【課題】ポリシリコンと接触する金属部材の表面に樹脂製カバーを設けることによりポリシリコンの金属汚染を防止する方法において、該カバーの摩耗による金属の表面露出を確実に防止することができる方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコンが接触する金属部材の表面に樹脂製カバーを設けることにより、ポリシリコンと金属部材との接触によるポリシリコンの金属汚染を防止する方法において、樹脂製カバー３として、２枚の樹脂シート３ａ，３ｂを重ねて設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ確実に多結晶シリコン塊を洗浄して効果的にシリコンの微粉末や小片、不純物を除去し、酸洗工程の酸液の劣化を抑えながら、高品質の単結晶シリコンの製造を可能とする。
【解決手段】多結晶シリコンロッドを切断または破砕により細分化して得られた多結晶シリコン塊の洗浄装置であって、複数の貫通孔が設けられ多結晶シリコン塊を収容する搬送可能な洗浄かごと、洗浄かごを収容し、底面に設けられた給水口から連続的に洗浄水を供給される洗浄槽本体と、洗浄槽本体内に備えられて洗浄かごを収容し、洗浄かごの貫通孔よりも目が小さい複数の開口部を底面に有する内かごと、洗浄かごを保持しこの洗浄かごを内かご内で揺動させる揺動装置とを備え、洗浄槽本体に、この洗浄槽本体の上部から溢水する洗浄水を回収するオーバーフロー部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】改善された破砕挙動を有する高純度シリコンからなる直径＞１００ｍｍを有する多結晶シリコンロッドを提供し、破砕に関連するシリコン破砕破片の汚染を大きく減らし、そして不所望な寸法を有するシリコン破砕破片の割合を減らす。
【解決手段】ロッド直径＞１００ｍｍを有するロッド状の多結晶シリコンの製造にあたり、シーメンス法によりケイ素含有ガスを用いた析出を採用し、該シリコンロッドを、析出法の終わりに反応器中で冷却の間に水素と接触させ、その際、水素流量及び／又は水素圧力を、この流量及び／又は圧力で、析出温度の保持に必要な出力が析出の終わりの出力の少なくとも５０％であるが、１ｍのロッド長あたり５ｋＷを下回らず、かつ冷却されたシリコンロッドが、垂直な断面において亀裂及び／又は少なくとも１・１０^-4ｃｍ^-1の大きさの放射状張力を有するように選択する。 （もっと読む）

【課題】多孔質膜で被覆された基板であって、該多孔質膜の表面に無孔質薄膜が形成されており、且つ、該多孔質膜に、基板から無孔質薄膜に向かう貫通孔が形成された積層基板を提供する。
【解決手段】本発明の積層基板は、多孔質膜で被覆された基板であり、前記多孔質膜の表面に無孔質薄膜が形成されており、基板から無孔質薄膜に向かう複数の互いに並行する貫通孔が前記多孔質膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドに芯残りを生じることなく、その全体にクラックを発生させ、そのクラックを起点として小サイズの破片への破砕を容易にする。
【解決手段】多結晶シリコンロッドＲを加熱した後に急冷することによりクラックを発生させる方法であって、冷却流体を多結晶シリコンロッドＲの表面の一部にスポット状となるように噴射する局部冷却工程、局部冷却工程の後に、多結晶シリコンロッドＲの外表面の全体に冷却流体を接触させる全体冷却工程を有する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種のフタロシアニン誘導体を含むシリカ粒子の製造方法、少なくとも１種のケイ素フタロシアニン誘導体から逆マイクロエマルション経由で製造される当該粒子、当該シリカ粒子、およびその用途に関する。 （もっと読む）

一般式Ｒ_nＣｌ_4-nＳｉのクロロシランを、金属酸化物をベースとする担体上の、亜鉛および／または亜鉛を含有する合金の触媒量の触媒（Ｋ）の存在下に水素ガスと反応させることにより、一般式Ｒ_nＣｌ_3-nＳｉＨのハイドロジェンシランを製造する方法［上記式中でＲは両方の式において、同時に、かつ相互に無関係に水素を表すか、１〜１８個の炭素原子を有する置換されているか、もしくは非置換であってよい炭化水素基を表し、かつｎは１〜３の値をとることができる］。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】硼素不純物や燐不純物を含有するクロロシラン類から高純度のクロロシラン類を得るための方法を提供すること。
