【課題】新規な多孔性金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される芳香族化合物と周期表第２族〜第１３族から選択される１種の金属原子を含む金属塩との混合物を、反応させて得られる多孔性金属錯体。


（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なり、置換基を有していてもよいベンゼン環又は置換基を有していてもよい芳香族複素環を表す。Ｚ^１及びＺ^２は、同一又は異なり、＝Ｏ、＝Ｓ又は＝ＮＲ^αを表す（Ｒ^αは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表す。）。Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なり、−ＣＯ_２Ｒ^Ａ、−ＳＯ_３Ｒ^Ａ、−ＰＯ_４Ｒ^Ａ_２又は−Ｃ≡Ｎを表す（Ｒ^Ａは水素原子、アルカリ金属原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）。） （もっと読む）

【課題】優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；
【化１】


（式中、Ｘ及びＲ^１〜Ｒ^１２は明細書に定義されるとおりである。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】安定的かつ容易に薄膜を形成、あるいは有機薄膜層の多層化を容易に行うことができ、有機エレクトロニクス素子、特に高分子型有機ＥＬ素子の生産性を向上させる上で有用な電子受容性化合物を提供する。
【解決手段】第１の電荷輸送性化合物のカチオン及び／又はカチオンラジカルと、下記一般式（１ｂ）〜（５ｂ）で表されるアニオンのうちの１種とからなる電子受容性化合物。


（式中、Ｙ^１〜Ｙ^６は、それぞれ独立に二価の連結基、Ｒ^１〜Ｒ^１６は、それぞれ独立に電子求引性の有機置換基（これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよい。）を表す。Ｅ^１は酸素原子、Ｅ^２は窒素原子、Ｅ^３は炭素原子、Ｅ^４はホウ素原子又はガリウム原子、Ｅ^５はリン原子又はアンチモン原子を表す。） （もっと読む）

【課題】優れたガス吸着性能、優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】２−メトキシテレフタル酸に代表される下記一般式（Ｉ）で表される芳香族ジカルボン酸化合物と、亜鉛イオンに代表される周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な１，２−ビス（４−ピリジル）エタンに代表される窒素原子を含む芳香族複素環式化合物とからなる金属錯体。
（もっと読む）

【解決課題】
亜鉛四核クラスターとテレフタル酸の配位子から構成される多孔性配位高分子（ＭＯＦ−５）に水酸基を導入して、水素貯蔵量を増大する。
【解決手段】
Ｚｎ_４Ｏクラスターと配位子からなり、各々の配位子がＢＤＣ又はＨＢＤＣ又はであり（但し、全ての配位子がＢＤＣである場合は除く。）、該クラスターと配位子が交互に配位結合されてなる多孔性配位高分子。（ここで、ＢＤＣは、ｐ−（ＯＯＣ−Ｐｈ−ＣＯＯ）であり、ＨＢＤＣは、ｐ−（ＯＯＣ−Ｐｈ（ＯＨ）−ＣＯＯ）であり、Ｐｈはフェニル基を表す。） （もっと読む）

【課題】優れたガス吸着性能及び優れたガス吸蔵性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、特定の二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。
（もっと読む）

【課題】
短時間で多孔性金属錯体を合成できる製造方法を提供する。
【解決手段】
中心金属及び該中心金属に配位する有機配位子を含む有機金属錯体が集積して形成される、多孔性構造を有する多孔性金属錯体の製造方法であって、前記多孔性金属錯体を構成する中心金属を含む化合物及び前記有機配位子となる化合物が溶解していると共に、前記多孔性金属錯体のシードが均一に分散している原料溶液を調製する工程、当該原料溶液を気相中に噴霧して液滴を生成する工程、当該液滴を加熱して前記シードを前記多孔性金属錯体に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】有機光導電体として有用な新規ヒドロキシガリウムピリドポルフィラジン誘導体混合物、およびその製造法を提供する。
【解決手段】フタロニトリル、ジシアノピリジン及び三塩化ガリウムを反応させて得られたクロロガリウムフタロシアニンと複数のクロロガリウムピリドポルフィラジン誘導体からなる混合物を酸処理して得られる、下記一般式（２）で表されるヒドロキシガリウムピリドポルフィラジン誘導体混合物。


［式中、Ａ^ｎ，Ｂ^ｎ（ｎは１〜４の整数を表す）は水素原子と結合した炭素原子、または窒素原子を表す。ただし、ｎが同じＡ^ｎ，Ｂ^ｎがいずれも窒素原子となることはない。］ （もっと読む）

