【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】粒径がマイクロメートルサイズであり長期間の蛍光特性を有するシリコン粒子、およびこれを調製する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を原料として高温で亜鉛蒸気と気相反応させることで、数十マイクロメートル程度の多結晶シリコンマイクロ粒子が得られ、得られた粒子をエッチングすることで、粒子の内側から放射状に伸びた多数の突起を有するイガグリ状又は花弁状の形状とし、安定な蛍光特性と超撥水性の発現を可能とする。 （もっと読む）

【課題】冶金法によるシリコン原料の精製プロセスにおいて、各工程間の搬送経路の途中で溶融シリコンの搬送方向を変える必要がある場合に、好適に使用することができるシリコン融液の搬送部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ５〜１０mmを有する複数のＣ／Ｃコンポジット板材の端部を接合して形成され、搬送経路の途中に溶融シリコンの搬送方向を変える方向変更部を有するシリコン融液の搬送部材であり、Ｃ／Ｃコンポジット板材の２枚が互いに所定の角度で接合される接合箇所が、直径３〜８mmφ及び長さ７．５〜３２mmの大きさの軸部を有する連結具を４〜５０mmの間隔で打ち込んで固定され、かつ、カーボン接着剤で固着されているシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、精密研磨に適した研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカゾルは動的光散乱法により測定される平均粒子径が５〜３００ｎｍの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が１０〜６０重量％であって、２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定時のケミカルシフト−７３〜−１２０ｐｐｍのピーク面積におけるＱ４の面積が８８％以上、Ｑ３の面積が１１％以下である。但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Ｑ４は−１００〜−１２０ｐｐｍの範囲のピークであり、Ｑ３は−８２〜−１００ｐｐｍの範囲のピークである。 （もっと読む）

【課題】不純物を確実に除去して優れた洗浄効果を得るとともに、作業性を向上させることのできる多結晶シリコンの洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽２の洗浄室２１〜２５内に、異なる勾配の載置面６１を有する支持台６が複数配設され、バスケット３は、その両側部に、吊り上げ機４２により係止される突出部３５がバスケット３の幅方向外方に突出し、かつ、長さ方向に間隔をあけて相互に平行に一対ずつ設けられてなり、支持台６は、その両側部に、載置面６１にバスケット３を載置する際に、一対の突出部３５の間に配置され、支持台６の載置面６１よりも上方に突出する一対のガイドフレーム７が上下方向に沿って立設されている。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類留出物中からドナー不純物およびアクセプタ不純物を除去して含有量を低減させる技術を提供すること。
【解決手段】本発明のクロロシラン類の精製方法は、水素化工程101および／または塩素化工程102、不純物転化工程103、精製工程104の少なくとも３つの工程を備えている。不純物転化工程103では、一般式Ａｒ−Ｒ−ＣＨＯ（Ａｒは置換または未置換のアリール基、Ｒは炭素数２以上の有機基）で表記されるアルデヒド化合物が添加され、クロロシラン類留出物に含有されているドナー不純物およびアクセプタ不純物が高沸点物に転化される。ドナー不純物とアクセプタ不純物を高沸点物に転化させた後のクロロシラン類留出物は、精製工程104へと送られる。精製工程104では、蒸留塔などを用いることにより、塔頂部より系外に回収して、充分にドナー不純物およびアクセプタ不純物が除去された高純度のクロロシラン類を得る。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、破砕歯及びロール外表面からの多結晶シリコン塊への不純物のコンタミを防止し、高品質の多結晶シリコンを得ることができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に超硬合金又はシリコン材によって形成された複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、ロール３に破砕歯５を挿通させた状態で巻き付けられて、ロール３の外周面を覆う樹脂カバー４５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの塊が破砕されずに通過してしまうことを防止し、効率的に多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕することができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に高さの異なる複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、高さの高い破砕歯５Ｌと高さの低い破砕歯５Ｓとが少なくともロール３の周方向又は幅方向に交互に設けられるとともに、両ロール３の破砕歯５どうしが最も近接する位置において、高さの高い破砕歯５Ｌと、高さの低い破砕歯５Ｓとの先端どうしが対向するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】ヒータの劣化を防止しつつポリマーの処理量を多くする。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段１１と、分解炉２の内底部を除き内部空間を内側空間と外側空間とに二分する上下方向に沿う中心管体３と、中心管体３の内側空間又は外側空間のいずれか一方の空間にポリマー及び塩化水素を供給する原料供給管４と、他方の空間から反応後のガスを導出する反応ガス導出管６とが設けられ、加熱手段１１は、分解炉２の高さ方向の複数箇所で炉本体７の周囲を囲む複数の筒状ヒータ１２〜１５を有し、分解炉２の内部空間の高さ方向の複数箇所の温度を検出する内部温度検出センサ１６〜１９の検出結果に基づき筒状ヒータ１２〜１５の出力を制御するとともに筒状ヒータ１２〜１５の温度検出する外部温度検出センサ２０〜２３の検出結果に基づき筒状ヒータ１２〜１５の出力又は原料の供給を制御する制御部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】破砕歯間への多結晶シリコンの詰まりを防止して、多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕し、微細粉の発生を防止することができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟みこんで破砕する多結晶シリコンの破砕装置１であって、ロール３は、半径方向外方に突出する複数の破砕歯５が周方向に間隔をおいて設けられたディスク３１，３２を軸線方向に複数積層して形成されており、これらの隣接するディスク３１，３２どうしの回転数を異ならせて構成している （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、歯の一部に欠けや摩耗等が生じた場合に、その歯のみを交換可能とする。
【解決手段】平行な軸心回りに互いに逆回転する一対のロール間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロールの外周面上に、複数の破砕歯５とこれら破砕歯５をロールの外周面上に固定する固定カバー１１とを有する破砕歯ユニット８がロールの周方向に並んで複数設けられており、破砕歯５は、その基端部に拡径したつば部１４が形成され、固定カバー１１は、ロールの長手方向に沿う短冊状に形成されるとともに、厚さ方向に貫通する破砕歯固定孔２１が長手方向に並んで複数形成され、破砕歯５の先端部を破砕歯固定孔２１からロールの半径方向外方に突出させつば部１４をロールとの間に挟持した状態でロールに固定されている。 （もっと読む）

