【課題】良好な品質を有する炭化ケイ素単結晶を製造することが可能な炭化ケイ素単結晶の製造装置及び当該装置で製造された炭化ケイ素単結晶により作製される炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】改良レイリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する装置であって、台座２０は、当該台座２０の外周側面が種基板３０の外周側面よりも外側に位置するとともに、種基板３０を保持するフィクサー２１を当該台座２０の外周側面から下側に向けて当該台座２０の底面２０ａよりも下側に突き出た状態で備えており、種基板３０は、当該種基板３０の一方の面（裏面）と台座２０の底面２０ａとの間に接着剤が一切塗布されず、当該種基板３０の外周側面とフィクサー２１との間に接着剤Ｇが塗布された状態で当該フィクサー２１に保持されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子定数が下地基板と略等しい乃至同一の単結晶の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるに当たり、当該化合物半導体結晶をクラックフリーのものとして大面積のエピタキシャル半導体基板を提供すること。
【解決手段】半導体バルク結晶の製造に際し、下地基板と化合物半導体単結晶との間に、下地基板と化合物半導体単結晶とが直接接する態様で空洞を形成したり、下地基板の主面に凹凸を形成し、さらに、化合物半導体単結晶のエピタキシャル成長方向に直交する結晶軸の下地基板の格子定数ａ₁と化合物半導体単結晶の格子定数ａ₂の差の比率である格子不整合度（２｜ａ₁−ａ₂｜／［ａ₁＋ａ₂］）を１×１０^-3以下とした。上記空洞や凹凸によりエピタキシャル成長途中におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積のクラックフリーのエピタキシャル半導体バルク結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたＡｌＮ自立基板、及び、このＡｌＮ自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてＳｉＣ基板６の表面上に昇華法により成長材料としてＡｌＮを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板６の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。 （もっと読む）

【課題】測定できる試験センサーの作成方法を提供する。試験場所を選ばず、様々な環境下で鉱物（ミネラル）や金属の結晶成長試験や結晶溶解速度測定が迅速・簡易に行なえるようにする。また、μｍオーダーでの簡易な測定に適用可能とする。
【解決手段】耐熱・耐薬品性にすぐれた樹脂シート例えばPFAテフロン（登録商標）シート１の表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子２，３を加熱下に埋め込み、必要に応じて研磨することで結晶成長・溶解速度試験用試験センサー５を作成する。PFAテフロン（登録商標）シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン１１と、単結晶シリコン１１の表面に形成された、開口部１２ｈを有するマスク材１２と、単結晶シリコン１１の開口部１２ｈから露出した部分に形成された炭化シリコン膜１３と、炭化シリコン膜１３及びマスク材１２を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜１４と、を含み、マスク材１２の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０^５Ｐａ・ｓ以上１０^１４．５Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５８、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に５００％以上であり、水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で１０００℃で１時間加熱後の平均結晶粒径が２００μｍ以上であるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するＧａＮのａ面：＜１１−２０＞面やｍ面：＜１−１００＞面を主面とする基板、或いは＜１１−２２＞面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたＧａＮ積層基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア下地基板１０と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板１０の主面に複数本形成された溝部の各側壁２１から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、ａ面やｍ面などの無極性面、＜１１−２２＞面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が２×１０^８個／ｃｍ^２未満、好ましくは１．８５×１０^８個／ｃｍ^２以下、特に好ましくは１．４×１０^８個／ｃｍ^２以下である窒化ガリウム結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位１０４の密度と開口部１０３の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がＮｃｍ^−２である場合、各開口部１０３の面積が１／Ｎｃｍ^２以下であれば各開口部１０３内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、
上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、
上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。
さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した方法、中間層若しくはテンプレートデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることを課題とする。
【解決手段】Ｃ面とＣ面以外のファセット面を混在させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させて得られる、Ｃ面エリアとファセットエリアとを有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶であって、前記Ｃ面エリアは、酸素含有量が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であり、かつ酸素以外のドーパント含有量が２×１０¹⁷ｃｍ^-3以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体結晶により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶付近の炭化珪素単結晶から製造された炭化珪素単結晶ウエハにクラックが発生することを抑制し、歩留まりを向上させた炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる種結晶１００を坩堝５０の一方側に配置し、炭化珪素単結晶３００の原料２０を坩堝５０の他方側に配置する。次に、原料２０を加熱し、種結晶１００上に炭化珪素単結晶３００を成長させる。その後、種結晶１００を坩堝５０から取り外し、坩堝５０の蓋体４０側に面していた種結晶１００の表面層を除去した後に、炭化珪素単結晶３００をスライスする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の上面１１ａに炭化層１２を形成する第１の工程と、シリコン基板１１の温度を第２の温度範囲の温度まで下降させる第２の工程と、シリコン基板１１の温度が第２の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板１１と炭化層１２の間の界面に形成された空孔１１ｈにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔１１ｈを埋める第３の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板１１の温度を第３の温度範囲の温度まで上昇させる第４の工程と、シリコン基板１１の温度が第３の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層１２上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第５の工程と、を有する。 （もっと読む）