【課題】ボイドの発生が抑制された良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造方法および結晶の製造装置、およびかかる結晶の製造装置に用いられる結晶育成用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶の製造装置は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。この結晶の製造装置は、溶解液、結晶原料および種子結晶を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、種子結晶ごとに設けられた結晶育成用治具１３が収納されている。結晶育成用治具１３は、種子結晶の主面の一方を覆うように設けられた第１の面と、第１の面と直交する第２の面と、を有している。そして、結晶育成用治具１３は、チャンバー２の横断面の中心Ｏを囲むように環状に配置され、好ましくは多重の同心円の環状に配置される。 （もっと読む）

【課題】投入されるポリシリコン塊による、ルツボの内表面に欠け、割れの損傷を抑制すると共に、ルツボの内表面に凹みの損傷を受けた場合にも、シリコン等の溶融熱によってシリカガラスに変化する際に、前記凹みの損傷を修復することができるシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された外層１ａと、前記外層の内周面に、合成シリカ球状フィラーを含有する内層用コーティング液を塗布し、焼成して形成された内層１ｂとを備え、圧子（形状：コーン状ポリシリコン）に荷重を加え、内層表面の圧痕幅、圧痕深さに基づいて、硬さ（ｋｇ重／ｍｍ^２）＝荷重を加え続けた際の解放点から求められる軸力（破壊力）（ｋｇ重）／圧痕面積（ｍｍ^２）から求められる前記内層の硬さが、７００ｋｇ重／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで改質領域、クラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】円板形状の面内周波数のばらつきを軽減する水晶ウェハを提供する。
【解決手段】所定の厚みを有し、３回対称性であり、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光軸）の結晶軸を有する水晶からなる板状の水晶ウェハ１０であって、直径が１インチ以上であり、＋Ｘ軸と直交する平面を＋Ｘ面としたとき、基本形状を円形とし、その円形のうち、＋Ｘ軸と平行となる半径に対して直交する＋Ｘ面に平行となる方向にオリフラ面１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチング量をより正確に把握することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理槽１１では、ＡＴカットの水晶からなる被処理体９をエッチング溶液でエッチングする処理が行われ、ＡＴカットの水晶片３１の両面に互いに対向するように励振電極３２、３３を設けると共に、これらの面の少なくとも一部に露出領域を設けたエッチングセンサ３は、この露出領域の水晶がエッチングされるように前記処理槽１１に配置される。発振回路２２は、このエッチングセンサ３の励振電極３２、３３に接続され、前記露出領域の水晶片の厚さに対応する周波数信号を取得し、演算部４は発振回路２２から取得した周波数信号の周波数の変化に基づき、前記処理槽１１内の被処理体９のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】異物密度の小さい高品質な人工水晶を効率よく製造することが可能な人工水晶の製造方法等を提供する。
【解決手段】オートクレーブ内に板状（または棒状）の種子水晶１ａを配置し、その基本成長面の重力方向に対する傾きθを３．５°以上１６°以下とした状態で水熱合成法により人工水晶を育成する。これにより傾斜させた水晶種子１ａの下方側の基本成長面に成長させた人工水晶の異物密度の値をＪＩＳ Ｃ６７０４（２００５年版）に定める等級Ｉの要件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの部材を、接着剤、接合膜等を用いることなく、透過波面収差特性や耐湿性を維持したまま接合することが可能となる光学素子の製造方法及びその方法を用いた光学素子を提供する。
【解決手段】 ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面に、水酸基が存在するように親水化処理を施し、ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の処理表面同士を密着させた後に、５０℃〜１５０℃に加熱し、１〜１０ＭＰａの圧力で加圧することによって、接着剤、接着膜なしで接合させて、光学素子を作製する。ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面は、表面の酸素を介した共有結合または水素結合により接合されている。光学素子は、位相差板、回折素子、プリズム、レンズのいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】高精度なレーザースクライブが実現可能なレーザースクライブ割段方法