【課題】初期溶解時に用いるダミーバーに起因して発生する異物の混入を防止して、歩留りを改善することができる多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導法による多結晶シリコンの製造方法において、モールド２内のシリコン原料を初期溶解する際に当該シリコン原料を支持するためのダミーバー４として、ダミーバー本体４ａの上面にシリコン５が結合されたダミーバーを使用する。前記ダミーバーとして、鋳造終了後に、インゴットと結合したダミーバーの当該結合部よりも上のインゴットの部分で切断することにより、ダミーバー本体の上面にシリコンを存在させたダミーバー、さらには、これに酸による洗浄等の処理を施したダミーバーを使用する実施形態を採ることとすれば、従来のカーボンダミーバーを使用した場合における窒化ケイ素の異物の混入を抑制し、歩留りの向上等、種々の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ耐性に優れたシリカ膜を形成することができ、且つ、安定性に優れたシリカ膜前駆体組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと溶媒と酸触媒を混合してアルコキシシランの加水分解反応及び縮重合反応を生じさせた後、前記アルコキシシランのアルコキシ基１モルに対し、０．００５〜０．２モルのシリル化剤を添加して前記縮重合反応により生じたアルコキシシランの重合体の反応末端をシリル化する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン析出後の回収に於いて、電極ユニットなどの材質からの汚染を防ぎ、回収するシリコンの収量を十分に確保できる多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の前記外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン細棒の製造における欠点を回避して従来技術を改善する。
【解決手段】シリコン細棒（１）の製造方法であって、ａ）多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも２つの細棒（１１，１２）を分離する工程；ｂ）前記分離された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程；ｃ）前記清浄化された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を溶接して、１つのより長い細棒（１）とする工程；ｄ）前記のより長い細棒（１）をチューブラフィルム（１００）中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】微細片の発生を防ぎつつ破砕片の分級を円滑に行う。
【解決手段】一定間隔で相互に平行に並べられた複数本の固定レール２と、これら固定レール２と直交する方向に配置され固定レール２との間で格子状の篩面４を形成する複数本の可動レール３とを備え、可動レール３は、その長さ方向の途中位置で隣接する可動レール３の間隔の範囲内で配列方向にずれて配置された第１レール部６と第２レール部７とを有し、固定レール２には、各可動レール３をその長さ方向に沿ってスライド自在に配置する溝部５が篩面４の上方に開放した状態に形成され、可動レール３に、可動レール３を固定レール２の溝部５内に配置した篩面形成位置から、溝部５の上方に突出した位置で固定レール２の相互間隔の範囲で長さ方向に移動した後、溝部５内に下降して篩面形成位置までスライドして復帰するウォーキングビーム機構が設けられている。 （もっと読む）