本発明は、様々なフッ化原料と非晶質シリカ（ＳｉＯ_２）及び硫酸を用いたテトラフルオロシラン（ＳｉＦ_４）の連続式製造方法に関する。本発明によれば、テトラフルオロシランの収率を高めることができ、低コストで環境に優しくテトラフルオロシランを連続製造できる。さらに、反応時に発生するフッ化水素の量を最小化し、装置の腐食を最小化することができ、ＳｉＦ_４と水の混合ガスである反応生成物を、高温でＨ_２ＳＯ_４スクラバーに通過させ、水を除去し、凝結された水とＳｉＦ_４の副反応によるシリカゲル及びヘキサフルオロケイ酸の発生を防止し得ることによって、配管の目詰まりやＳｉＦ_４の収率低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ含有鉱物粉末とアルカリ水溶液を混合して、ｐＨを１１．５以上に調整し、液分中のＳｉ濃度が３．０質量％以上に溶解させた後、固液分離する工程と、（Ｂ）得られた液分と酸を混合して、ｐＨを３．０未満に調整した後、固液分離する工程と、（Ｃ）得られた液分をアルカリ源と混合してｐＨが４．０未満である水溶液を調製し、及び／または４０〜１００℃に加温した後、固液分離する工程と、（Ｄ）工程（Ａ）と工程（Ｂ）の間、及び／または、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間で、前工程で得られた液分に対してイオン交換処理、及び／または活性炭処理を行う工程と、（Ｅ）工程（Ｃ）で得られた固形分と酸溶液を混合して、ｐＨを３．０未満に調製した後、固液分離して、ＳｉＯ_２を含む固形分と、不純物を含む液分を得る工程、を含む高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】水素化物系ガスを含む混合ガスを高い回収率を維持しつつ分離して、水素化物系ガスを高純度に濃縮する。
【解決手段】気体分離膜が収容された密閉容器の未透過ガス排出口を閉止し、透過ガス排出口を開放した状態で、ガス供給口を開放して密閉容器内に混合ガスを供給し、充圧する第１の過程と、混合ガスの供給開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、ガス供給口を閉止して混合ガスの供給を停止し、当該状態を保持する第２の過程と、保持状態の開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を開放して水素化物系ガスを回収する第３の過程と、回収開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を閉止する第４の過程を備え、第１〜第４の過程を連続的に繰り返すことを特徴とするガス分離方法である。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉を提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

【課題】表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるシリコン塊の処理方法。（ａ）常温のシリコン塊を加熱する工程、（ｂ）前記加熱したシリコン塊を冷却し、クラックを発生させる工程、（ｃ）前記クラックが発生したシリコン塊を破砕してシリコン破砕物とする工程、（ｄ）前記シリコン破砕物を純水に浸漬し、冷却または破砕により表面に発生したクラックに純水を浸透させる工程、（ｅ）前記純水に浸漬したシリコン破砕物の表面を、エッチング剤を用いてエッチングする工程、および（ｆ）前記エッチングしたシリコン破砕物の表面を純水で洗浄し、前記エッチング剤を除去する工程。 （もっと読む）

【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にするトリクロロシラン製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１内に上下方向に沿って設けられ原料ガスを加熱する複数のヒータ２０と、ヒータ２０に接続された複数の通電用電極部２３とを備え、通電用電極部２３は、反応室１０１の底板１３上に突出配置される柱部２４と、柱部２４の上端部に水平方向に沿って設けられ上面にヒータ２０の基端部が電気接続状態に固定される受板部２５とを有しており、受板部２５が隣接状態に配置されることにより反応室１０１の下部にガス導入室１０１ａが区画形成され、反応室１０１を囲む筒状壁体１１Ａにガス導入室１０１ａに原料ガスを案内するガス導入口１１ｂが形成され、受板部２５間の隙間がガス導入室１０１ａに導入された原料ガスを流通させるガス流通路１０２とされる。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】破砕しやすい天然石英原料を用いて球状シリカ粒子を製造する方法の提供。
【解決手段】種々の天然石英を検討した結果、天然石英にも破砕のし易いものから破砕し難いものまであることを発見した。そこで破砕しやすい天然石英について鋭意検討を行った結果、それらの天然石英に共通する性質を見出した。この共通する性質を備える天然石英は簡単に破砕することが可能であり、低エネルギーで球状シリカ粒子を製造することが可能である。すなわち、２０μｍを超える粒径をもつ天然石英原料を体積平均粒径０．１μｍ〜２０μｍになるように破砕して破砕シリカ粒子とする破砕工程と、前記破砕シリカ粒子を火炎中に投入して溶融させた後、冷却して球状シリカ粒子とする球状化工程と、を有する球状シリカ粒子の製造方法であって、前記天然石英原料は、前記破砕工程により得られる前記破砕シリカ粒子の円形度が０．９以上であることにある。 （もっと読む）

