【課題】耐熱安定性、耐湿熱安定性に優れ、高導電性の導電性体、またその簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブ［Ａ］と、カルボキシメチルセルロース［Ｂ］とが、［Ａ］に対する［Ｂ］の質量比（［Ｂ］の含有量／［Ａ］の含有量）が０．５〜９で含まれる、水［Ｃ］を分散媒とした分散液を、基材上に［Ａ］を１〜４０ｍｇ／ｍ^２の範囲となるよう塗布し乾燥した塗布面に、酸触媒［Ｄ］とアルコール［Ｅ］とを、［Ｅ］に対する［Ｄ］の質量比（［Ｄ］の含有量／［Ｅ］の含有量）が０．００５〜０．１である処理液を２５℃〜１００℃、５秒〜２０分の条件で接触させた後、乾燥させることを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥及び触媒金属の含有量が少なく、所望の優れた特性を有するＣＮＴ集合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。これにより、結晶欠陥を多く含むＣＮＴ部分や、ＣＮＴ垂直配向膜の上部に付着した触媒金属を、効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】吸着材、複写機のトナー材など種々の用途に供することができ、また、蓄電装置の電極材として供したときに上記エネルギー密度の増大及び電解質イオンの吸着量増加に有利な炭素材を提供する。
【解決手段】炭素を主成分とする球状炭素粒子と、炭素を主成分とする複数の球状炭素粒子が凝集してなる凝集炭素粒子との混合物よりなる炭素材であり、上記球状炭素粒子及び凝集炭素粒子各々は、その炭素骨格中に窒素を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の熱伝導フィルムでは、ヒートスポットを十分に抑制できない場合がある。
【解決手段】ヒートスポット抑制フィルム１００は、第１領域１０２と、第１領域１０２よりも比重の大きい第２領域１０４とを有するグラファイトフィルムを備える。電子部品２２に対向する筐体１０の内壁１０ａにヒートスポット抑制フィルム１００の第１領域１０２が配置されることにより、電子部品２２に対向する筐体１０の外壁１０ｂに発生するヒートスポットを抑制する。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな電流を流すことができる柔軟なグラフェン配線構造を提供する。
【解決手段】グラフェン配線構造１０は、絶縁樹脂層１２，２２，３２，４２とグラフェン層１６，２６，３６とが繰り返し積層されている。グラフェン層１６の上下には絶縁樹脂層１２，２２が存在し、グラフェン層２６の上下には絶縁樹脂層２２，３２が存在し、グラフェン層３６の上下には絶縁樹脂層３２，４２が存在する。また、絶縁樹脂層１２とグラフェン層１６との間には触媒金属層１４が介在し、絶縁樹脂層２２とグラフェン層２６との間には触媒金属層２４が介在し、絶縁樹脂層３２とグラフェン層３６との間には触媒金属層３４が介在する。触媒金属層１４，２４，３４は、グラフェン化を促進する機能を有する。各グラフェン層１６，２６，３６は、いずれも奇数枚（ここでは３枚）のグラフェンシートを積層したものである。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。さらに、触媒金属層１６の側面にＴｉを形成してこれをマスク材１７とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した粒状基材を積層した粒状基材の集合体の触媒から効率良く、ＣＮＴを合成できるＣＮＴの製造装置および製造法を提供する。
【解決手段】合成炉と、合成炉に連通するガス供給管およびガス排気管と、合成炉内を所定温度に加熱するための加熱手段とを備え、ガス供給管を介して供給される原料ガスを、加熱手段により加熱された合成炉の加熱領域内に供給して、粒状基材に担持された触媒からカーボンナノチューブを成長させ、ガス排気管より、原料ガスを排気するカーボンナノチューブの製造装置であって、合成炉内に設けられ、触媒を担持した粒状基材の集合体を保持し、かつ原料ガスを通過させるための複数の細孔を有する保持具と、保持具に運動を与え、粒状基材を動かす保持具揺動具と、保持具に対向して配設された、ガス供給管から供給される原料ガスを複数の方向に分配するガス流形成手段と、を備えるカーボンナノチューブ製造装置。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法でカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）生成用基材の再利用可否を判定することができ、該基材をそのまま再利用してＣＮＴの製造に供するか、再生処理を行うかを効率よく分類できる判定方法、および該判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材をＣＮＴの製造に用いることで、安定して高い収率でＣＮＴを製造することができる製造方法を提供する。
【課題手段】 基板および該基板の表面に設けられた触媒層を有する基材の、触媒層上にＣＮＴを形成し、次いで該基材からＣＮＴを剥離して得られる基材の、触媒層の水に対する接触角を測定する工程を含む、ＣＮＴ生成用基材の判定方法；ならびに該判定方法に基づき、該基材の再利用可否を判定する工程、およびその判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材上にＣＮＴを形成する工程、を含むＣＮＴの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、タッチペンに関し、特に、タッチパネル用タッチペンに関するものである。
【解決手段】本発明のタッチペンは、導電性を有するペン本体と、靱性及び導電性を有するペン先と、を含む。前記ペン先は、前記ペン本体の一端に固定され、カーボンナノチューブ構造体を含む。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブからなり、前記ペン先は、タッチパネルに接触した場合、前記ペン先と前記タッチパネルとの間に静電容量が生じる。 （もっと読む）

