【課題】 シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、反応炉から排出される排ガスを水素ガスに精製する際に、水素ガス中のメタン濃度を効果的に、且つ経済的に下げる。
【解決手段】 反応炉１から排出される排ガスＡを凝縮器２に通し、主に排ガスＡ中のクロロシラン類を凝縮除去する。その後、凝縮器２を通過した排ガスＢをコンプレッサ３で加圧して吸収塔４、吸着塔６に通し、精製水素ガスＤとして反応塔１に戻す。凝縮器２において増設等により容量を増大し、排ガス滞留時間を長くして、メタンガスの凝縮液への溶解を促進することにより、メタン濃度を３／４以下にする。精製水素ガスＤのメタン濃度が下がり、排ガスＡ中のメタン濃度が１５ｐｐｍ以上の場合も、精製水素ガスＤのメタン濃度を１ｐｐｍ未満にすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ９について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ９を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ９を誘導加熱し、カーボンヒータ９に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置、並びにその洗浄によって高品質の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの洗浄方法であって、酸液による酸洗工程Ｓ４と、この酸洗工程Ｓ４の後に純水で洗浄する水洗工程Ｓ５とを有し、該水洗工程Ｓ５では、純水を貯留した水洗槽に前記多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも１回以上前記水洗槽内の純水を入れ替えて、前記多結晶シリコンの表面に残留した前記酸液の除去を行うとともに、前記水洗槽中の純水の電気伝導度Ｃを測定し、前記電気伝導度Ｃの測定値によって前記水洗工程Ｓ５の終了を判断することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素の純度が高くなくても電子部品に悪影響を与え難い球状シリカ粉末を得ることができる球状シリカ粉末製造用ケイ素含有合金を提供すること。
【解決手段】火炎中で酸素と反応させて球状シリカ粉末を製造する原料であるケイ素含有合金であって、ケイ素を８０質量％以上含有し、（１３族元素の含有量）／｛（５族元素の含有量）＋（６族元素の含有量）＋（７族元素の含有量）｝の値が質量基準で４以上である。５〜７族元素の含有量に応じて、１３族元素を含有させることにより、高い性能を発揮させることが可能になる。５〜７族元素がシリカ粉末中に含有されていると、溶出などのおそれがある。溶出などした５〜７族元素は電子部品に対して望ましくない作用を及ぼすおそれがあるが、所定の比率で１３族元素を含有させることにより５〜７族元素における溶出などのおそれを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、１５００℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 （もっと読む）

クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコンロッドを提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】液状ミストを発生させることなく排ガスを冷却して、気液を適切に分離することにより、その原料化処理を安定させ、多結晶シリコンの生産性を高めるとともに、品質の向上と安定を図る。
【解決手段】クロロシランを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させるとともに、その排ガスを熱交換器により冷却して気液分離し、そのガス分及び液分を精製・蒸留することにより原料ガスの一部とする多結晶シリコン製造方法において、排ガスを冷却する際に、熱交換器内を４ｍ／秒〜７ｍ／秒の流速で通過させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の鏡面加工面上にジグ跡のない高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を製造する際に用いられる熱処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

結晶材料（３）を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉（１）は、底部（４）および側壁（５）を有する坩堝（２）と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁（５）の周囲の坩堝（２）の周辺に配置された少なくとも１つの側部断熱システム（６）を含む。側部断熱システム（６）の少なくとも１つの側部エレメントは、側壁（５）に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム（６）は、１Ｓ／ｍ未満の電気伝導率と、１５Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率と、を有する。
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本発明は、珪素化合物、殊にオルガノシラン及び／又は無機シラン並びに少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属含有化合物を含有している組成物を処理する方法に関し、この際、前記組成物を少なくとも１種の吸着剤及び／又は第１フィルターと接触させ、引き続き、その中の異種金属及び／又は異種金属含有化合物の含分が低減されている組成物を取得する。更に本発明は、前記化合物の減少のために、有機樹脂、活性炭、珪酸塩及び／又はゼオライト及び／又は小さい細孔寸法を有するフィルター少なくとも１つを使用することにも関する。 （もっと読む）

体積が１ｍ^３〜１０ｍ^３であり、高さが１ｍ〜１０ｍである反応器チャンバと、反応物質を供給するための反応器ノズルとを有することを特徴とするフレーム反応器を開示する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、ａ．少なくとも１つの低分子量のヒドリドシラン、ｂ．少なくとも１つの溶剤およびｃ．少なくとも２０個のＳｉ原子を有する化合物の群および／または均質触媒系の群から選択された少なくとも１つの不純物を含む精製すべき溶液が、浸透膜を使用しながら少なくとも１つの膜分離工程を有する横流型メンブラン法に掛けられるような、低分子量のヒドリドシラン溶液を精製する方法に関する。 （もっと読む）

シリコン化合物の熱分解により高純度のシリコンを製造する方法であって、シリコン化合物は、シリコン化合物が熱分解する温度にあるキャリアガスと混合して熱分解される方法が記載される。さらに、その方法を行うための反応器及びプラントが記載される。 （もっと読む）

シリコン−オン−インシュレータ構造体の劈開された表面を処理する方法を開示している。当該シリコン−オン−インシュレータ構造体は、ハンドルウェハ、シリコン層、上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含む。上記シリコン層は、上記構造体の外表面を規定する劈開された表面を有する。開示された当該方法は、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体から劈開面に沿ってドナーウェハの一部が分離される際に与えられる表面ダメージ及び欠陥を除去するため、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体を処理するのに要する時間とコストを削減するエッチングプロセスを含む。当該方法は、上記構造体をアニールする工程、上記劈開された表面をエッチングする工程、上記劈開された表面上において非接触スムージングプロセスを実行する工程と、を含む。
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【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３をハースの傾動によって溶湯から露出した底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させてスカル２２の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してホウ素を酸化し、形成された酸化ホウ素を真空雰囲気において蒸発させ、しかる後、一方向性凝固等による固液分配係数の差を利用して不純物部分を除去して精製シリコンインゴットを形成した後、当該インゴットを電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、これを溶解して溶融面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、高純度精製シリコンを得る。 （もっと読む）