【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ５の分子構造を生成する触媒４０が設置された支持部材４を反応管２内に配置する配置ステップと、反応管２内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ５の基端部５０が支持部材４に固定されると共に先端部５１に成長用触媒４０が保持された状態でカーボンナノチューブ５を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ５の成長に応じて、カーボンナノチューブ５の先端部が反応管２内に留まるように、支持部材４を反応管２に対して移動させる。 （もっと読む）

【課題】蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）に再付着することを防止し、配向を崩すことなくＣＮＴから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のＣＮＴを得ることができる触媒金属の除去方法を提供する。
【解決手段】基板Ｋに触媒金属を介して形成させたＣＮＴから、ナノ粒子である触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、基板Ｋの近傍に配置された触媒金属と同種の金属からなるバルク材７を、バルク材加熱用ヒータによりバルク材７の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、真空ポンプ１２により維持された所定の真空度において、基板Ｋを、基板加熱用ヒータ６により触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、触媒金属を蒸発させてバルク材７の鏡面加工された蒸着面７Ｄに蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシート系材料の処理方法及び装置に関し、所望の層数のグラフェンシートを有するグラフェンシート系材料の形成しうるグラフェンシート系材料の処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】グラフェンシート系材料４０の表面に、グラフェンシート系材料４０に作用する反応性物質３４を含む雰囲気中で紫外線３６を照射することにより、グラフェンシート系材料の最表面層を除去し又は最表面層を改質化してグラフェンシート系材料４０の電気的性質を変化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）

【課題】カーボン粉末を効率的に黒鉛化する。
【解決手段】黒鉛化炉は、移動自在に設けられた導電性の分割電極１２２と、分割電極の下端部１２２ａがカーボン粉末に埋設されると共に、分割電極の上端部がカーボン粉末から露出した状態でカーボン粉末が収容された導電性の坩堝１２０と、下端部１９０ａが、分割電極の上端部１２２ｂと対向するように配置された上方電極棒１９０と、上端部１９２ａが、坩堝の底部１２０ｂと対向するように配置された下方電極棒１９２と、上方電極棒の下端部が分割電極の上端部に当接し、下方電極棒の上端部が坩堝の底部に当接した状態で、上方電極棒と下方電極棒との間に電圧を印加する電源部１３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】トンネル炉内に異常が発生した場合に、炉内の賦活反応生成物、未反応物を安全に炉外に排出することができ、また、炉壁等に付着したアルカリ化合物を効率良く除去し、安定してアルカリ賦活炭を製造することができるアルカリ賦活炭の製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材をアルカリ金属化合物で賦活することによりアルカリ賦活炭を製造するアルカリ賦活炭の製造装置において、加熱手段と不活性ガス導入路１２ａを備え、原料仕込み後の容器が通過する間に脱水および上記炭素材の賦活反応が行われるトンネル炉３と、上記トンネル炉３内に第二導入路１２ｂを通じて水蒸気を導入する三方弁１４、水蒸気導入路１５と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単位質量当たりに導入可能な官能基の量に優れたナノカーボンを提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第１の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第２の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。
【解決手段】触媒層３１を表面に形成した搬送ベルト１９により反応炉１内に搬入して昇温領域３及び反応領域２を順に搬送し、昇温領域３を通過した触媒層を反応領域２に移送して原料ガスにより触媒層上にＣＮＴを成長させる。拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】触媒層上に秀麗な配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。また、前記基板層２がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層４、前記Ａｌ層６及び前記触媒層８を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。４００℃以上、好適には５００℃以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層４を形成して、ＣＮＴ合成時に耐熱性樹脂層４が基板層２と樹脂層８との反応を防ぎ、触媒層８上に配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収しても基板層２の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層２の再利用を実現できる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置および蒸着膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガス加熱装置９で加熱された原料ガスＧを加熱室１３内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室１３内の基板Ｋに蒸着させる熱ＣＶＤ装置であって、上記ガス加熱装置９が、上記加熱室１３内に導入する原料ガスＧに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル３３と、上記交番磁界が与えられた原料ガスＧに電磁波を照射する電磁波発生用コイル３１とを備えるとともに、電磁波発生用コイル３１の軸心に、原料ガスＧを加熱室１３内に導入するガス導入管５を設け、このガス導入管５を通過する原料ガスＧに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスＧを加熱する。 （もっと読む）