【課題】多層のカーボンナノチューブを製造するのに有利な多層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒粒子を担持させた基体をＣＶＤ装置の反応容器内に配置した状態で、カーボンナノチューブ形成温度に基体を維持させると共に、炭素源を含む原料ガスをＣＶＤ装置の反応容器に導入させることにより、触媒粒子を有する基体の表面にカーボンナノチューブ集合体を基体の表面に形成する。担持後であって原料ガスを反応容器内に導入させる前に、触媒粒子を担持した基板を反応容器内において所定時間加熱させて基体上の触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させる。 （もっと読む）

【課題】グラフェン膜と金属電極との接触面積（基板上の占有面積）を抑制しつつ、それらの間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記回路は、前記グラフェン膜と該グラフェン膜に直接接合する第１の金属電極と該グラフェン膜に直接接合する第２金属電極とを有し、前記第１の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上と前記第２の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上とが、高濃度のp型または高濃度のn型にドープされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タール状物質などの有害物質を含む化学合成物質の生成を排気側にて安価な構成にて抑制し得るガス排出手段を有する真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを水平に配置し得るとともにその上方に当該基板を加熱する加熱装置21を有し且つ下方に原料ガスＧを導入し得るガス供給口５が設けられた加熱室13を有して基板の下面に蒸着材料を蒸着させ得る熱ＣＶＤ装置であって、上記加熱室に、ガス供給口５からの原料ガスを基板の下面に案内し得るガス案内用ダクト体24を設け、このガス案内用ダクト体の上端面と基板下面との間に隙間δを形成するとともに、基板の上方に当該基板の高さ位置を維持する基板高さ維持部材25を設け、上記加熱室の上壁部に真空ポンプ27を有するガス排出装置23を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および熱放射性に優れ、熱伝導率に異方性がない炭素放熱体を安価に製造する。
【解決手段】高分子樹脂中に、黒鉛の結晶が放射状に成長した気相放射状成長黒鉛粉末を均一に分散混合し、混合物を所望の形状に成形した後、不活性雰囲気中、非酸化性雰囲気中、又は真空中で焼成することにより、高分子樹脂を炭素化して、アモルファス炭素中に気相放射状成長黒鉛粉末が均一に分散した炭素放熱体とする。 （もっと読む）

【課題】表面に炭素質被膜が形成された電極活物質を電極材料として用いる場合に、炭素質被膜の担持量にムラが少なく、しかも電子導電性を改善することが可能な電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電極材料は、表面に炭素質被膜が形成された電極活物質を凝集してなる凝集体からなり、前記凝集体の平均粒子径は０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下であり、前記凝集体の体積密度は、前記凝集体を中実とした場合の体積密度の５０体積％以上かつ８０体積％以下であり、この電極活物質の表面の８０％以上は炭素質被膜にて被覆されている。 （もっと読む）

【課題】高容量で、放電負荷特性及びサイクル特性に優れるリチウムイオン二次電池を構成可能なリチウムイオン二次電池用負極材の製造方法を提供する。
【解決手段】リチウムイオン二次電池用負極材を、噴霧乾燥造粒法により、天然黒鉛およびバインダを含む黒鉛粒子を得る造粒工程と、前記黒鉛粒子を、非酸化性雰囲気下で６００〜１４００℃で焼成する焼成工程と、を含む製造方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体をより均一に製造する。
【解決手段】カーボンナノチューブの触媒層を表面に有する基材上に、カーボンナノチューブの原料ガス、触媒賦活物質及び希釈ガスを含む原料ガス混合物を供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、成長炉内に上記基材を設置する工程と、上記触媒層に噴射部から上記原料ガス混合物を噴射する工程と、を含み、上記触媒層と上記噴射部との距離Ｈの４倍以上の幅Ｗを上記触媒層が有し、上記希釈ガスが窒素を含み、上記触媒賦活物質が二酸化炭素を含む。 （もっと読む）

【課題】硫黄系強酸を含浸させることによる、硫黄改質モノリシック多孔質炭素系材料の調製方法、およびこの方法に従って得ることができる超静電容量特性を有する材料を使用したエネルギー貯蔵システム用に意図された電極を提供する。
【解決手段】（ｉ）ポリヒドロキシベンゼン／ホルムアルデヒド型の少なくとも１種の親水性ポリマーを含むゲルを乾燥させる段階と、（ｉｉ）段階（ｉ）の間に得られた材料を熱分解する段階と、（ｉｉｉ）段階（ｉｉ）から得られた材料に硫黄系強酸を含浸させる段階と、（ｉｖ）段階（ｉｉｉ）の最後に得られた硫黄改質材料を、３００℃から５００℃、好ましくは３５０℃から５００℃、より好ましくはさらに３００℃から４００℃の温度で熱処理する段階とを含む硫黄改質モノリシック多孔質炭素系材料の調製方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンの品質を保ちながら、転写プロセスを必要としない透明の絶縁体基板上にグラフェンを直接成膜する
【解決手段】MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 （もっと読む）