【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０．０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液と１０．０体積％以上の濃度の鉱酸を混合して、液分中のＳｉを非ゲル状の沈降性シリカとして析出させるシリカ回収工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られたＳｉＯ_２を含む固形分と鉱酸を混合する酸洗浄工程と、（Ｄ）工程（Ｃ）で得られたＳｉＯ_２を含む固形分と水道水を混合する水道水洗浄工程と、（Ｅ）前工程で得られたＳｉＯ_２を含む固形分とイオン交換水を混合するイオン交換水洗浄工程と、を含む高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ボロンを含有する金属シリコン多孔質体にプラズマを照射して溶融し、非酸化性雰囲気で冷却することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン多孔質体は、充填率が６０％以上であること、金属シリコン粉末を還元性ガス雰囲気下で焼結することによって調製されること、又は金属シリコン粉末を８００℃以上で焼結することによって調製されること、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】操作が簡単で、しかも、汚染や異物混入が生じ難い多結晶シリコンロッドの破砕方法を提供すること。
【解決手段】中心軸Ｃの方向に力学成分を有する衝撃力Ｆ₁（第１の衝撃力）を、打撃等により、多結晶シリコンロッド１０の一方端部に加える。この衝撃力（打撃の力）Ｆ₁は、多結晶シリコンロッド１０の内部に弾性波（第１の弾性波）を発生させ、この弾性波により、多結晶シリコンロッド１０の中心軸Ｃを分断する破砕面１を有する多結晶シリコン塊に破砕する。第１の衝撃力の付与は、多結晶シリコンロッド１０の一方端部とは逆の端部である他方端部を固定した状態で行われることが好ましい。多結晶シリコンロッドは結晶粒の集合であり、ロッド内部では局所的に強度のばらつきがあるため、付加された衝撃力が局所的に強度の弱い部分に有効に作用し、長尺の多結晶シリコンロッドであっても全長に渡る破砕を実現させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ溶融析出反応器の下部に配置されるポリシリコン受け容器であって、収容されたポリシリコンに表面変質を生じせしめないポリシリコン受け容器を提供する。
【解決手段】Ｓｉ溶融析出反応器１の下部に配置され、該反応器１の内面から溶融落下したポリシリコンを受けるための受け容器１５であって、該受け容器１５の少なくとも内面に、水分の吸脱湿を防止する表面処理層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末とＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により２時間以上７２時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｇｅ粉末は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末の総モル数に対する割合が１モル％以上２０モル％以下となるように使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】より結晶成長に適した温度勾配を形成でき、品質の高い結晶を製造できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】上端に開口３１を有し、下端に底部３２を有するるつぼ３と、るつぼ３を包囲し、るつぼ３の上下方向に沿って第１の位置と第２の位置の間を移動できる加熱装置２とを有しており、加熱装置２が稼動すると、るつぼ３の底部３２の側から開口３１の側に向かう順に、第１の温度域２０１と、第１の温度域２０１よりも温度が高い第２の温度域２０２とがそれぞれ画成され、加熱装置２が前記第１の位置にあるときに、るつぼ３は第２の温度域２０２にあり、加熱装置２が前記第２の位置にあるときに、るつぼ３は第１の温度域２０１にあることを特徴とした結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、シリカを含む植物を加熱処理や化学、生物学的処理などをして得られる分解処理残分を原料として、安価に高純度の四塩化ケイ素を製造できる方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、シリカを含む植物を加熱して得られる、炭素／シリカの質量比が０．２以上２．０以下である分解処理残分に、ＪＩＳ標準篩の呼び寸法で１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、分解処理残分中のシリカ１００質量部に対して、１０〜４０質量部加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】ガスクロマトグラフ分離の際の塩化水素のテーリングを防止すること。
【解決手段】本発明では、ガスクロマトグラフィ用のカラムとして、一部にエーテル鎖を有していてもよいフッ素化された飽和炭化水素樹脂上に担持された無極性シリコーンオイルを固定相としたものを用いる。このようなカラムを用いることにより、塩化水素を比較的多量に含むモノシラン、モノクロロシラン、ジシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のシラン・クロロシラン類をガスクロマトグラフ分離するに際して、従来のカラムでは強く表れる塩化水素のテーリングが抑制され、シラン・クロロシラン類の各成分の分離が可能となる。その結果、シラン・クロロシラン類のガスクロマトグラフィによる定量分析の精度が大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコンの破砕に適した破砕装置を提供する。
【解決手段】破砕装置１は、塊状の多結晶シリコンを破砕する１次破砕手段１０と、１次破砕手段により破砕された多結晶シリコン破砕物のうち、サイズの大きい多結晶シリコン破砕物を破砕する２次破砕手段２０とを有しており、１次破砕手段１０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円錐面状に形成され、２次破砕手段２０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円柱面状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度が低く、かつ成形性が良好であるシリコン−成形助剤複合粉の製造方法、およびその複合粉を原料とした多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。
【解決手段】芯線ホルダ２０には本体の上面に開口部２２をもち下面側に向かう芯線挿入孔２１が形成されており、この芯線挿入孔２１にシリコン芯線５が挿入される。また、芯線挿入孔２１の中心軸Ｃを含む仮想平面Ｐに沿うスリット状の間隙部６０が形成されており、このスリット状間隙部６０は、芯線挿入孔２１からホルダ２０の本体の外側面にまで至る間隙部となっている。芯線挿入孔２１に挿入されたシリコン芯線５は、例えばボルト・ナット方式の固定部材３１によってホルダ２０の本体の上部が側面から締め付けられることにより、間隙部６０の間隔が狭まるように締め付けられて固定される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン析出のために十分な熱と流動ガスとを均一に供給することができ，多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 反応管と、独立的に制御して流動ガスを前記反応管の内部に供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、ボイドの発生や経時的な増粘を抑制することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、固体ＮＭＲスペクトルにおいて、縮合性基が結合していないケイ素原子のピーク面積をＡ、縮合性基が２個結合したケイ素原子のピーク面積をＢとしたときに、（Ｂ／Ａ）×１００で示される両者の比率（％）が１．０％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、耐久性の高い硬化物を形成することができ、しかも硬化性樹脂に対して優れた分散性を有し良好な流動性を確保して高密度実装などのアンダーフィル実装にも好適に使用することができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲ）において、３４００〜３５００ｃｍ^-1にピークトップを有するシラノール基のＯＨ結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ａｄＯＨ））とシロキサン結合のピークの最大吸光度（Ｉ（ＳｉＯ））との比（Ｉ（ａｄＯＨ）／Ｉ（ＳｉＯ））が０．００１０以上０．００２５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に流動性の低下やボイドの発生を確実に抑制でき、製造ロットに拘らず好適に半導体用封止材に用いることができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、粒子表面のシラノール基濃度（ｍｍｏｌ／ｇ）を、ＢＥＴ法により測定される粒子の比表面積（ｍ^２／ｇ）で除することで求められる単位表面積あたりのシラノール基量が、０．０１０ｍｍｏｌ／ｍ^２以上、０．０６５ｍｍｏｌ／ｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）