【課題】 電子の入射に応じて蛍光を発する蛍光体を提供する。
【解決手段】 電子線検出器では、ライトガイドにより、化合物半導体基板の蛍光出射表面を光検出器の光入射面に光学的に結合し、且つ、化合物半導体基板と光検出器とを物理的に接続し、もって、化合物半導体基板と光検出器とを一体化している。化合物半導体基板が入射した電子を蛍光に変換すると、ライトガイドが当該蛍光を光検出器に導き、光検出器が蛍光を検出することで、入射した電子線を検出する。 （もっと読む）

【課題】制御が難しい欠陥生成工程を利用せずに製造できる新規な蛍光体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体母体材料と、蛍光体母体材料中にまだら状に分散され、蛍光体母体材料と接しながら分離している発光励起材料と、を含む構造を有する蛍光体とする。発光励起材料は、金属酸化物、周期表第２Ｂ族（第１２族）元素と周期表第６Ｂ族（第１６族）元素とからなる半導体、又は周期表第３Ｂ族（第１３族）元素と周期表第５Ｂ族（第１５族）元素とからなる半導体から選択する。蛍光体母体材料と発光励起材料とは混合して加圧焼成することにより接合する。 （もっと読む）

【課題】発光色の安定性に優れる発光装置ならびにその発光装置を用いた画像表示装置および液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】近紫外領域の波長を有する一次光を発する第１の発光素子と一次光を吸収して一次光よりも長波長の二次光を発する複数の蛍光体粒子を含む波長変換部とを備えた発光装置であって、二次光を発する蛍光体粒子のうち少なくとも１種類はアスペクト比の平均値が２以上２０以下であるものを含む発光装置、その発光装置を用いた画像表示装置および液晶ディスプレイである。ここで、蛍光体粒子には、β型サイアロンからなる緑色蛍光体が含まれることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】輝度を高く保ちながら色再現性に優れた液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】青色ＬＥＤと赤色発光蛍光体および緑色発光蛍光体とを組み合わせて混色させた白色ＬＥＤ装置を備えるバックライト、及び透明基板上に少なくとも赤色画素、緑色画素、及び青色画素を含む複数色の着色画素を備えるカラーフィルタを具備する液晶表示装置であって、前記白色ＬＥＤ装置の発光スペクトルが、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長領域に第１のピーク波長、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域に第２のピーク波長、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に第３のピーク波長を有し、ＣＩＥ１９３１のＸＹＺ表色系であるｘｙ色度において、色再現可能範囲がＮＴＳＣ比で７２％以上であり、且つ白表示させた際の三刺激値ＸＹＺにおける刺激値ＹがＮＴＳＣ比との関係式Ｙ≧−０．３８９×ＮＴＳＣ比＋５８を満たす領域にあることを特徴とする。 （もっと読む）

第１の材料からなるコア及び第２の材料からなる層を具えるナノ粒子。前記第１及び第２の材料のうち一方は、周期表の第１３族及び第１５族からのイオンを組み込んでいる半導体材料であり、前記第１及び第２の材料のうち他方は、周期表の第１族〜第１２族、第１４族及び第１５族のうち何れか１つから選択される金属イオンを組み込んでいる金属酸化物材料である。このようなナノ粒子の製造方法も説明される。更に、第１の材料からなるコア及び、該コア上に蒸着される第２の材料からなる層を具えているナノ粒子であって、前記第１及び第２の材料のうち一方は半導体材料であり、前記第１及び第２の材料のうち他方は周期表の第３族〜第１０族のうち何れか１つから選択される金属の酸化物であるナノ粒子を提供する。
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【課題】本発明は、高い量子収率の蛍光体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体は、カルコパイライト構造を有するI-III-VI族の元素それぞれ１種の元素からなる第１化合物からなるナノ蛍光粒子を分散させた溶液と、（ｂ）金属塩を溶解した溶液とを混合し、加熱してナノ蛍光粒子を構成する元素を、金属塩の金属元素と置換して製造したナノ粒子である。蛍光体の量子収率は、室温で１０〜４０％である。蛍光粒子が５５０ｎｍ〜８００ｎｍ波長の蛍光を発する。 （もっと読む）

【課題】発光体粒子に対して、キャリア、特に正孔を効率的に供給することにより、高輝度、高効率の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持され、正孔輸送材料からなるマトリクス中に発光体粒子が分散して構成された発光層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｌｕを主成分とする希土類硼酸塩を用いたシンチレータ用単結晶材料において、出力（明るさ）を維持しつつ発光寿命の短縮化を図る。
【解決手段】Ｌｕ（ルテチウム）を主成分とする希土類硼酸塩に発光元素とＣａをド−プしてなる組成を備えたシンチレータ用単結晶材料を作製した。Ｃａをド−プすることによって、出力（明るさ）を維持しつつ発光寿命の短縮化を図ることができ、Ｃａのド−プ量を変化させることにより、用途に合わせて発光寿命を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】１次光を発する光源と、１次光を吸収して２次光を発する蛍光体と、を備える発光装置であって、環境に対する害が少なく、しかも高輝度、低消費電力かつ長寿命の白色光を出射可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置が備える蛍光体に含まれる蛍光物質は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の微粒子結晶であり、蛍光体は３つの層を有し、当該層は１次光の入射する側から出射する側に向かって蛍光物質のサイズが小さくなるように積層される。 （もっと読む）

