【課題】 ボールミル（ball mill）法を用いて炭素材料の結晶性を損傷させずに、アルミニウムの中にカプセル化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、（ｉ）炭素材料に欠陥及び機能化を誘導する段階；（ｉｉ）上記機能化された炭素材料をアルミニウムと混合する段階；及び（ｉｉｉ）不活性気体雰囲気の下で上記混合物をボールミリングする段階；を含む、炭素材料をアルミニウムの中にカプセル化する方法を提供する。また、本発明は、（ｉ）炭素材料に欠陥及び機能化を誘導する段階；（ｉｉ）上記機能化された炭素材料をアルミニウムと混合する段階；及び（ｉｉｉ）不活性気体雰囲気の下で上記混合物をボールミリングする段階；を含む、アルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法を提供する。尚、本発明は、上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 （もっと読む）

本発明は、触媒ゾーンからのナノファイバーの成長を含むナノファイバーの作製方法に関し、さらに以下：
−基板（１）の表面上に少なくとも１つの微細パターン（１１）を生成するステップ；
−前記微細パターンの表面上に触媒ゾーン（５０）を生成するステップ；
−触媒ゾーンからナノファイバーを成長させるステップ
を含む方法において、微細パターン（１１）が、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含み、前記ベース部が、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらないいわゆる「ポイズン」層（４）によって覆われており、
−いわゆる「ポイズン」層は前記上面には存在せず；
−ベース部は、いわゆる「ポイズン」層の表面上が触媒層（５）で覆われており；
−「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さは、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にもナノファイバーが成長できないようにされていることを特徴とする方法。
本発明はまた、本発明の方法に従って生成された微細パターンを有する基板の表面上のナノファイバーの構造に関する。
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【課題】 アーク放電法によるＣＮＴ合成において連続的に安定な高純度かつ高収率な合成装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 合成時の状態変動を陰陽極の給電端子間電圧によって判断し、合成電流と陽極の給電位置を変更し合成が安定な状態を保つ。 （もっと読む）

本発明は、グラファイトを可溶化する方法およびその用途、詳細には複合材料の製造およびグラフェンの精製に関する。本発明の方法は、不活性雰囲気下で実施される下記の２つの工程からなることを特徴とする：ａ）アルカリ金属によりグラファイトを還元して、グラファイト層間化合物を生じさせる工程と、ｂ）該グラファイト層間化合物を極性非プロトン性溶媒に曝露して、還元グラフェンの溶液を生じさせる工程。本発明は詳細には、かかる方法を介して得られるグラフェン溶液およびグラフェン平面ならびに該グラフェン溶液および平面の使用に関する。
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【解決手段】少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下１，１００〜１，６００℃の温度範囲で加熱し、一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを１，０００℃以下の基体表面に析出させる一酸化珪素の製造方法に用いられる一酸化珪素の製造装置において、１，１００〜１，６００℃の一酸化珪素ガスが接触する構成部材（但し、該析出基体を除く）をＣ／Ｃコンポジット材で構成したことを特徴とする一酸化珪素の製造装置。
【効果】本発明の一酸化珪素の製造装置によれば、高純度な一酸化珪素を効率的かつ安定的に製造することができ、かつ、大型化も容易であり、工業的規模の生産にも十分に応えられるものである。 （もっと読む）

本発明はグラフェン紙若しくは膜、グラフェン系複合材料、並びにナノエレクトロニクス、ナノ複合材料、電池、スーパーキャパシタ、水素貯蔵及び生体への応用のための物品の開発において使用することができるグラフェンの製法に関する。この方法は精製し剥離した酸化グラファイトを塩基存在下で還元することを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る高純度ダイヤモンド多結晶体は、非ダイヤモンド状炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、水素不純物量が２００ｐｐｍ以下であり、酸素不純物量が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を提供することを目的とする。
【解決手段】非ダイヤモンド状炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、赤外域３３００−３４００ｃｍ^−１付近の水による吸収が、ダイヤモンドのフォノンによる吸収の最大値の１０％以下である高硬度ダイヤモンド多結晶体。 （もっと読む）

所定の直径、長さ、対掌性、及び壁構造（即ち、単壁又は多壁）を有するナノチューブの選択的製造が可能になる、過飽和カーボン溶液源から、エピタキシャル成長を介してカーボンナノチューブを製造するシステムと方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】有機性環境汚染物質を取り除くための処理剤を、高効率で、かつ、簡便な調製手段により提供する。
【解決手段】予め無機チタン塩をクエン酸と混合・撹拌して得られた溶液に、層状グラファイト酸化物又は層状グラファイト酸化物の分散液を混合し、混合物を９０℃８０分間還流し、これを１００〜２００℃で水熱処理して有機性汚染物質除去剤として有用な酸化チタン導入炭素ナノシート複合体を得る。 （もっと読む）

