【課題】高いせん断接着力と高い熱伝導率を有する繊維状柱状構造体集合体を提供する。さらに、このような繊維状柱状構造体集合体を用いた放熱部材を提供する。
【解決手段】本発明の繊維状柱状構造体集合体は、複数の繊維状柱状構造体を備える繊維状柱状構造体集合体であって、該繊維状柱状構造体の表面に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導材料から形成される表面コート層を有し、該表面コート層の厚みが２ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】木材炭化物を使用し、平板の厚さ方向にのみ導電性を有する多孔性機能材料及び炭化物のレプリカ或いは構造が元の炭化物とネガポジ関係にある多孔性機能材料を提供すること。
【解決手段】木材の心材部分を炭化し、炭化細胞の少なくとも一部が平板を貫通する厚さにして金属を化学メッキするか、辺材部分を炭化したものに金属又は金属酸化物の分散液を含浸させた後分散溶媒を除去するか、辺材部分を炭化したものに金属を化学メッキした後、或いは金属アルコキシドの加水分解物を含浸した後、酸素存在下で焼成して炭化物を除去する。 （もっと読む）

【課題】所望のグラフェンシート層数を有するカーボンナノチューブからなり、炭素材料として利用可能なカーボンナノチューブ集合体を提供すること。
【解決手段】基板上に直接成長したカーボンナノチューブの集合体であって、下記(i)〜(iv)の条件を満たすカーボンナノチューブ集合体。
(i)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち２層カーボンナノチューブの占める割合が７０％以上。
(ii集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち３層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iii)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち４層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iv)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち５層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムイオンをドープかつ脱ドープすることができる負極活物質としての炭素材料を製造するためには、一般的にはフェノール樹脂など高分子を炭化する製造法が用いられるが、用途に応じて種々の炭素材料の製造方法の開発が期待されている。
高分子化合物は一般的にはモノマーと呼ばれる低分子を重合させることにより得られ、この重合工程により得られた高分子化合物を不活性化ガス雰囲気で焼成することにより炭素材料を製造している。中間体として高分子化合物を経由せず、低分子から直接炭素材料を製造する製造方法の開発が期待される。
【解決手段】有機化合物を８００〜２５００℃の温度で加熱するナトリウム二次電池用の炭素材料の製造方法。
＜有機化合物＞
分子中に酸素原子を有する芳香族化合物の誘導体１と、分子中にカルボキシル基を有し、芳香族化合物の誘導体１とは異なる芳香族化合物の誘導体２との混合物。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池といった電池や電気二重層キャパシタ等の電気化学デバイスに用いた場合、優れた特性が得られる多孔質炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二次電池用電極材料あるいは電気二重層キャパシタ用材料は、ケイ素を含む植物由来の材料を原料とし、窒素ＢＥＴ法による比表面積の値が１３０ｍ²／グラム以上、メソ細孔及びマイクロ細孔の容積が０．１ｃｍ³／グラム以上であり、且つ、２０ｎｍを超える孔径のメソ細孔よりも２０ｎｍ以下の孔径のメソ細孔を多く含む多孔質炭素材料から成り、あるいは又、ケイ素を含む植物由来の材料を原料とし、窒素ＢＥＴ法による比表面積の値が１０ｍ²／グラム以上、水銀圧入法によって得られた細孔の容積が２．２ｃｍ³／グラム以上、ケイ素の除去によって得られたＢＪＨ法及びＭＰ法による細孔の容積が０．１ｃｍ³／グラム以上である多孔質炭素材料から成る。 （もっと読む）

