【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いる場合に、ＳｉＣへの窒素の侵入を抑制する。
【解決手段】低窒素濃度黒鉛材料は、グロー放電質量分析法による窒素濃度が９８ｐｐｍ以下（ただし、１．０〜１．２ｐｐｍを除く）であり、大気と遮断した状態で保管されたものである。当該黒鉛材料は、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】新規のグラフェン製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はグラフェンの製造方法に関し、以下の段階を含む。
・基板上にアモルファス炭素を含む薄層を堆積する段階、
・光及び／又は電子照射の下で前記薄層をアニーリングし、それによってグラフェンを含む層が得られる段階。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低電流でのアーク放電を水中で行うとともに電極に物理的な振動を加えることで、装置構成がより容易な環境を模索するとともに、精製作業を経ることなく生成物の収量とＣＮＴ率を向上して、ＣＮＴを簡単かつ効率的に合成することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明の請求項１記載の発明は、正負の電極間に電圧を印加して放電を起こしてなるカーボンナノチューブの製造方法において、前記電極に物理的な振動を加えることにより放電効率を高め、以ってカーボンナノチューブの収率を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化や分散化に優れたオニオンライクカーボンの作製方法を提供し、オニオンライクカーボンの潤滑特性を十分に活用することを目的とする。
【解決手段】１０^−７Ｐａ以上の真空度に保持された反応室内で、アークプラズマ発生手段としてアークプラズマガンを用いてカーボンをターゲットに照射させ、オニオンライクカーボンを合成する。アークプラズマガンのカソードとしてカーボンロッドを搭載し、高純度のカーボンイオンを照射する。また、オニオンライクカーボンの合成は、放電電圧、放電パルス数、真空度を作製条件パラメータとして使用する。 （もっと読む）

本発明は、高い電池容量を示し、充放電サイクル特性が良好で、かつ充電特性に優れた二次電池負極用として有用な複合黒鉛粒子、並びにこの複合黒鉛を用いた負極用ペースト、負極及びリチウム二次電池を提供する。
本発明の複合黒鉛粒子は、ｄ（００２）面の層間距離（ｄ値）が０．３３７ｎｍ以下の黒鉛であり、かつラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．０１以上０．１以下である芯材と、ラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．２以上である炭素質表層とからなり、バインダーと混合して１．５５〜１．６５ｇ／ｃｍ³の密度に加圧成形したものをＸＲＤ測定したとき、黒鉛結晶の（１１０）面のピーク強度（Ｉ₁₁₀）と（００４）面のピーク強度（Ｉ₀₀₄）の比Ｉ₁₁₀／Ｉ₀₀₄が０．２以上である。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、電子機器、精密機器などで放熱部材として使用されるグラファイトフィルムに関し、特に薄くて柔軟性を有し、熱拡散性に優れたグラファイトフィルムを提供することを課題としている。厚みの薄いグラファイトフィルムは発泡させることが難しく、これまで達成できていなかった。
【解決手段】本願発明で筆者らは、１）黒鉛化の最終段階で発泡を引き起こすアウトガスをフィルム中に留めこと、２）発泡を阻害する金属不純物の作用を抑制すること、が重要であることを突き止め、原料フィルムを２枚以上直接積層して、２６００℃以上の温度で熱処理することで、厚み２１μｍ以下で柔軟な薄膜グラファイトを得ることができた。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ９について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ９を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ９を誘導加熱し、カーボンヒータ９に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 （もっと読む）

【課題】
厚くて優れた物理的特性を有するフィルム状グラファイトを比較的低温で短時間の熱処理で製造して提供する。
【解決手段】
フィルム状グラファイトの製造方法は、複屈折が０．１２以上であるポリイミドフィルムを作製するステップと、そのポリイミドフィルムを２４００℃以上の温度で熱処理するステップを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題点であった溶剤除去のための大きなエネルギーが不要でありながら、十分な導電性を有する、すなわち厚み方向の比抵抗が低い多孔質電極基材を得ることを課題とする。
【解決手段】
以下に示す多孔質電極基材の製造方法で達成できる。
（Ａ）以下の（１）〜（５）を分散抄紙し、抄紙体を得る工程；（１）炭素短繊維（２）バインダー短繊維（３）ノボラック型フェノール樹脂からなるフェノール樹脂粒子（４）ヘキサメチレンテトラミンからなる粒子（５）ポリエチレンパルプ
（Ｂ）フェノール樹脂粒子は溶融するがポリエチレンパルプは溶融しない温度で加熱してフェノール樹脂でポリエチレンパルプがコーティングされた抄紙体を得る工程；
（Ｃ）ポリエチレンパルプを構成する樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱するとともに加圧する工程；
（Ｄ）フェノール樹脂を炭素化して、多孔質電極基材を得る工程 （もっと読む）

【課題】平均粒径Ｄ５０が３０ｎｍ以下の微小ダイヤモンド粒子を効率よく得て、この微小ダイヤモンド粒子を安定的に分散させた微小ダイヤモンド粒子分散液を製造する。
【解決手段】平均粒径Ｄ５０が３０ｎｍ以下のダイヤモンド粒子を分散させた微小ダイヤモンド粒子分散液の製造方法であって、粒径Ｄ９０が５００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子と、アルカリ性の添加剤を添加した水溶液とを混合したダイヤモンド粒子混合液を、遊星型ボールミル装置１０のミルポット１１ａ〜１１ｄに投入して人口ダイヤモンド粒子を粉砕する粉砕工程と、粉砕工程で粉砕されたダイヤモンド粒子が分散されて成る分散液から前記ボールを分離する分離工程と、分離工程によりボールが分離された分散液を、分級により平均粒径Ｄ５０が３０ｎｍ以下微小ダイヤモンド粒子を分散させた分散液を得る分級工程と、を備えて成る。 （もっと読む）