【課題】優れたガス吸着性能、ガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８はそれぞれ同一または異って水素原子等である。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、点群がＤ_∞ｈであり、かつ長軸方向の長さが８．０Å以上１５．５Å未満であり、かつヘテロ原子を６〜１２個有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子（但し、３，６−ジ（４−ピリジル）−１，２，４，５−テトラジンは除く。）とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】３価の金属イオンを含む多孔性金属錯体であって、水素、メタン、二酸化炭素等のガスに対して十分なガス吸蔵能を有する多孔性金属錯体及びその製造方法、並びに当該多孔性金属錯体を用いたガス貯蔵方法及びガス分離方法を提供すること。
【解決手段】３価の金属イオンと下記式（１）で表される芳香族トリカルボン酸との配位結合によって構成される金属錯体を含み、金属錯体の複数が集積して形成された細孔構造を有することを特徴とする多孔性金属錯体。


［式（１）中、ｎは０〜４の整数を示す。］ （もっと読む）

【課題】室温近傍の温度域における水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である［Ｃｕ₂₄（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂₀］_nは、繰り返し単位であるＣｕ₂₄（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂₀が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が斜方晶系に属する。そして、この有機金属錯体における平面構造中には、原子が密充填されていない空洞（空間）が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。この空洞が、水素吸着サイトとして機能する。 （もっと読む）

【課題】優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ、水素、アルキル基、ニトロ基などである。）で表されるジカルボン酸化合物と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオン(例えば、亜鉛イオン）と、二座配位可能な有機配位子となる置換基を有してもよい４,４'−ビピリジル化合物とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】優れたガス吸着性能、ガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ、水素、アルキル基、ニトロ基などである。）で表されるジカルボン酸化合物と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオン(例えば、亜鉛イオン)と、二座配位可能な有機配位子となるトランス−１，２−ビス（４−ピリジル）エテンまたは４，４’−アゾピリジンから選択される少なくとも１種である化合物からなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】高純度であり且つ結晶性が高く、室温近傍の温度域における水素の貯蔵量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である［Ｃｕ₂（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂］_nは、好ましくは、原料成分を溶媒に溶解して溶液を得る第１工程と、前記溶液に対して酢酸又はギ酸を添加する第２工程と、前記溶液を５０〜１４０℃で２４〜１６８時間加熱して反応生成物を得る第３工程と、前記反応生成物を精製する第４工程と、精製された前記反応生成物からゲスト分子を除去する第５工程とを経ることで得られる。第４工程では、酢酸を溶媒に添加した浸漬用溶液に反応生成物が浸漬され、さらに、浸漬用溶液に対して超音波が印加される。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】５−メトキシイソフタル酸、イソフタル酸などの５位に電子供与性基を有してもよいイソフタル酸誘導体から選ばれるジカルボン酸化合物（Ｉ−１）１〜３０モル％と、５−ニトロイソフタル酸、５−ホルミルイソフタル酸、５−フルオロイソフタル酸、５−クロロイソフタル酸、５−ブロモイソフタル酸、５−ヨードイソフタル酸などの５位に電子吸引性基を有するイソフタル酸誘導体または３，５−ピリジンジカルボン酸誘導体から選ばれるジカルボン酸化合物（Ｉ−２）９９〜７０モル％とからなるジカルボン酸化合物（Ｉ）；周期表６〜１２族の第４〜６周期に属する金属、マグネシウム及びアルミニウムから選択される少なくとも１種の金属；及び該金属に二座配位可能な有機配位子；からなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｘは炭素原子または窒素原子を示し、Ｙは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基等を示し、Ｘが窒素原子の場合にはＹは存在しない。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、６〜１１族の第４〜５周期に属する金属から選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示し、Ｘはヘテロ原子含有基を示す。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

本開示は、増大された安定性を含む有機骨格を提供する。 （もっと読む）

【課題】低融点の含フッ素ボロン酸エステル化合物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】両末端ジハロゲノハイドロフルオロカーボン化合物


(ここで、Rfは炭素数2〜20のパーフルオロアルキレン基であり、Xは臭素原子またはヨウ素原子であり、nは1〜5の整数である)に、ヒドロキシフェニルボロン酸エステル化合物を反応させることにより、含フッ素ボロン酸エステル化合物


(ここで、R¹は炭素数2〜10の直鎖状または分岐状の2価脂肪族炭化水素基であり、aは1または2である)を製造する。 （もっと読む）

本発明は、含窒素有機塩基、ニッケル触媒、ホスフィン化合物および溶媒の存在下、アリールハライド化合物とジボロンエステル化合物とを反応させることを特徴とする、ボロン酸エステル化合物の製造方法に関する。本発明の製造方法によれば、触媒としてニッケル触媒を用いた場合であっても、充分に高い収率で目的のボロン酸エステル化合物を得ることができ、さらにアリールハライド化合物として比較的安価で反応性の低いアリールクロライドやアリールブロミドを用いた場合であっても充分に高い収率で目的の生成物を得ることができる。 （もっと読む）