【解決手段】平面矩形状の基板２の互いに直交する第一方向Ｆと第二方向Ｓとにそれぞれ沿ってレーザーを複数列照射して格子状にスクライブ２１，２２を形成して基板２を割段するレーザースクライブ割段方法であって、前記基板２を複数列にレーザーを照射してスクライブ２１，２２を形成する前に、第一列２１１を形成する位置の近傍側縁に補強保持部材３を密着配置するスクライブ前処理工程と、前記補強保持部材３から近い順番に前記第一方向Ｆと平行な第一列２１１〜第ｎ列にレーザーを照射してスクライブ２１を形成する第一スクライブ工程と、この第一スクライブ工程でスクライブ２１が形成された第一列２１１から第ｎ列にかけて前記第二方向Ｓと平行な第一列２２１〜第ｍ列にレーザーを照射してスクライブ２２を形成する第二スクライブ工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】変形により平面度がレーザ光の焦点位置に対して許容範囲を超えた基材について、簡単な構造の装置により、効率的なスクライブ加工或いは分断加工を可能とするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】照射部２の下方の２ヶ所に突設された脚部７において、ローラＲ１、Ｒ２を回動可能に支持するようにした。このローラＲ１、Ｒ２間の中間位置は、レーザ光５の集光部６と一致するように配置されている。そして、照射部２の移動と共にローラＲ１、Ｒ２を転動させて、ローラＲ１、Ｒ２の間にある基材８を載置面９に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】刃の厚さを極薄に形成しても剛性を充分に確保でき、耐摩耗性が高められ、安定して精度よく被切断材を切断加工できる切断ブレード、切断ブレードの製造方法及び切断加工装置を提供する。
【解決手段】円形薄板状をなす基材１の外周縁部の切刃を用いて、被切断材を切断加工する切断ブレード１０であって、前記基材１が、ダイヤモンドで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物１２とを備えたシリコン構造体１０であり、繊維状突起物１２に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物１２を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物１２に磁性体１３を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】切断用ワイヤの断線を防いだ上で、１つの原石からより多くのウエハを取り出すこと。
【解決手段】端面が基準面３１とされた切断用ベース３０上に、基準面３１と原石１０の端面１２とのなす角度が指定した切断角度θとなるように原石１０を接着する接着工程と、切断用ベース３０上に接着された原石１０を間に挟むように、該原石１０の両端面１２に、平板状のカバーガラス４６を貼付するカバー工程と、基準面３１と平行に原石１０を複数のワイヤ２１で切断して、複数枚のウエハに分割する切断工程とを有するウエハの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】人工水晶をウェハ状に切断する時の切断角度を正確に求めることができる人工水晶の加工方法、この方法により製造された人工水晶及びこの方法を行うための人工水晶加工用の冶具を提供する。
【解決手段】人工水晶３の表面のＺ面が基準面となるように当該Ｚ面を研磨して、この人工水晶３の長さ方向であるＹ方向の端部に形成されたｒ面４が上を向き、且つこのｒ面４が水平となるように、Ｚ面の支持面の傾斜角度が設定された冶具を用いて、研磨したＺ面がこの冶具の傾斜面に沿うように人工水晶３を固定して、当該人工水晶の上面が水平となるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に沿って形成された主面及び側面が夫々Ｚ面及びＸ面をなす板状または棒状の種子水晶から水熱合成法により育成したアズグロン人工水晶の製造後の後工程であるランバード加工を容易に行うことができるアズグロン人工水晶を提供する。
【解決手段】種子水晶２のＹ軸方向の端部にて２つのＺ面及び２つのＸ面のうちの少なくとも１つの面に密着して当該面をオートクレーブ内の育成溶液の対流から遮蔽するための遮蔽面３１Ａを形成する本体３（３Ａ），３（３Ｂ）と、この遮蔽面３１Ａに向かってその復元力が作用する弾性体３３と、を備え、遮蔽面３１Ａと弾性体３３との間に弾性体３３の復元力に抗して種子水晶２の端部を位置させることにより、遮蔽面３１Ａを端部に密着させる治具３Ａ，３Ｂを用いて育成する。弾性体３３を利用することで確実に遮蔽面３１Ａ，３２Ａと種子水晶２を密着させることができ、種子水晶２の破損も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】水晶種子を含む水晶片を水晶デバイスの製造に用いることで製造コストを抑える方法を提供する。
【解決手段】次の全てを満足する人工水晶を用いる。エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。鉄の含有量を３ｐｐｍ以下及びナトリウムの含有量を２ｐｐｍ以下に抑えた屑水晶を原料として用いて育成する。シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 （もっと読む）