【課題】超硬合金に比べてWの使用量を削減でき、かつ超硬合金の代替となり得る強度と靭性を備えた焼結体の原料として好適な硬質粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】この硬質粒子10は、コア11と、コア11を覆うシェルとを備える。コア11は、Wを除く周期律表4、5、6族元素及びSiから選択される一つ以上の元素とWの炭化物、窒化物及び炭窒化物の少なくとも一種の固溶体を含有する。シェル12は、WCで構成される。Wが固溶された所定の複合固溶体でコア11を構成し、かつWCでシェル12を構成することにより、コア11とシェル12の線膨張係数差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長のような１５００℃から１７００℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１４の処理を行う反応室４４と、複数の基板１４を保持する基板保持具１５と、反応室４４内に設けられ、反応室４４内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部３４と、を備え、基板保持具１５の最下部に保持された基板よりも下方に空間３４０を有する基板処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用負極材料として用いて、放電容量が高く、優れたサイクル特性と初期充放電効率が得られる負極材料、得られた負極材料を用いてなる、放電容量が高く、優れたサイクル特性と初期充放電効率を有するリチウムイオン二次電池用負極およびこの二次電池用負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】 黒鉛質物の表面の少なくとも一部に、リチウムと合金化可能な金属原子および炭素原子を有する化合物層を介して、リチウムと合金化可能な金属および／または金属化合物の層を設け、前記黒鉛質物が、平均粒子径が１０ｎｍ〜１μｍの微小黒鉛粒子を、それより粒径の大きな黒鉛粒子を母粒子として、該母粒子の表面に付着することで凹凸を形成してなることを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極材料。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマトーチを利用した微粒子の生成に関する技術において、トーチ全体の大きさを小さくでき、エネルギー効率が高く、さらに原料材料を均一に加熱することができる、微粒子生成装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子生成装置１００は、直流プラズマトーチ５０と、直流プラズマトーチ５０から離隔して対向配置された対向電極１０と、材料気化反応室３５を側面側から囲繞する壁面部１１とを、備える。直流プラズマトーチ５０は、リング状の磁石３と、円筒形状であり、磁石３が円筒の空洞内部に配置され、磁石と所定の距離だけ離隔している移行型プラズマ用電極１と、直流プラズマトーチ５０の略中央部に設けられた原料材料通路部２５とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第１の軸に沿ってレーザ光線１１を照射するレーザ１０と、第１の軸と垂直な方向から試薬流１３を流し第１の相互作用ゾーン１５でレーザ光線と交差するように構成された第１の注入装置と、第１の軸に沿って第１の相互作用ゾーンの下流側に第２の相互作用ゾーン１５’を形成する第２の試薬流１３’を与える第２の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材１２を備え、レーザ光密度が第１の相互作用ゾーンと第２の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ホウ素含有量が高く、炭化ケイ素および炭化ホウ素相が良好に分散し、組成が制御された、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法に関し、このケイ素は炭化ケイ素の形態であり、ホウ素が、炭化ホウ素および／または遊離ホウ素の形態である。本発明の方法は、炭素系前駆体、ケイ素系前駆体およびホウ素系前駆体ＢＸ_３（Ｘがハロゲン原子である）を、これらの３つの前駆体の混合物を得るために接触させる工程と、得られた混合物をレーザー熱分解に供する工程と、を含み、ホウ素系前駆体ＢＸ_３は、接触工程の前におよび／または接触工程と同時に、この前駆体の縮合温度よりも高い温度に加熱される。 （もっと読む）

【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ［（シリリン）エチニレン］ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を合成した。
【解決手段】
ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】骨格の表面積が極めて大きな多孔体及び該多孔体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る多孔体は、三次元網目構造を持つ発泡金属の骨格の表面に、炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーが形成されたことを特徴とする。前記発泡金属がＮi、Ｃr又はＦeであることが好ましい。特に、前記炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーが、前記発泡金属の骨格表面の炭化アルミニウム相又は酸化アルミニウム相から複数成長していることを特徴とする。 （もっと読む）