【課題】球状の不純物が少ない合成シリカガラス粉末を経済的に製造することができる方法、およびこの方法によって製造した球状の合成シリカガラス粉末を提供する。
【解決手段】合成したシリカ質のゲルをスプレー乾燥して球状化し、この球状乾燥粒子を焼成してガラス化することを特徴とする合成シリカガラス粉末の製造方法であり、好ましくは、球状乾燥粒子を１１２５℃以上に加熱焼成して、嵩比重１.０以上、比表面積０.１ｍ²/ｇ以下にする製造方法、および上記方法によって製造され、光透過性が焼成前の乾燥粒子より低いことを特徴とする合成シリカガラス粉末。 （もっと読む）

【課題】無機粒子の凝集を抑制しつつ、確実に、無機粒子の表面に処理液を付着させることができる粒子製造装置、粒子製造方法および半導体封止用樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒子製造装置１は、無機粒子の表面に処理液を付着させる処理室３と、処理室３の下流側に連通し、粉末材料と空気とを分離するチャンバ４と、供給部５および供給装置６等を有し、処理室３内に粉末材料を供給する粉末材料供給手段５０と、ノズル７、ポンプ８、供給装置９および高圧空気発生装置１１等を有し、処理室３内に供給された直後の粉末材料に処理液を液滴として噴霧する処理液噴霧手段７０とを備えている。処理室３の容積は、チャンバ４の容積よりも小さく設定されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸洗浄をより効果的に実施して、不純物であるアルミニウムが有利に低減されることにより精製されたシリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンを製造する方法は、アルミニウムを７重量％以上含有するシリコンを加熱してシリコン融液を得る溶融工程（Ｓ１０）、当該シリコン融液を凝固してシリコン塊を得る凝固工程（Ｓ２０）、当該シリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程（Ｓ３０）、及びシリコン粒子を酸性溶液に３時間以上浸漬して酸洗浄する洗浄工程（Ｓ４０）、をこの順に備え、凝固工程（Ｓ２０）において、１３５０℃までの平均冷却速度が１．０×１０^４℃／分以上である。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板にシリコン薄膜を形成する際、従来のプラズマ処理装置に比べて純度の高いシリコン薄膜を形成することのできる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器と、前記成膜空間に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスが供給された前記成膜空間で、電磁波を用いてプラズマを生成させるプラズマ生成素子と、を有する。前記プラズマ生成素子は、前記成膜空間と隔壁で隔てられた空間に設けられ、前記隔壁の前記成膜空間に接する表面には、シリコンを主成分とする隔壁基材が設けられている。 （もっと読む）

【課題】硬い金属粉体などの接触に対して耐磨耗性が優れた部材を提供する。
【解決手段】気流により移動する金属粉体または無機化合物粉体が接触する部材であって、該部材における粉体が接触する表面にセラミックス層やダイヤモンド膜などの磨耗防止手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシランとメチルジクロロシランの分離を容易化して高純度のトリクロロシランを得ること。
【解決手段】メチルジクロロシランとテトラクロロシランとトリクロロシランとを含む混合物を蒸留して蒸留前混合物よりもメチルジクロロシラン含有率が高い留分を分画し、この分画された留分を加熱してメチルジクロロシランとテトラクロロシランとの間で塩素の再分配を行ってメチルジクロロシランをメチルトリクロロシランに変換する。そして、このメチルトリクロロシランを含む再分配後の留分を蒸留精製して高純度なトリクロロシランを分離する。この方法では、沸点が蒸留精製の対象であるトリクロロシランの沸点（３２℃）と近いために除去が困難であったメチルジクロロシラン（沸点４１℃）を、テトラクロロシランとの間で塩素の再分配を行うことによりメチルトリクロロシラン（沸点６６℃）に変換させることとして除去を容易なものとしている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

【課題】亜鉛還元法により四塩化珪素から多結晶シリコンを製造する際に、塩化亜鉛を安定して再生しながら、太陽電池品質の多結晶シリコンを製造する方法の提供。
【解決手段】粗金属シリコンを塩化した四塩化珪素を蒸留して不純物を分離した精製四塩化珪素に、金属亜鉛を接触させて還元し、塩化亜鉛と高純度金属シリコンを生成する多結晶シリコンの精製方法において、（１）生成した前記塩化亜鉛に水酸化ナトリウム水溶液を添加し、水酸化亜鉛及び塩化ナトリウム水溶液を得る湿式反応工程、（２）前記（１）の工程で得た塩化ナトリウム水溶液を電気分解して陽極表面から発生する塩素ガスと、陰極表面から発生する水素ガスと、残置の水酸化ナトリウム水溶液とに分離する電解工程、（３）前記（２）の工程の陰極から発生した水素ガスを用いて、前記（１）の工程で得られた水酸化亜鉛を還元して金属亜鉛を生成する還元工程を有する多結晶シリコンの精製方法。 （もっと読む）