【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を１８３℃以上３００℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積（Ｓ；ｃｍ^２）と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間（ｔ；秒）との積（Ｓ×ｔ；ｃｍ^２・秒）が７５０ｃｍ^２・秒以上２５００００ｃｍ^２・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した
積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては７００℃以上が好ましく、さらには１１００℃以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】厚いＧａＮ膜を成長中に剥離して、高品質のＧａＮ自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＮ自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にＺｎＯ膜を形成する工程と、８５０℃以下の温度で前記ＺｎＯ膜上にＧａＮ膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して９５０℃以上の温度で、ＧａＮ膜を追加形成するとともに該ＧａＮ膜を基板から剥離させて、ＧａＮ自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするＧａＮ自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】内部ひずみを効率よく除去した下地基板を再利用することによって、下地基板の内部ひずみの影響の少ない良好な窒化物半導体自立基板を得る。
【解決手段】下地基板上に窒化物半導体結晶薄膜を形成し、該窒化物半導体結晶薄膜をボイド化し、該ボイド化した窒化物半導体結晶薄膜の上に窒化物半導体結晶厚膜を形成する３つのプロセスを、前記下地基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行する第１工程と、前記窒化物半導体結晶厚膜を前記下地基板から剥離して窒化物半導体自立基板を得る第２工程と、前記第２工程で剥離された前記下地基板を前記第１工程で再利用する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】液相成長により、単結晶の窒化アルミニウム材料を製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、種結晶の存在下に、窒化アルミニウム粉末を、窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物とともに、常圧不活性ガス雰囲気下に加熱する工程を含む窒化アルミニウムの単結晶を製造する方法であって、前記加熱工程において、前記窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物の組成が（液体＋Li₃AlN₂）相内にあり、且つ、前記窒化アルミニウム粉末に前記窒化リチウムまたは窒化リチウムとアルミニウムの混合物を合わせた全組成が（液体＋窒化アルミニウム＋Li₃AlN₂）相内にあるような温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に対して、２Ｈ−ＳｉＣ単結晶のみを、簡易かつ効果的に形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）単結晶基板の一主面上に、ＡｌＮ膜を形成し、前記ＡｌＮ膜上に２Ｈ−ＳｉＣ単結晶を形成する２Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、前記一主面の法線が、[１１１]方向から[０１１]方向または[１１２]方向に対して、０°より大きく３０°より小さい角度のオフカット角を有しており、より好ましくは、[１１１]方向から[０１１]方向に対して５°以上２０°以下、または[１１１]方向から[０１１]方向に対して６°以上２２°以下である。 （もっと読む）

【課題】 貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。
【解決手段】基底面（０００１）より傾斜角の大きいストライプ２の傾斜面２ａを貫通する貫通らせん転位４を基底面内の欠陥４ａに構造転換し、傾斜面２ａの間で欠陥４ａを貫通らせん転位と同方向へ伝播させ、ストライプ２の上側をｃ軸方向に貫通らせん転位４が貫通しない部位（ｃ軸方向に貫通する欠陥の密度を減らした領域）ｘ１として特定する。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、面方位（１１１）を有する単結晶シリコン基板１１と、単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された不完全な絶縁性を有する埋め込み酸化層１２と、単結晶シリコン基板１１の最表面に形成されたバッファ層１３と、バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。埋め込み酸化層１２は、単結晶シリコン基板１１の表面にドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下の酸素イオンを注入した後、５００〜１３５０℃で熱処理することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板にエピタキシャル膜を形成する際に生じる裏面が粗くなることを抑制することにより、炭化珪素単結晶ウエハの裏面の研磨によって生じる炭化珪素単結晶ウエハの品質の低下を抑制するとともに、工数を減少させることができる炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶ウエハの製造方法は、炭化珪素からなる主面３０ａを有するプレート３０の主面３０ａ上に基板１０を載置し、基板１０上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板としてＧａＮ膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、単結晶シリコン基板１１の表面に形成された転位層を含む加工ダメージ層１２と、加工ダメージ層１２の表面に形成されたバッファ層１３と、バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム膜１４とを備えている。加工ダメージ層１２は、単結晶シリコン基板１１の表面から深さ０．５μｍまでの範囲内に形成されている。加工ダメージ層１２は、＃２０００〜＃８０００の砥石を用いて単結晶シリコン基板１１の表面を研削した後、転位層の一部が残るように単結晶シリコン基板１１の表面を研磨することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成時のオートドープを確実に抑制することで、エピタキシャルウェーハの抵抗率均一性を向上させ、周縁部まで効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】一面１０ａ側に第一のエピタキシャル層１１を形成したシリコン単結晶基板１０は、次に、堆積物除去工程を行う。この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板１０の面取り部１０ｃを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程Ｓ１で生じた堆積物Ｐを除去する。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減することが可能なシード材とフィード材とのユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、かつ、表層のＸ線回折により（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察されるものである。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が、シード材１２よりもフィード材１１の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１未満である。 （もっと読む）