炭化物ナノ粒子を含む分散硬化体の製造方法は、溶射法によって分散硬化体を製造する工程を含み、燃焼チャンバの下流に、気体流と反応して炭化物を形成する少なくとも１つの前駆体を有するキャリアガスによって気体流が供給されるか、又は熱的負荷に曝される外部ナノ粒子発生器を介して炭化物ナノ粒子が供給される。それは、例えば、内燃機関用部品（例えばピストンリング）などの分散硬化体の製造を可能にする。本方法は、燃焼チャンバの下流に、溶射粉末を供給するための少なくとも１つの管に加えて、キャリアガスによって前駆体を供給するための少なくとも１つの管をさらに含む溶射装置によって実行される。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】二次加工することなく、低温でカーボンナノチューブ集合体を製造するためのカーボンナノチューブ集合体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ケイ素ポリマーを、空気、オゾン、酸素、塩素ガス、臭素ガス、及びアンモニアガスのうちいずれか１以上の酸化性ガス雰囲気中、５０〜４００℃の温度で焼成し有機ケイ素ポリマーの不融化物を得る第１工程と、前記有機ケイ素ポリマーの不融化物を焼成し炭化ケイ素を得る第２工程と、前記炭化ケイ素に、１１００ｎｍ以下の波長のレーザー光を照射しながら、真空度１．０１×１０^５〜１．３３×１０^−８Ｐａ中、５００〜１７００℃の温度で焼成しカーボンナノチューブの集合体を得る第３工程とを備えたことを特徴とするカーボンナノチューブ集合体の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】この発明は、バインダを用いないでも成形型へ充填されたナノＳｉＣの圧粉状態が維持されて優れた成形性をもち、正常な加圧焼結が出来るような成形性の良好な超微細ＳｉＣ粒子およびその製造方法を得ようとするものである。
【解決手段】粒径が10〜100nmでＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む成形性に優れた超微細ＳｉＣ粒子である。 （もっと読む）

【課題】分散の良いセラミックス焼結体の材料として、微細な炭化物を酸化物粉末に被覆した粉末の提供。
【解決手段】酸化物表面が、平均粒子径１００nｍ以下のＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｖなどの金属の炭化物によって被覆された粉末は、金属とそれに配位した有機物とからなる組成物と、酸化物粉末を溶媒中で混合後、乾燥し、非酸化物雰囲気中にて８００〜１８００℃で金属を炭化することにより得られる。この酸化物複合材料は、炭化物による酸化物結晶の粒成長抑制効果により酸化物の結晶粒子が従来に比べ微細化され、炭化物粒子の接触点でも容易に焼結が進行してマイクロポアの発生も抑制される。容易に光学的鏡面でき、研磨速度も大きいため、生産の効率化に寄与する。更に、焼結体はイオン加工においても優れた表面粗さが得られ、強度や破壊靭性（耐クラック発生・伝播性）に優れ、加工時のクラック発生や粒子脱落（プルアウト）が無い。 （もっと読む）

【課題】 可とう性のある基材上に形成したカーボンナノチューブの集合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素で構成された、シート、繊維、あるいは該繊維を使った織物の表面にカーボンナノチューブが形成されているカーボンナノチューブ集合体であり、前記シート、繊維、あるいは該繊維を使った織物は有機ケイ素ポリマーを原料として製造された炭化ケイ素で構成されていることが好ましい。前記有機ケイ素ポリマー中には、−Ｍ−Ｃ−（ここでＭは金属）または−Ｍ−Ｏ−の構造単位を有する金属元素を有し、ポリマー中のＳｉと該金属元素との比（Ｓｉ：Ｍ）が２：１〜２００：１の範囲内であることが好ましい。 （もっと読む）