【課題】タール状物質などの有害物質を含む化学合成物質の生成を排気側にて安価な構成にて抑制し得るガス排出手段を有する真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを水平に配置し得るとともにその上方に当該基板を加熱する加熱装置21を有し且つ下方に原料ガスＧを導入し得るガス供給口５が設けられた加熱室13を有して基板の下面に蒸着材料を蒸着させ得る熱ＣＶＤ装置であって、上記加熱室に、ガス供給口５からの原料ガスを基板の下面に案内し得るガス案内用ダクト体24を設け、このガス案内用ダクト体の上端面と基板下面との間に隙間δを形成するとともに、基板の上方に当該基板の高さ位置を維持する基板高さ維持部材25を設け、上記加熱室の上壁部に真空ポンプ27を有するガス排出装置23を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体を均一に製造することを可能にする、触媒賦活物質を含むガスの噴出装置を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの成長の触媒を賦活する触媒賦活物質を含むガスの噴出装置１００であって、複数のシャワー２０１、２０２を備え、複数のシャワー２０１、２０２では、噴出する触媒賦活物質の量が互いに異なり、外側のシャワー２０２により噴出される触媒賦活物質の量が、内側のシャワー２０１により噴出される触媒賦活物質の量より多くなるように、複数のシャワー２０１、２０２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】純度および安定性の高い高機能のナノカーボンを低コストで効率よく量産することができることを課題とする。
【解決手段】内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器１と、この反応容器内に設けられ，ローラにより駆動するとともに表面にナノカーボンが生成される無端状で帯状のステンレス板３と、ステンレス板を加熱するヒータ４と、ステンレス板表面に触媒粉を供給する触媒供給手段７と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段５と、反応容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６と、ステンレス板に生成されたナノカーボンを回収する掻き取り回収手段８と、反応容器内のガスを排気するガス排気手段１０とを具備することを特徴とするナノカーボン製造装置。 （もっと読む）

【課題】純度および安定性の高い高機能のナノカーボンを低コストで効率よく量産することができることを課題とする。
【解決手段】内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器１と、この反応容器内に設けられ，ローラにより駆動するとともに表面にＣＮＴ２が生成される無端状の帯状鉄板３と、帯状鉄板を加熱するヒータ４と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段５と、反応容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６と、帯状鉄板に生成されたナノカーボンを回収する回収手段７と、反応容器内のガスを排気するガス排気手段９とを具備することを特徴とするナノカーボン製造装置。 （もっと読む）

【課題】同一のカーボンナノチューブ形成面に形成されるカーボンナノチューブの性状のばらつきを抑制できる新規なカーボンナノチューブ製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】装置は、対象物１を収容するための反応室３０と、反応室に収容された対象物のカーボンナノチューブ形成面１１，１２に間隔を隔てて対面しつつカーボンナノチューブ形成面が延設する面方向に沿って延設されたガス供給室５１，５２と、ガス供給室と反応室とを連通させる反応ガスを反応室に吹き出す複数の吹出口４１，４２とを有するガス通路形成部材と、加熱源７１，７２とをもつ。反応ガスをガス供給室に供給することにより、反応室内の対象物のカーボンナノチューブ形成面が延設する面方向に対して交差する方向に沿って、ガス供給室の反応ガスを吹出口から対象物のカーボンナノチューブ形成面に向けて衝突させるように吹き出す。 （もっと読む）

【課題】大量・低コスト・高品質のナノカーボンを製造する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法を用い、４００〜１０００℃に加熱した触媒活性化ゾーン２１ａとナノカーボン合成ゾーン２１ｂと冷却ゾーン２１ｃを有する電気炉２１内に設置した反応管としてのスクリューコンベア２２に、多孔質複合金属酸化物と炭化水素ガスを触媒の供給用ホッパー２５から連続的に供給し、合成されたナノカーボンを連続的に排出ホッパー２６から取り出す。本発明によれば、大量・低コスト・高品質のナノカーボンの製造方法及び製造装置が得られる。さらに、ナノカーボン合成ゾーンにて生成される水素ガスを燃料電池２８ｂによる発電に有効利用することでエネルギーを回収することができるため、より低コストでナノカーボンを製造できるようになる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ配向集合体を連続的に製造する装置において、排気管中に付着する炭素固形物の生成を抑制することによって、ＣＮＴ配向集合体の連続製造を安定的に保つことを可能にする。
【解決手段】触媒基板１０上に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長炉３ａと、成長炉３ａ内のガスを排気する排気管２３と、を備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置において、前記原料ガスと化学反応を起こすことで前記排気管内２３に付着する炭素固形物を低減する反応ガスを噴射する反応ガス噴射部１６、１７を備えている。 （もっと読む）

【課題】触媒が全面に塗布された基板においても、所望の形状で成長したカーボンナノチューブを得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】触媒が塗布された基板Ｋを内部に配置すると共に所定の真空度を維持し得る加熱室１３を有して、熱化学気相成長法により当該基板Ｋに原料ガスＧを供給してカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置であって、基板Ｋのカーボンナノチューブの生成範囲に原料ガスＧを導く複数のガス案内用ダクト体２３と、これら各ガス案内用ダクト体２３にそれぞれ一端が接続されて原料ガスＧを各ガス案内用ダクト体２３に導く複数のガス導入管５とを具備したものである。 （もっと読む）