【課題】発光量子効率が高く、且つ、安定性に優れたナノ粒子を得ることが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】第III元素又は第III元素化合物を配位性有機溶媒に溶解させ（工程１）、この配位性有機溶媒に第Ｖ元素又は第Ｖ元素化合物を注入する（工程２）。次に、所定温度に所定時間保持して、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を合成する（工程３）。合成された第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を分取して（工程４）、これを有機溶媒に分散させる（工程５）。第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子が分散された有機溶媒にフッ素化合物を添加し、光照射して、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子の表面処理を行う（工程６）。表面処理の後、フッ素化合物を除去して（工程７）、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を有機溶媒に分散させる（工程８）。更に、有機溶媒に分散された第III−Ｖ族元素化合物半導体ナノ粒子に、大気を除去した不活性雰囲気で光照射を行う。 （もっと読む）

【課題】
紫外線又は短波長可視光で効率良く励起され発光する蛍光体を用いて、高演色性、高光束の発光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】
紫外線又は短波長可視光を発する発光素子と、前記紫外線又は短波長可視光により励起され可視光を発光する蛍光体として、一般式Ｍ^１Ｏ_２・ａＭ^２Ｏ・ｂＭ^３Ｘ_２：Ｍ^４（但し、Ｍ^１はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ^２はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍ^３はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素、Ｘは少なくとも１種のハロゲン元素、Ｍ^４はＥｕ^２＋必須とする少なくとも１種の希土類元素を示す。ａは０．１≦ａ≦１．３、ｂは０．１≦ｂ≦０．２５の範囲である）で表される蛍光体を備える発光装置。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、演色性に優れた低コストの窒化物半導体発光ダイオードであって、放射角による色合変化の少ない窒化物半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオードにおいて、Ａｌ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体材料を用いた、発光特性に優れたナノ粒子蛍光体と、これを高い歩留りで製造出来る製造方法およびこれを用いた発光装置を提供すること。
【解決手段】直径が３ｎｍ以下の柱状結晶で構成される蛍光体であって、柱状結晶において発光領域と光吸収領域とが規定され、発光領域および光吸収領域は、柱状結晶の長手方向に隣接しており、発光領域は、蛍光体の長手方向において２つの光吸収領域に挟持されており、発光領域の呈する発光波長が４３０ｎｍより長波長であり、蛍光体の励起光の波長は２００〜４５０ｎｍであり、光吸収領域は、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）およびＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．１５）の少なくとも１つからなる蛍光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】
耐久性に優れ高い輝度を有する緑色の蛍光体を提供する。
【解決手段】
Ｂａ_３Ｓｉ_６Ｏ_９Ｎ_４と同一の結晶構造を有する無機結晶に、少なくともＥｕが固溶したものを含み、波長４２０ｎｍから５７０ｎｍの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光することを特徴とする蛍光体を提供する。また、このような蛍光体を製造する方法を提供する。さらに、このような蛍光体を含む照明器具および画像表示装置を提供する。 （もっと読む）

周期表の第１２族及び第１６族からのイオンを組み込んでいる分子クラスター化合物と、前記分子クラスター化合物に提供されるコア半導体材料とからなるナノ粒子であって、コア半導体材料は、周期表の第１３族及び第１５族からのイオンを組み込むナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を示すＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体微粒子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ガリウムおよびインジウムから選択される１種以上のＩＩＩ族金属元素と、リンおよびヒ素から選択される１種以上のＶ族元素とを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体微結晶と、アミノ基と、を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体微粒子であって、前記半導体微結晶の表面のＶ族元素と、
一般式 −ＮＲ₁ （１）
および／または
一般式 −ＮＲ₁Ｒ₂ （２）
および／または
一般式 −ＮＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ （３）
（式中、Ｒ₁、Ｒ₂およびＲ₃は、互いに同一または異なって、水素、および／または、炭化水素基を表わす）で示される前記アミノ基の窒素元素とが結合してなるＩＩＩ−Ｖ族化合物の半導体微粒子およびその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高効率かつ高演色性または色再現性の優れた発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置用蛍光体粒子集合体は、互いに異なる発光ピーク波長を有する複数種類の蛍光体粒子を含み、相対的に短い発光ピーク波長を有する種類の蛍光体粒子に比べて、相対的に長い発光ピーク波長を有する種類の蛍光体粒子は相対的に大きなメディアン径を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体原料を含む蒸着源を加熱し、発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸着中の基板温度が６０〜１１０℃の範囲内の温度にあり、且つ蒸着開始時の基板温度から蒸着中の最高到達基板温度までの間の昇温速度が０〜５℃／ｍｉｎであることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】放射線画像変換パネルとして輝度、残光特性、作業性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体原料を含む蒸着源を加熱し、発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体原料の２５℃におけるｐＨが５．０〜７．０であり、且つ該蛍光体原料のｐＨと蛍光体層のｐＨとの差が０．６以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物半導体からなる半導体粒子の表面欠陥を強固にキャッピングすることによって、発光効率が高く信頼性に優れた、可視領域で発光する該半導体粒子を備える蛍光体、および該蛍光体簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】窒化インジウム・ガリウム混晶を含有する半導体粒子と、半導体粒子の表面に結合したジアルキルジアルキルアミノ基とを備える蛍光体であって、半導体粒子の表面のインジウム元素および／またはガリウム元素と、
一般式 −ＮＲ₂ 化学式（１）
（式中、Ｒは、互いに同一または異なって、アルキル基を表わす）で示されるジアルキルアミノ基の窒素元素と、が結合してなる蛍光体、およびその製造方法に関する。 （もっと読む）