【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコン破砕物の製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線回りに互いに逆回転する一対のロール間に塊状の多結晶シリコンを挟み込むことにより破砕する破砕工程を有し、各ロール３には、外周面上に複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられ、各破砕歯５は、先端面１５が球面状に形成されるとともに、側面１６が円錐面状又は円柱面状に形成されており、破砕工程は、両ロール３の対向部間における破砕歯５の先端面１５どうしの対向距離Ｇに対する投入される破砕前の多結晶シリコンの最大辺の長さの比で特定される破砕比を１．０以上１．５未満に設定して破砕する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属不純物がより少なくかつ緻密なシリカ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】１）アルカリ触媒及び水を含む母液を調製する工程及び
２）ケイ酸アルキルを加水分解して得られた加水分解液を前記母液に添加する工程
を含むコロイダルシリカの製造方法であって、
前記加水分解液を前記母液に添加する添加速度が、４１ｇシリカ／時／ｋｇ母液以下であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ウラン濃度のシリカ粉体が低コストで製造できる製造方法の提供。
【解決手段】ウラン含有量が１ｐｐｂ以下のケイ石破砕物を高速気体中にて互いに衝突させて粉砕し粉砕物にする粉砕工程と、その粉砕物を火炎中に投入して溶融球状化する溶融球状化工程とを有することを特徴とする。つまり、極力、粉砕装置に接触させることなく粉砕操作ができる方法を採用することで粉砕装置からのウランの混入を防止できる。特に、粉砕工程はエラストマーにてライニングされた粉砕容器中にて行うことで、高速気流に乗ったシリカ粉体が粉砕装置の粉砕容器の壁に衝突し、容器の壁からの混入の可能性を減らすことができる。また、高分子材料からのウラン除去は比較的簡単なので、万が一、高分子材料が混入してもウランの混入が抑制できる上、高分子材料が粉砕物中に混入してもその後の溶融球状化工程において酸化・飛散するので問題になり難い。 （もっと読む）

【課題】原料のケイ石よりも高純度のシリカ原料を製造する方法の提供。
【解決手段】天然ケイ石中における不純物は天然ケイ石の結晶粒界に集中しており、天然ケイ石を結晶粒界が現れる程度に粉砕した後に結晶粒界を酸によって溶解除去することで純度が高いシリカ原料が得られることを発見した。本発明の高純度シリカ原料の製造方法は、結晶粒界に沿ってケイ石原料を粉砕する工程と、フッ酸を含有する酸溶液にて前記粉砕物を洗浄する洗浄工程と、を有することを特徴とする。つまり、ケイ石原料を粉砕することで結晶粒界を露出させた状態として、酸溶液にて結晶粒界を除去することで、不純物を優先的に除去することが可能になり、高純度のシリカ原料を得ることができる。効果的に結晶粒界を露出する目的で、前記粉砕工程の前に、４００℃以上に前記ケイ石原料を加熱し冷却液に投入する熱処理工程を有することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】大気圧から超臨界雰囲気において行うプラズマＣＶＤによりポリシリコンを製造する。
【解決手段】ポリシリコン製造装置であって、高周波電力が印加される電極と、前記電極に前記高周波電力を供給する電力供給部と、前記電極にハロゲン化ケイ素化合物及び不活性ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部と、を備え、前記電極に前記高周波電力を印加し当該電極の間に電界を発生させた状態で前記反応ガスをプラズマ化させ当該電極の表面にシリコンを析出させることを特徴とするポリシリコン製造装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン塊又はシリコンウエハの切断又は研磨によって排出される廃スラリー又はその濃縮分に含まれる、炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法および装置の提供。
【解決手段】炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法において、該方法は、シリコン屑からシリコン屑に付着した不純物を剥離する剥離工程と、シリコン屑と剥離した不純物とを分離する分離工程とを有しており、剥離工程において、シリコン屑に超音波を照射することにより、シリコン屑から不純物を剥離させ、しかる後、分離工程において、超音波処理されたシリコン屑と剥離した不純物とを分離することを特徴とするシリコンの回収方法、および超音波発生手段を備えた剥離装置と分離装置とからなる回収装置。 （もっと読む）