【課題】大気中かつ無潤滑環境下でも耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属を含む基材１２上に、各層間の密着性を高めるためＣｒ中間層４１、および組成傾斜層４２を形成し、その上に２.７ａｔ％以上７.７ａｔ％以下のＭｏ元素、及び１.３ａｔ％以上４.６ａｔ％以下のＳ元素、及び７.０ａｔ％以上９.５ａｔ％以下のＯ元素を含む硬質炭素被膜４３を０．２μｍ以上０．３μｍ以下の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】シリカ被覆炭素生成物の製造方法の提供。
【解決手段】１つの方法において、水性媒体もしくは溶液および炭素生成物が、金属イオンを実質的に含有しないケイ酸塩を含む溶液と、シリカ被覆炭素生成物を形成するのに十分な時間および温度で接触される。水性媒体および炭素生成物をモノケイ酸を含有する溶液と接触することによりシリカ被覆生成物を製造する方法も、金属ケイ酸塩を含有する溶液中の金属イオンを水素イオンと交換し、シリカ被覆炭素生成物を形成するために水性媒体および炭素生成物を、その溶液と接触させることと同様に記載されている。これらの方法から得られるシリカ被覆炭素生成物も記載され、多くのシリカ被覆生成物を含み、各シリカ被覆生成物は、シリカで実質的に均一に被覆され、遊離シリカが実質的にない。さらに、シリカ被覆炭素生成物を含有するエラストマー組成物等も記載されている。 （もっと読む）

【課題】開口径が１μｍ以下のビアホールに対しても適正にカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブの作製方法は、筒状のアノード電極２１と、アノード電極内に配置された蒸着材料２２Ａを有するカソード電極２２と、カソード電極から離間してアノード電極内に配置されたトリガ電極２３とを備えた同軸型真空アーク蒸着源１３が用いられ、蒸着材料２２Ａとしてカーボンナノチューブの触媒層を構成する金属材料を用い、この金属材料の微粒子を基板の表面に蒸着させる第１の工程と、蒸着材料として炭素系材料を用い、この炭素系材料の微粒子を上記触媒層の上に蒸着させてカーボンナノチューブを成長させる第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも１つのビアを、金属材料の２つの層４及び１２を隔てる絶縁材料層５の中に形成する。次いで接着層７及び／又は保護層８の上に触媒層９を堆積する。さらに抑止層１１を、前記ビアの前記底部における前記触媒層９の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層５の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層１１のない前記ビア底部の前記触媒層９の部分から成長させて前記金属材料の２つの層４及び１２を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】使用環境に存在する酸素や水、二酸化炭素、各種浮遊分子等が表面に吸着しても、電荷移動を生じることなく、その分光透過率及び導電性が変化しないカーボンナノチューブ薄膜の提供。
【解決手段】金属性カーボンナノチューブ及び半導体性カーボンナノチューブとから構成され、前記金属性カーボンナノチューブの割合が９５重量％以上であり、薄膜表面に電荷移動を生じる物質が吸着したことによる光透過率の変化が光透過率の初期値の５％以下であり、面抵抗の変化が初期値の３０％以下であるカーボンナノチューブ薄膜。 （もっと読む）

【課題】界面活性剤を使わず、また化学修飾を行なわずに、凝集体が少なく薄膜化できる技術を完成させる必要がある。
【解決手段】
本発明は、単層カーボンナノチューブ粉末を、エタノール溶液に加え濃度を１０ｍｇ／ｌとして、超音波処理分散させた後、直ちに分散溶液をポリスチレンディッシュに滴下した。その後エタノールを乾燥させ、カーボンナノチューブが薄膜化したポリスチレンディッシュを得ることにより、透過性能と導電性の優れた薄膜である。。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来、切削工具などに用いられてきたダイヤモンド焼結体は、焼結助剤として鉄系金属元素を含むため、耐熱性に問題があった。また、鉄系金属を含まないダイヤモンド焼結体では、機械的強度が不足して、工具材料としては使用できなかった。
【解決手段】グラファイト型炭素材料を機械的に粉砕し、超微粒状態にして出発原料とし、それ以外の添加物を加えずに超高圧高温状態でダイヤモンドへの変換と焼結を同時に行い、耐熱性および機械的強度に優れる、ダイヤモンド多結晶体を得る。 （もっと読む）

【目的】優れたレート特性と高度の可逆容量および初期効率に加えて容量維持率の高い特徴を備えたリチウムイオン二次電池用負極材を製造する方法を提供する。
【構成】平均粒子径が５〜３０μｍ、平均格子面間隔ｄ（００２）が０．３４００ｎｍ未満の黒鉛質粉末と、軟化点７０〜２５０℃のピッチと、空気中４００℃に加熱した時の揮発分が５０％以上、不活性雰囲気中８００℃に加熱した時の残炭率が３％以下の溶融性有機物とを加熱混合して、黒鉛質粒子の表面にピッチおよび溶融性有機物を被覆する工程、得られたピッチおよび溶融性有機物で被覆された黒鉛質粒子を圧縮、摩擦させることにより粒子径アスペクト比が１．０〜２．０のピッチおよび溶融性有機物で被覆された球状化黒鉛質粒子を得る工程、続いて平均粒子径が０．０５〜５μｍ、平均格子面間隔ｄ（００２）が０．３４００ｎｍ以上のアモルファスカーボン粉末を添加して機械的衝撃を与えながらピッチおよび溶融性有機物を軟化させ、該軟化ピッチおよび溶融性有機物中にアモルファスカーボン粉末を分散、固定化した後、非酸化性雰囲気中で７５０〜２２５０℃の温度で焼成炭化し、解砕・分級することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、二次電池用負極材及びこれを用いた二次電池に関する。本発明の二次電池用負極材は、芯材の炭素材に低結晶性炭素材を被覆した後焼成したものであって、その比表面積の比が１.４以下であることを特徴とする。本発明によれば、負極材表面での電解液分解反応に対する保護機能を向上させて、二次電池の効率及びサイクル容量を向上させることができる。 （もっと読む）