【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】充分なガス透気度、厚みおよび貫通方向抵抗を備え、燃料電池とした時に、加湿条件の変動によっても電池性能の変動が少ない高い水分管理機能を発揮する多孔質電極基材、その製造方法、膜−電極接合体、および固体高分子型燃料電池を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）〜（Ｄ）工程を順に行う多孔質電極基材の製造方法である。
（Ａ）炭素短繊維とバインダー短繊維とを、分散し炭素短繊維紙を作製する工程；（Ｂ）炭素化後の残炭率が１５質量％以下の樹脂からなる平均粒径１０ｎｍ〜２μｍの粒子と炭素化後の残炭率が２０質量％以上の樹脂組成物とを炭素短繊維紙に付与する工程；（Ｃ）加熱加圧して、前記樹脂組成物を硬化する工程；（Ｄ）樹脂組成物の硬化物を炭素化すると同時に、前記粒子を熱分解する工程 （もっと読む）

【課題】カーボン部品を高純度に効率よく精製する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられるカーボン部品を処理炉内に収容して、処理炉内を不活性ガス等で置換後、処理炉内を乾燥温度まで昇温し不活性ガス等を流通させてカーボン部品を乾燥する乾燥処理と、乾燥処理後に処理炉内を乾燥温度よりも高い純化温度に消音するとともに、処理炉内に塩素ガスを流通させる塩素流通処理（ステップ２）と、塩素流通処理の後に処理炉内部を減圧する減圧処理（ステップ３）と、減圧処理により生じた減圧状態に処理炉内を保持する減圧保持処理（ステップ４）と、減圧保持処理後の処理炉に塩素ガスを導入して処理炉内を加圧状態とする塩素加圧処理（ステップ５）とを複数回繰り返した後、処理炉内を冷却する。 （もっと読む）

【課題】充分なガス透気度、厚みおよび貫通方向抵抗を備え、燃料電池とした時に、加湿条件の変動によっても電池性能の変動が少ない高い水分管理機能を発揮する多孔質電極基材、その製造方法、膜−電極接合体、および固体高分子型燃料電池を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）〜（Ｄ）工程を順に行う多孔質電極基材の製造方法である。（Ａ）炭素短繊維とバインダー短繊維とを、分散し炭素繊維紙を作製する工程（Ｂ）前記炭素繊維紙に炭素化後の残炭率が２０％以上の樹脂を溶解した溶液を含浸させた後、炭素化後の残炭率が２０％以上の樹脂に対し貧溶媒となる溶媒に浸漬させ、炭素化後の残炭率が２０％以上の樹脂を凝固させた前駆体シートを作製する工程（Ｃ）溶媒を除去した前駆体シートを得る工程（Ｄ）前駆体シート中の炭素化後の残炭率が２０％以上の樹脂を炭素化して多孔質電極基材を得る工程 （もっと読む）

【課題】 ハンドリング性、ラミネート性、抜き加工性、熱伝導性に優れ、剥離可能なフィルムを剥がす際にグラファイトが破損したり、また剥離可能なフィルムが浮いたり剥がれたりしにくい薄膜のグラファイト複合フィルムを提供する。薄い絶縁テープや粘着テープで被覆したグラファイト加工品の提供が可能になる。
【解決手段】グラファイトフィルムの少なくとも片面の一部に剥離可能なフィルムが貼り合わせられたグラファイト複合フィルムであって、該グラファイトフィルムの厚みを１００μｍ以下、該グラファイトフィルムと剥離可能なフィルムとの密着力を０．００１〜１（Ｎ／２５ｍｍ）とする。 （もっと読む）

【解決手段】 炭素質物質を活性化するシステムは、５％未満のミネラル含有量の炭素質物質を生成する炭素質物質原料装置と、前記炭素質物質原料装置と連通する温浸装置と、前記温浸装置と連通している、酸性混合溶液を提供する酸性原料装置と、前記温室装置と連通している、前記温浸炭素質物質を前記酸性混合溶液から分離する分離装置と、前記分離装置と連通している、前記温浸炭素質物質を乾燥して前記炭素質物質を分離する乾燥装置と、前記炭素質物質を活性化させて活性化炭素質物質を生成する熱装置とを含み、前記熱装置は、前記炭素質物質を前記乾燥装置から受け入れる注入口と、前記活性炭素質物質を前記熱装置から出す放出口とを有する。
（もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、２種類の金属を含有し、かつその一方の含有率が低い金属微粒子を担持する金属担持多孔質体の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】
多孔質体の存在下、
溶媒中で、
第１の金属のイオンおよび第２の金属のイオンを、第１の金属のイオン単独では還元反応が進行するが、第２の金属のイオン単独では還元反応が進行しない条件下で、
化学的還元剤により還元することにより、
前記多孔質体に第１の金属および第２の金属を担持させる工程
を有することを特徴とする、金属担持多孔質体の製造方法。 （もっと読む）