【課題】強固に凝集せずに流動性に優れる疎水化無機酸化物粒子を簡易に製造する方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、下記の工程（１）乃至（６）を以下に記載の順で行うことを特徴とする；（１）塩基性触媒の存在下におけるゾルゲル反応を行い、無機酸化物粒子の分散液を得る反応工程、（２）前記反応工程によって得られた無機酸化物粒子の分散液に、特定の表面処理剤を添加して、前記無機酸化物粒子に対して第１の表面処理を行う工程、（３）前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子の分散液に、特定の化合物からなる凝析剤を添加する工程、（４）ろ過によって前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子を回収する工程、（５）回収した第１の表面処理後の無機酸化物粒子を乾燥する工程、並びに（６）乾燥後の第１の表面処理後の無機酸化物粒子に、特定の表面処理剤を添加して、前記第１の表面処理後の無機酸化物粒子に対して第２の表面処理を行う工程。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、バイオ由来シリカと炭素質物質と少量の金属ケイ素を塩素と反応させる四塩化ケイ素の製造方法において、工業的な実施に適すると同時に、シリカの反応率の高い製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、バイオ由来シリカと炭素質物質との混合物を、塩素と反応させて、四塩化ケイ素を製造する方法において、篩分粒径が１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、シリカに対して、１０〜３０ｗｔ％加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】粒状多結晶シリコンの製造において、粉塵成分を減少させて、粒状多結晶シリコン中において許容し得る最大の粉塵成分を特定する、改善されたシステムの提供。
【解決手段】粒状多結晶シリコンＧＰから粉塵成分Ｄを引き離すための減圧ソースＶ、対向する第１の端部および第２の端部、粒状多結晶シリコンＧＰを通過させるための前記第１の端部における多結晶シリコン通路、および前記減圧ソースＶに連絡する減圧ポート５９を有してなるプロセス容器Ｐ、ならびに前記プロセス容器Ｐからの粒状多結晶シリコンＧＰを受け入れるためのコンテナ９１を有し、前記プロセス容器Ｐから粒状多結晶シリコンＧＰを注ぐために前記プロセス容器Ｐを直立した状態から回転させる際に、粒状多結晶シリコンＧＰが前記減圧ポート５９を塞ぐことがないように、前記減圧ポート５９は前記プロセス容器Ｐにおける第２の端部に隣接して配置されているシステム。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いるフラックス中の不純物、特にＢを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するＢが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いることで、Ｓｉ中のＢを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてＢを除去したＳｉに、高真空下、局所高温加熱等によりＰを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度６Ｎ程度の太陽電池に使用可能な高純度Ｓｉとすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０．０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液と１０．０体積％以上の濃度の鉱酸を混合して、液分中のＳｉを非ゲル状の沈降性シリカとして析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ_２を含む固形分と、不純物を含む液分を得るシリカ回収工程、を含み、前記工程（Ｂ）において、ケイ酸アルカリ水溶液、及び鉱酸の少なくともいずれか一方と過酸化水素を混合することを特徴とする高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストであって、シリカ系微粒子の平均粒子径が５０〜１０００ｎｍの範囲にあり、該シリカ系微粒子は限外濾過膜処理および／またはイオン交換処理し、ついで乾燥して得られたものである。シリカ系微粒子のアルカリ金属の含有量は２０ｐｐｍ以下であり、ペ−スト注のシリカ系微粒子の含有量は３０〜９０重量％の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコンの破砕に適した装置及びその破砕装置を用いた多結晶シリコン破砕物の製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線４回りに互いに逆回転する一対のロール３の間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置１であって、両ロール３の両端部に、両ロール３の間隙の側方を閉塞する仕切り板９（側板）が、ロール３の軸線４と直交し相互に一定の間隔をおいて平行に設けられており、ロール３の外周面上に複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられるとともに、仕切り板９の内壁面上に複数の突出歯９１がロール３の軸線４と平行な方向に突出して設けられている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができる、多結晶シリコンの破砕に適した装置及びその破砕装置を用いた多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線回りに互いに逆回転する一対の主ロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置１であって、二つの主ロール３の間隙Ｇ１の下方に、間隙Ｇ１を通過する多結晶シリコンを受ける副ロール４（受け部材）が設けられるとともに、副ロール４と主ロール３との対向間隙Ｇ２は間隙Ｇ１と同じか又はそれよりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）