【解決手段】芳香族アルデヒドを添加してクロロシラン類の精製を行う際の固形分の副生原因が鉄イオンあるいは錆び状の鉄による触媒反応であるとの知見に基づき、マスク効果のあるルイス塩基をクロロシラン類に加えることとした。ルイス塩基としては、２価のイオウ含有化合物やアルコキシシラン類が例示される。前者はＲ−Ｓ−Ｒ´（Ｒ：炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基、Ｒ´：炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基あるいは炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基が置換されたカルボニル基、Ｒ及びＲ´が有する炭素数の合計は７以上）が好ましく、後者はＲ_ｘＳｉ（ＯＲ´）_４−ｘ(Ｒ及びＲ´は炭素数１〜２０のアルキル基、ｘ＝０、１、２、又は３）が好ましい。 （もっと読む）

【課題】反応炉の外壁を腐食させることなく、クロロシラン重合物を効率よく分解する。
【解決手段】クロロシラン重合物の分解方法であって、クロロシラン重合物およびＨＣｌを混合してなる原料ガスを予熱温度Ｔｉ［℃］に予熱する予熱工程と、予熱された前記原料ガスを分解炉内に滞留させる分解工程とを有し、前記分解工程での前記原料ガスの前記分解炉内における平均滞留時間ｔ［秒］とすると、Ｔ１≦Ｔｉ≦Ｔ２，Ｔ１＝６００×ｔ^{（−０．０５７）}−１５０，Ｔ２＝１９０×ｔ^{（−０．９）}＋４７０ただしｔ≦１０かつ４００≦Ｔｉ≦５５０を満たす。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシランを製造するための方法および設備を提供する。
【解決手段】流動床反応器（１０１）中でシリコン粒子が四塩化ケイ素および水素および任意に塩化水素と反応されてトリクロロシラン含有生成物ガス流を形成し、トリクロロシラン含有生成物ガス流が出口（１１７）とその前にある特定の最大粒径以下のシリコン粒子のみが選択的通過することができる少なくとも１つの粒子分離機（１１８）備えている流動床反応器（１０１）からら排出され、そしてシリコン粒子が粒子分離機なしに、少なくとも１つのさらなる出口（１０９、１１２）を通って一定の間隔で又は連続的に反応器（１０１）から排出されることを特徴とする、前記方法、およびそのような方法を実施するのに適した第１の反応器（１０１）から排出されたシリコンが第２の反応器（１０２）に移され得るように接続されている第１の反応器（１０１）および第２の反応器（１０２）を有する、設備。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種のハロゲンシランを不均化し、かつ少なくとも１種のハロゲンシラン及び得られた少なくとも１種のシランの異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量を低下させる方法に関し、一般式Ｉ Ｈ_nＳｉＣｌ_m（Ｉ）［式中ｎ及びｍは整数、かつｎ＝１、２又は３及びｍ＝１、２又は３及びｎ＋ｍ＝４］の少なくとも１種のハロゲンシランが粒状の有機アミノ官能性樹脂と接触され、かつ一般式ＩＩ Ｈ_aＳｉＣｌ_b（ＩＩ）［式中ａ及びｂは整数、かつａ＝０、２、３又は４及びｂ＝０、１、２又は４、ここでａ＋ｂ＝４］の少なくとも１種のシランが工程で取得され、かつ前記シラン中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が式Ｉのハロゲンシランに比べて低下されている。本発明の対象はさらにハロゲンシランを不均化するため及びモノシランの製造方法における異種金属又は異種金属を含有する化合物の吸着剤としてのこの樹脂の使用である。 （もっと読む）

【課題】光学的な特性のすぐれたＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を、確実、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２基板上の中央にＥｒチップを配置し、その周囲のエロージョン領域にＳｉチップを複数個配置してＳｉＯ_２ターゲットを構成するとともに、該ＳｉＯ_２ターゲットに対してＳｉ基板を対置し、真空雰囲気下で前記ＳｉＯ_２ターゲットと前記Ｓｉ基板との間に高周波電力を印加して前記ＳｉＯ_２ターゲットから前記Ｓｉ基板に対して３〜１２時間スパッタリングさせＥｒとＳｉを添加したＳｉＯ_２薄膜を備えたＳｉ基板を形成し、ＡｒまたはＮ_２雰囲気下で前記ＳｉＯ_２薄膜を備えたＳｉ基板を９００〜１２００℃の温度条件で３０〜１２０分間熱処理して前記ＳｉＯ_２薄膜中のＥｒとＳｉを結晶化させＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を含有するＳｉＯ_２薄膜とし、前記Ｅｒ添加Ｓｉ複合粒子を含有するＳｉＯ_２薄膜をエッチングしてＳｉＯ_２を除去しＥｒ添加Ｓｉ複合粒子を得ることを特徴とするＥｒ添加Ｓｉ複合粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】籾殻などのケイ酸植物をシリカ原料として用い、効率よく金属シリコンを製造し得る方法の提供。
