないシリコンのロスでアルミニウムを効果的に低減できる精製方法により精製されたシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンの製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程（Ｓ１０）、及び当該シリコン粒子を塩酸中に浸漬して酸洗浄する洗浄工程（Ｓ３０）、をこの順に備える。 （もっと読む）

本発明は、新規なシリコン融液の脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

【課題】粉砕効率が高い、アルミニウムを含むシリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン粒子の製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を加熱して６００℃以上の温度にする前処理工程と、該シリコン塊を、６００℃以上の温度に保持した状態で粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素を金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応器の内部で下式（１）で表されるハロゲン化珪素を溶融アルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元時に前記反応器の内部に三塩化アルミニウムを供給する高純度シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
（式中、ｎは、０〜３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）