【課題】反り及びクラックが発生することなく自立基板を製造することのできる自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、異種基板上に第１薄膜を成長させる第１ステップ；イオンを注入して前記第１薄膜内にイオン注入層を形成する第２ステップ；前記イオン注入層を基準に、前記第１薄膜を上部薄膜と下部薄膜とに分離する第３ステップ；及び、前記上部薄膜上に第２薄膜を成長させる第４ステップを含むことを特徴とする自立（Ｆｒｅｅ‐Ｓｔａｎｄｉｎｇ）基板の製造方法を提供し、反り及びクラックが発生することなく自立基板を製造することができ、異種基板と成長した自立基板とを分離するためのレーザー（Ｌａｓｅｒ）分離工程等の追加的な工程を必要としない効果を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を成長させることができる単結晶の製造方法と、それに用いる種結晶固定剤とを提供する。
【解決手段】種結晶固定剤３１を用いて台座４１に種結晶１１の裏面が固定される。種結晶１１の裏面が固定される際、加熱により種結晶固定剤３１が硬化させられる。種結晶固定剤３１は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、ダイヤモンド微粒子とを含む。台座４１に固定された種結晶上に単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】低減された反射率を示すケイ素基板を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３１内の台座３３に取り付けた炭化珪素種結晶３５の成長面３５ａに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶３５に炭化珪素単結晶７１を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座３３の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶７１の成長に応じて、台座３３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族基板表面の混合結晶上に結晶性を向上させたＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】立方晶のＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上にエピタキシャル堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子であって、ＩＶ族基板表面が、Ｃ２対称性の単位格子を有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の単位格子は有さない｛ｎｍｌ｝表面［式中、ｎ、ｍはゼロ以外の整数であり、かつｌ≧２］であるようにする。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板１３ｂは、表面を局部的に炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５と多結晶炭化ケイ素基板５とを金属シリコン融液１２を介して近接対向配置させた多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納容器に収納して加熱処理を行い、多結晶炭化ケイ素基板１５の炭化処理面１１に単結晶炭化ケイ素を液相成長により自己成長させて単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを生成し、更に液相成長を継続することで、単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを前記対向方向と直交する方向に液相エピタキシャル成長させて生成されており、その外周部に面方向に結晶成長した部分を有する。 （もっと読む）

【課題】大型で、結晶性が良好な窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ及びＮを含む混晶からなる種結晶を準備する工程Ｓ１０と、当該種結晶の表面を種結晶のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に含まれる＋ｃ極性領域または−ｃ極性領域の一部の極性を反転させる工程と、極性が反転した部分を含む＋ｃ極性領域または−ｃ極性領域を成長面として結晶成長させることで、窒化ガリウム系半導体単結晶を得る工程Ｓ２０と、を有する窒化ガリウム系半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶基板の反りや粒界生成を抑制することである。
【解決手段】バルク状単結晶は、針状種結晶と、この針状種結晶の側面から成長している窒化物単結晶とを有する。針状種結晶の幅に対する長さの比率が５以上であり、窒化物単結晶のｃ軸が針状種結晶の主軸と略平行である。バルク状単結晶を加工して窒化物単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化珪素層１１を形成する工程と、立方晶炭化珪素層１１を選択除去し、結晶成長領域の結晶方位面が｛１００｝面となる所望のパターンの立方晶炭化珪素シード層１１ａを形成する工程と、この立方晶炭化珪素シード層１１ａ上に立方晶炭化珪素を成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく、効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）