【解決手段】ケイ酸植物を焼成してシリカを主体として含むシリカ灰を形成する工程、次いで、得られたシリカ灰にアルミニウムを加え不活性ガス雰囲気中で加熱し、次式（１）
４Ａｌ＋３ＳｉＯ_２ → ３Ｓｉ＋２Ａｌ_２Ｏ_３ ・・・（１）
の反応を生じさせて金属シリコンを得る工程とを有することを特徴とする金属シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】固体シリコンと水素プラズマとの反応を利用してＳｉＨ_４を生成する際に、パーティクル等の副次生成物の発生率を大幅に低減し、固体シリコンを効率的にＳｉＨ_４ガス化することが可能なモノシラン生成装置およびモノシラン生成方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＨ_４生成装置は、水素ガス雰囲気下で生成した水素プラズマと固体シリコン２とを接触反応させてモノシランを生成する。水素プラズマは、電極１と固体シリコン２との間に電力を印加することにより発生し、固体シリコン２に沿った水素ガスの流れ方向において、水素プラズマが存在する水素プラズマ領域３を通過する水素ガスの水素プラズマ領域滞在時間を、生成したモノシランが水素プラズマ領域３にて分解反応を起こす時間未満とするように制御する制御手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】難燃性が高く、ワイヤー流れ量が小さい良好な成形性を有する樹脂組成物、特に半導体封止材を提供する。また、そのような樹脂組成物を調製するのに好適な非晶質シリカ質粉末と、非晶質シリカ質粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５μｍ以上６０μｍ以下、最大粒子径が７５μｍ以下、相対密度が８５％以上であり、粒子径３０μｍ以上７５μｍ以下の粒子における、粒子内部に粒子径の３０％以下の径の空隙を含有する粒子の割合が１０％以上である非晶質シリカ質粉末。シリカ質原料粉末を、シリカ質原料粉末１ｋｇあたりの熱量を１５ＭＪ／ｋｇ以上２５ＭＪ／ｋｇ以下としたプロパンガスと酸素ガスとで形成した火炎中に噴射して溶融、非晶質化した後、さらに同様の熱量でもう一度溶融し、粒子融着指数を３．０以上７．０以下とし、溶融後の粉末を７５μｍ以下の目開きの網で篩うことを特徴とする非晶質シリカ質粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】吸着塔の破過現象を早期に予見することにより、吸着塔を適切に管理し、水素ガスを高純度に精製して、高品質の多結晶シリコンを製造する。
【解決手段】トリクロロシラン及び水素ガスを含む原料ガスを反応させて多結晶シリコンを析出するとともに、その析出の際に生じる排ガスからクロロシラン類を凝縮分離し、その後塩化水素を分離した後、水素ガスを精製して原料ガスの一部として再利用する多結晶シリコン製造方法において、水素ガスを精製するための吸着塔を通過した排ガス中のモノシラン量を監視し、該モノシラン量から吸着塔の破過を事前に予見して吸着塔の運転を管理する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン反応炉において、炉底に付着したポリマーやシリカ等を容易に除去する。
【解決手段】加熱したシリコン芯棒の表面に原料ガスを接触させることにより多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン反応炉１０であって、シリコン芯棒が立設される炉底４０を有し、この炉底４０の上面４０ａが凹形となるように形成され、この上面の最下部に炉底４０を上下方向に貫通する流路４４の開口部４４ａが設けられているとともに、この開口部４４ａに着脱可能に取り付けられるプラグ５０を備える。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコンから高純度シリコン結晶を得る製造工程において、粗製液体ポリクロロシランからリン不純物又はホウ素不純物を除去する方法及び装置、並びに除去剤を提供する。
【解決手段】除去方法は、平均粒径が０．３〜１．００ｍｍであり、水銀圧入法による細孔直径５０〜２２５００ｎｍの細孔容積が０．１０ｍＬ／ｇ以下であり、細孔直径５０ｎｍ以上での細孔容積のピークが細孔直径１００〜４００ｎｍに存在し、ＢＥＴ法による比表面積が１３００ｍ^２／ｇ以上であり、充てん密度が０．５５ｇ／ｍＬ以上であり、強熱残分が０．５質量％以下であり、水中振とう試験によるダスト発生率が６００ｐｐｍ（質量／質量）以下であり、硬さが９９．５％以上である活性炭と、液体ポリクロロシランとを接触させる工程を含む。 （もっと読む）