【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少ないIII族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族窒化物からなり半極性面又は非極性面を主面とする種結晶１０１上にIII族窒化物半導体層１０２が形成されたIII族窒化物結晶１００であって、前記種結晶１０１の主面内の輝線密度（α）と前記III族窒化物半導体層１０２の前記主面と平行な面内の輝線密度（β）との比（β／α）が１０以下であるか、｜β−α｜が５０以下であるIII族窒化物結晶１００。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ密度が低く、かつ断面積の大きなマイクロパイプのない炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】縁領域６０は５ミリメートル幅のものである。有効領域７０は、縁領域６０に囲まれており、かつ１００平方センチメートル以上の面積を有する。有効領域７０には、断面積が１平方マイクロメートル超のマイクロパイプが存在していない。有効領域７０は、有効領域の７０％以上を占める複数の高品質領域７１を含む。複数の高品質領域７１の各々は、四角形の形状を有し、かつ１平方センチメートル以上の面積を有し、かつ１平方センチメートル当たり１個以下のマイクロパイプ密度を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたＧａＮ自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にＧａＮ層を気相成長させる工程と、前記ＧａＮ層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、ＧａＮ自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が（１１−２０）面であるａ面サファイア下地基板１０であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比（深さ／幅）２以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】複数のチップ基板を用いて、大型で結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、（０００１）面からのオフ角ψを有する主面１０ｍと複数の側面１０ｓとを有し、側面１０ｓのそれぞれの法線Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃと＜０００１＞軸を主面に投影した方向Ｃｈとのなす角α，β，γが９０°以外の角であるＩＩＩ族窒化物チップ基板１０を複数準備する工程と、複数のＩＩＩ族窒化物チップ基板１０を、ＩＩＩ族窒化物チップ基板１０のそれぞれの＜０００１＞軸Ｃの方向が互いに平行になるように側面１０ｓを互いに隣接させて配置する工程と、配置された複数のＩＩＩ族窒化物チップ基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体材料として用いられるＩＩＩ族窒化物結晶と接合膜として用いられる酸化物膜との間の接合強度が高い複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合体の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１と酸化物膜１２とを含む複合体１０の製造方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶１１上に酸化物膜１２を形成することにより複合体１０を作製する工程と、複合体１０を５００℃以上１１００℃以下で熱処理する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】（０００１）面に対して４°以下のオフ角θ_１で傾斜したＳｉ面が主面４とされたＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ＳｉＣ基板２の主面４のオフ方向Ｄを、［１１−２０］軸方向および［０１−１０］軸方向に対して１５°＋／−１０°の角度θ_２で傾斜した方向にする。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）

【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持されオリエンテーションフラット(23)を有する下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に、円弧状部(13)と弦状部(14)を含み、前記弦状部(14)の内壁は、前記オリエンテーションフラット(23)を前記下地基板(20)の中心軸を回転軸として３０°又は９０°の整数倍回転させた面に略平行な壁面(15)を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶エピタキシャル層の成長を可能にする。
【解決手段】結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整する自己組織化方法であって、非単結晶基板上に有機−無機ハイブリッド材料の溶液を塗布するステップと、前記塗布された有機−無機ハイブリッド材料を予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を自発的に生成させるステップと、を行なうものである。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなり、ｍ面である表面を有する下地結晶１０の前記表面上に、前記下地結晶１０のｃ軸に沿って延びる複数のストライプ２２を含むマスク２０を形成する工程と、前記マスク２２が形成された前記表面の上にＧａＮ系半導体結晶３０をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の製造方法において、ＧａＮ系半導体結晶３０は下地結晶１０の露出面１５から成長し始め、マスク２０と略同じ厚さのＧａＮ系半導体結晶膜４０がまず形成される。更にＧａＮ系半導体結晶３０を成長させ続けると、ＧａＮ系半導体結晶膜４０の上に六角棒状ＧａＮ系半導体結晶３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、よりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能なＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】台座９の外周にパージガス１５が導入されるようにし、外周容器８ｂの内径が原料ガス３およびパージガス１５の流動方向下流側に進むに連れて徐々に大きくなるようにする。これにより、パージガス１５が外周容器８ｂの内周面に沿って流れる効果が高められるようにできる。したがって、効果的に排出経路にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶製造装置１をよりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 （もっと読む）