【課題】耐熱安定性、耐湿熱安定性に優れ、高導電性の導電性体、またその簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブ［Ａ］と、カルボキシメチルセルロース［Ｂ］とが、［Ａ］に対する［Ｂ］の質量比（［Ｂ］の含有量／［Ａ］の含有量）が０．５〜９で含まれる、水［Ｃ］を分散媒とした分散液を、基材上に［Ａ］を１〜４０ｍｇ／ｍ^２の範囲となるよう塗布し乾燥した塗布面に、酸触媒［Ｄ］とアルコール［Ｅ］とを、［Ｅ］に対する［Ｄ］の質量比（［Ｄ］の含有量／［Ｅ］の含有量）が０．００５〜０．１である処理液を２５℃〜１００℃、５秒〜２０分の条件で接触させた後、乾燥させることを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥及び触媒金属の含有量が少なく、所望の優れた特性を有するＣＮＴ集合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。これにより、結晶欠陥を多く含むＣＮＴ部分や、ＣＮＴ垂直配向膜の上部に付着した触媒金属を、効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比が、０．１以上であり、窒素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比（Ｎ／Ｃ比)が、０．１〜０．２５の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】従来の熱伝導フィルムでは、ヒートスポットを十分に抑制できない場合がある。
【解決手段】ヒートスポット抑制フィルム１００は、第１領域１０２と、第１領域１０２よりも比重の大きい第２領域１０４とを有するグラファイトフィルムを備える。電子部品２２に対向する筐体１０の内壁１０ａにヒートスポット抑制フィルム１００の第１領域１０２が配置されることにより、電子部品２２に対向する筐体１０の外壁１０ｂに発生するヒートスポットを抑制する。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな電流を流すことができる柔軟なグラフェン配線構造を提供する。
【解決手段】グラフェン配線構造１０は、絶縁樹脂層１２，２２，３２，４２とグラフェン層１６，２６，３６とが繰り返し積層されている。グラフェン層１６の上下には絶縁樹脂層１２，２２が存在し、グラフェン層２６の上下には絶縁樹脂層２２，３２が存在し、グラフェン層３６の上下には絶縁樹脂層３２，４２が存在する。また、絶縁樹脂層１２とグラフェン層１６との間には触媒金属層１４が介在し、絶縁樹脂層２２とグラフェン層２６との間には触媒金属層２４が介在し、絶縁樹脂層３２とグラフェン層３６との間には触媒金属層３４が介在する。触媒金属層１４，２４，３４は、グラフェン化を促進する機能を有する。各グラフェン層１６，２６，３６は、いずれも奇数枚（ここでは３枚）のグラフェンシートを積層したものである。 （もっと読む）

【課題】剥離しにくい電極端子を有する所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極端子１８，２０を取り付ける。電極端子１８，２０は、下地をなすＴｉ層とＭｏ，Ｎｉ，Ｔａ及びＷからなる群より選ばれた金属を主成分とする保護層とをこの順で積層した構造を持つ。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。さらに、触媒金属層１６の側面にＴｉを形成してこれをマスク材１７とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した粒状基材を積層した粒状基材の集合体の触媒から効率良く、ＣＮＴを合成できるＣＮＴの製造装置および製造法を提供する。
【解決手段】合成炉と、合成炉に連通するガス供給管およびガス排気管と、合成炉内を所定温度に加熱するための加熱手段とを備え、ガス供給管を介して供給される原料ガスを、加熱手段により加熱された合成炉の加熱領域内に供給して、粒状基材に担持された触媒からカーボンナノチューブを成長させ、ガス排気管より、原料ガスを排気するカーボンナノチューブの製造装置であって、合成炉内に設けられ、触媒を担持した粒状基材の集合体を保持し、かつ原料ガスを通過させるための複数の細孔を有する保持具と、保持具に運動を与え、粒状基材を動かす保持具揺動具と、保持具に対向して配設された、ガス供給管から供給される原料ガスを複数の方向に分配するガス流形成手段と、を備えるカーボンナノチューブ製造装置。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法でカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）生成用基材の再利用可否を判定することができ、該基材をそのまま再利用してＣＮＴの製造に供するか、再生処理を行うかを効率よく分類できる判定方法、および該判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材をＣＮＴの製造に用いることで、安定して高い収率でＣＮＴを製造することができる製造方法を提供する。
【課題手段】 基板および該基板の表面に設けられた触媒層を有する基材の、触媒層上にＣＮＴを形成し、次いで該基材からＣＮＴを剥離して得られる基材の、触媒層の水に対する接触角を測定する工程を含む、ＣＮＴ生成用基材の判定方法；ならびに該判定方法に基づき、該基材の再利用可否を判定する工程、およびその判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材上にＣＮＴを形成する工程、を含むＣＮＴの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】タール状物質などの有害物質を含む化学合成物質の生成を排気側にて安価な構成にて抑制し得るガス排出手段を有する真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを水平に配置し得るとともにその上方に当該基板を加熱する加熱装置21を有し且つ下方に原料ガスＧを導入し得るガス供給口５が設けられた加熱室13を有して基板の下面に蒸着材料を蒸着させ得る熱ＣＶＤ装置であって、上記加熱室に、ガス供給口５からの原料ガスを基板の下面に案内し得るガス案内用ダクト体24を設け、このガス案内用ダクト体の上端面と基板下面との間に隙間δを形成するとともに、基板の上方に当該基板の高さ位置を維持する基板高さ維持部材25を設け、上記加熱室の上壁部に真空ポンプ27を有するガス排出装置23を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】グラフェン膜と金属電極との接触面積（基板上の占有面積）を抑制しつつ、それらの間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記回路は、前記グラフェン膜と該グラフェン膜に直接接合する第１の金属電極と該グラフェン膜に直接接合する第２金属電極とを有し、前記第１の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上と前記第２の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上とが、高濃度のp型または高濃度のn型にドープされていることを特徴とする。 （もっと読む）