【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および／または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をａ軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にＡ面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のａ軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生が抑制された良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造方法および結晶の製造装置、およびかかる結晶の製造装置に用いられる結晶育成用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶の製造装置は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。この結晶の製造装置は、溶解液、結晶原料および種子結晶を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、種子結晶ごとに設けられた結晶育成用治具１３が収納されている。結晶育成用治具１３は、種子結晶の主面の一方を覆うように設けられた第１の面と、第１の面と直交する第２の面と、を有している。そして、結晶育成用治具１３は、チャンバー２の横断面の中心Ｏを囲むように環状に配置され、好ましくは多重の同心円の環状に配置される。 （もっと読む）

【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】多種のオプトエレクトロニクスデバイスの製造工程におけるエピタキシャル成長用基板として使用される低転位の窒化物バルク単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの六方格子のｃ軸に垂直な面の断面積が１００ｍｍ^２以上、結晶の厚さが１．０μｍ以上、Ｃ面の表面転位密度は１０^６／ｃｍ^２以下であり、またさらに加工可能な表面積が好ましくは１００ｍｍ^２以上である非極性のＡ面あるいはＭ面プレートを少なくとも１つ作るのに十分な大きさがある窒化物バルク単結晶であって、その製法は、第一基板３を銀からなるマスク層４により部分的に覆うことにより横成長にさせやすい表面６を形成したあと、XIII族元素含有フィードストックをアンモニア含有超臨界溶媒に溶解させ、前記表面６上から横方向に成長が進行し、横方向成長の結果として、前記マスク層４上にガリウム含有窒化物のバルク単結晶７が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来技術では得られなかったｃ面配向した板状ＨＡｐ単結晶を工業的規模で製造するための技術の提供。
【解決手段】Ｃａ^２＋イオン、ＰＯ_４^３−イオン、尿素及びウレアーゼを含む酸性水溶液を容器に入れ、該酸性水溶液と外気とが気液接触した状態で保持し、ウレアーゼによる尿素の加水分解による水溶液のｐＨ上昇にしたがって、ヒドロキシアパタイトの結晶核を生成させ、さらに該結晶核をａ軸及びｂ軸方向に成長させ、次いで前記水溶液に浮上している析出物を水溶液から分離採取し、次いで前記析出物に水熱処理を施して板状ヒドロキシアパタイト単結晶を得ることを特徴とする板状ヒドロキシアパタイト単結晶の製造方法。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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本発明は、高品質のＩＩＩ族−窒化物ウェハーを作製する方法を開示し、この方法は、最初の欠陥がある種晶から熱アンモニア成長法により生成されるインゴットの結晶の性質において、改善をもたらす。湾曲した種結晶上で生成されるインゴットの、注意深く選ばれた領域から次の種晶を得ることにより、次のインゴットの結晶の性質は改善され得る。具体的には、上記の次の種晶は、クラックの入ったインゴット上の応力緩和の区画または注意深く選ばれたＮ−極圧縮区画から選ばれるとき、最適化される。この種晶がスライスされるとき、３°〜１０°のミスカットが引き続く成長の構造の質の改善に役立つ。 （もっと読む）

ソルボサーマル法を用いた高品質バルク六方晶系単結晶を成長させるための技術、ならびに高品質および高成長速度を同時に達成するための技術。結晶品質は成長面に大きく依存し、非極性または半極性種表面は、ｃ面種表面と比較してより高い結晶品質を提供する。また、成長速度は成長面に大きく依存し、半極性種表面は、より高い成長速度を提供する。高結晶品質および高成長速度は、好適な成長面を選択することにより同時に達成可能である。結晶品質はまた、種表面粗度にも依存し、高結晶品質は、非極性または半極性種表面ＲＭＳ粗度が１００ｎｍ未満である場合に達成可能であり、一方、Ｇａ面またはＮ面から成長した結晶は、原子的に平滑な表面から成長したとしても低い結晶品質をもたらす。
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【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

第１の結晶組成物がガリウムと窒素を含む、結晶組成物を成長させる方法。この結晶組成物は約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有し、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。一態様で、この材料は１立方センチメートル当り約３×１０^１８未満の濃度の酸素量を有し、第１の結晶組成物の所定の体積中には二次元の平面境界欠陥がない。
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【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード１０、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質９、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ３内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシード１０の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード１０上のｍ軸方向の結晶成長速度をシード１０上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】異物密度の小さい高品質な人工水晶を効率よく製造することが可能な人工水晶の製造方法等を提供する。
【解決手段】オートクレーブ内に板状（または棒状）の種子水晶１ａを配置し、その基本成長面の重力方向に対する傾きθを３．５°以上１６°以下とした状態で水熱合成法により人工水晶を育成する。これにより傾斜させた水晶種子１ａの下方側の基本成長面に成長させた人工水晶の異物密度の値をＪＩＳ Ｃ６７０４（２００５年版）に定める等級Ｉの要件を満たすようにする。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】 強誘電特性を示すタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜の製造方法、この製造方法により得られた強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及びその応用製品を提供する。
【解決手段】 酸化タンタルを、低濃度の酸化カリウム水溶液と混合して、超臨界水熱条件下で水熱処理をすることにより、基本構造が、次の一般式；
Ｔａ_２Ｏ_５・ｘＫ_２Ｏ （式中、ｘは、０．９〜１．１の数である。）
で表される、強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜を製造する方法、この方法により得られた、強誘電材料用のタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及び薄膜部材を構成要素として含むことを特徴とする強誘電・圧電機能が付加された製品。 （もっと読む）

本発明は、アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び／又は圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法に関し、２以上のエレメンタリーシードを備える工程と、２以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程とを含む。組み合わせた、より大きな合成シードは、新しい成長工程のシードに用い、そして、ガリウム含有窒化物の単結晶のより大きな基板を得るために用いる。
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【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）