【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンを、低コストで大面積に形成できるようにする。
【解決手段】金属層１０３の上に有機化合物からなる有機薄膜１０４を形成する。この工程において、本実施の形態では、有機薄膜１０４の膜厚を制御することで、後述する金属層１０３の表面に成長する炭素薄膜１０４におけるグラフェンの層数を制御するところに特徴がある。次に、不活性な雰囲気で金属層１０３を加熱して有機化合物を構成する炭素を金属層１０３に固溶させ、酸化シリコン膜１０２の上に炭素が固溶した金属層が形成された状態とする。次に、不活性な雰囲気で金属層を冷却して金属層に固溶していた炭素を金属層の表面に析出させることで、金属層１０３の表面にグラフェンからなる炭素薄膜１０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属触媒層の裏面と、基板の表面との間での炭素膜の成長の制御性を高めることのできる炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置１０は、金属触媒層に対してアセチレンガスを供給する炭素含有ガス供給部１６と、基板における金属触媒層側である表面側に配置されたランプヒータ１３と、基板における金属触媒層とは反対側である裏面側に配置された水冷ステージ１２とを有している。ランプヒータ１３は、金属触媒層の表面をアセチレンガスの分解される温度に加熱し、また、水冷ステージ１２は、基板の裏面を冷却することで、ランプヒータ１３によって加熱された金属触媒層の表面と該金属触媒層の裏面とに所定の温度差を形成する。これにより、炭素膜が、基板の表面と金属触媒層の裏面との間に析出する。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高分子熱分解法による長尺（巻物状）のグラファイトフィルムの製造において、中間段階である長尺の炭化フィルムの融着、割れ、波打ちを抑制する。
【解決手段】高分子フィルムを巻芯に巻きつける行程において、巻き張力３０Ｎ／ｍ以上で行うものである。巻き速度１ｍ／ｍｉｎ以上をし、フィルムの除電を行えば、更に上記課題の抑制に効果がある。 （もっと読む）

【課題】耐雷撃性に優れた航空機用構造材料を提供する。
【解決手段】航空機用構造材料は、強化繊維及び樹脂を含む複合材料２と、高分子フィルムを熱処理して得られるグラファイトフィルム１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で導電性を向上させることの出来るカーボンナノチューブ膜および製造方法を提供する
【解決手段】（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合してなるカーボンナノチューブ分散体層を基材上に形成させてなる薄膜、（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合し、（１）カーボンナノチューブ含有組成物を溶媒中に分散させてなるカーボンナノチューブ分散液を用いて基材上にカーボンナノチューブ分散体層を形成させることを特徴とする薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンが、低コストで大面積に、より容易に作製できるようにする。
【解決手段】加熱することで金属層１０２に炭素を溶解させた後、加熱の温度を低下させ、金属層１０２の表面に溶解していた炭素を析出させることで、グラフェン１０４を形成する。例えば、９００℃で３０分間保持してニッケルからなる金属層１０２に炭素を溶解させた後、毎分２０℃で室温まで降温することで、金属層１０２の上にグラフェン１０４が析出する。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】 硫化水素ガスを用いることなく、金属材の表面にナノカーボン類を含む炭素膜を形成する。
【解決手段】 鉄を主成分とする金属材の表面に、希硫酸を塗布する第１工程と、第１工程の後に、金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でＣＯ、ＣＯ_２および有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金属材を熱処理することによって、金属材の窒化層の表面に、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含む炭素膜を形成する第２工程と、を有する、金属材の表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 基材の変形を防止し、カーボンナノチューブ配向集合体の収量低下や品質低下、各製造工程の不具合を防止することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基板の表面に触媒を担持した基材上に、化学気相成長法を用いてカーボンナノチューブ配向集合体を製造するカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法において、前記金属基板として、その表面の残留歪みをεａ、裏面の残留歪みをεｂとし、それぞれの値の信頼区間をそれぞれＭａ、Ｍｂとしたとき、基板面に沿って水平で且つ直交する２方向それぞれの残留歪みが式｜εａ−εｂ｜≦Ｍａ＋Ｍｂを満たしている基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】ホウ素を含む場合であっても、ＢＥＴ比表面積を飛躍的に増大させることにより、顕著な性能向上を図ることができる多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】少なくとも表面にはＣ−Ｂ−Ｏ結合構造が存在し、７７Ｋにおける窒素吸着等温線から求められるＢＥＴ比表面積が３００ｍ^２／ｇ以上であることを特徴とする多孔質炭素であり、ホウ酸とクエン酸マグネシウムとを混合して混合物を作製するステップと、上記混合物を、真空雰囲気、非酸化性雰囲気、又は還元性雰囲気で加熱焼成して焼成物を作製するステップと、上記焼成物中の上記鋳型を除去するステップとを有する製造方法によって作製することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】中空カーボン粒子を、毒性の懸念がある樹脂の使用を必要とせず、また、複雑な製造工程を必要とせず、容易に作製することができる中空カーボン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】重合性ビニル系単量体を重合させて得られた樹脂粒子の表面を含窒素芳香族化合物に由来する重合体で被覆した後、不活性ガスの雰囲気下で焼成する。 （もっと読む）