【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】ケミカルタンカーのステンレス製カーゴタンクの酸洗作業において、安全面、効率面で問題のある手作業による酸洗方法に替えて、タンク洗浄装置を用いて無人化、自動化による酸洗方法、及びこの自動酸洗方法に好適な高い洗浄効果を得ることができる酸洗浄剤を提供する。
【解決手段】硝酸、フッ酸、硫酸、有機酸、多価アルコール、粘性助剤、錯化合物、消泡剤を含有した構成をもつ酸洗浄剤、及びこの酸洗剤を使用してタンク洗浄装置を用いて行うケミカルタンカーのステンレス製カーゴタンクの自動酸洗方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス面、光沢のある金属面や塗装面、プラスチック面の拭掃は勿論、処理液によって処理された面が光沢を失わないで汚れを防ぎ、長期間その効果が持続する表面処理液の製造方法を提供する。
【解決手段】 高速回転機能を有する撹拌機の回転槽内に、エタノ−ル６０％、精製水３９，７％、弗素０，７％ の割合で投入した後、２００００回転乃至２５０００回転の速度で１０数分回転させる表面処理液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】疎水性表面を有するシリコンウェハの洗浄方法、洗浄液を提供する。
【解決手段】洗浄液として、ＨＦが０．０１〜０．０５重量％と、かつオゾンが含有されている洗浄液を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコーン系ハードコート付き樹脂基板に付着した水垢を、そのシリコーン系ハードコートを損傷することなく除去する洗浄剤を提供する。
【解決手段】界面活性剤と、酸性フッ化アンモニウムと、水とを含有し、上記酸性フッ化アンモニウムの含有量が、全体量の０．５〜３．０質量％である。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_１及びＲ_２が共に水素原子になることはない。）
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄する。 （もっと読む）

基板から汚染金属を除去し、電気性能を向上させる方法が提供される。ポリカチオン金属は、絶縁体または半導体基板の電気的性質に著しく有害であることが知られている。本方法は、基板の電気性能を向上させるために、式(I):


[式中、nは各出現時に独立して0から6の間の整数値であり、Xは各出現時に独立してH、NR₄、Li、NaまたはKであり、またXの少なくとも1つはNR₄であり、Rは各出現時に独立してHまたはC₁〜C₆アルキルである。] の少なくとも1種の化合物の水溶液への基板の曝露を含む。この種の溶液を調製するためのキットは、式(I)の少なくとも1種の化合物の合計1〜20重量パーセントの水性濃縮物を含む。キットはまた、濃縮物を希釈して溶液を形成するための説明書を提供する。
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マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

光電池において使用するための薄膜アモルファス、単結晶または多結晶シリコンウエハー基板であり、ｐｎまたはｎｐ接合および部分的なホスホシリケートまたはボロシリケートガラス層の少なくとも１つを該ウエハー基板の上面に有する該ウエハー基板を処理して、（ａ）該ウエハーのシート抵抗および（ｂ）前記ウエハーから作製された該光電池の出力密度レベルの少なくとも一方を増大させること。少なくとも１種の水酸化テトラアルキルアンモニウム、酢酸、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、少なくとも１種の金属キレート剤、アンモニアの無金属供給源、フッ化物イオンの無金属供給源および水を有する緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）溶液を、酸化剤溶液および場合により水と混合した酸処理溶液である、処理溶液。 （もっと読む）

【課題】水垢によって汚染された窓ガラスなどの透明部材を、その表面やハードコート層を損傷させることなく、十分かつ経済的に洗浄可能な洗浄液、および透明部材の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】水溶性フッ素化合物と、酸と、増粘剤および／または乾燥防止剤とを水中に含有することを特徴とする透明部材の洗浄液。 （もっと読む）

１，１，２，３−テトラクロロプロペン及びフッ化水素から実質的に構成される共沸混合物様組成物、並びにかかる共沸混合物様組成物に関係する方法を提供する。 （もっと読む）

１，１，１，２，３−ペンタクロロプロパン及びフッ化水素から実質的に構成される共沸混合物様組成物、並びにかかる共沸混合物様組成物に関係する方法を提供する。 （もっと読む）

Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から酸化銅エッチ除去するための非常に水性の酸性洗浄組成物であって、その組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再析を防止するかもしくは実質的に除去する、組成物。上記組成物は、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために特に有用である。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、環境負荷が低く、洗浄対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、および、合金を腐食することなく、短時間、低温度で、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる洗浄液と、その洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】還元剤および界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１４である半導体デバイス用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンおよびフッ化水素の三成分系の共沸組成物および共沸混合物様組成物を提供する。
【解決手段】フッ化水素約１から約５０重量％と、２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンおよび２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンの混合物から実質的になる有機部分約５０から約９９重量％（ここで、２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンは前記有機部分の約５０から約９０重量％の量で存在し、２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンは前記有機部分の約１０から約５０重量％の量で存在する）とからなる共沸組成物または共沸混合物様組成物を提供する。上記共沸組成物および共沸混合物様組成物は、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）製造の中間体として有用である。 （もっと読む）

【課題】例えば、ニッケルを含むめっき処理が施された青銅、黄銅等の銅合金製の水道用バルブ、給水給湯用バルブ、管継手、ストレーナ、水栓金具、ポンプ用品、水道メーター、浄水器、給水給湯器、或いはその他の接液器材において、水道水などの流体が接液しても、ニッケルが溶出することのない銅合金製接液器材のニッケル溶出防止方法及びニッケル溶出防止用保護膜形成剤並びにニッケル溶出防止用洗浄剤を提供すること。
【解決手段】銅合金製接液器材にニッケルを含むめっき処理を施したニッケルの溶出防止方法において、接液器材の少なくとも接液面に、ワックスを含有する保護膜形成成分とこの保護膜形成成分を水に溶解させる溶剤成分を含んで成る保護膜形成剤を施して保護膜を形成し、この保護膜により、ニッケルの溶出を抑制するようにした銅合金製接液器材のニッケル溶出防止方法である。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。
【解決手段】脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含むストリッパー調合物。および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 （もっと読む）