【課題】 酸・アルカリ、あるいは有機溶媒を用いることなく、容易且つ安全に目的物質の表面上へシリカ系被膜の形成を行なうことのできるシリカコーティング剤を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される水溶性シラン誘導体からなるシリカコーティング剤。
Ｒ^１_ｎ−Ｓｉ−（ＯＲ^２）_ｍ（ＯＲ^３）_{４−（ｍ＋ｎ）} （１）
（式中、Ｒ^１は炭素数１〜１６の炭化水素基、Ｒ^２は多価アルコール残基、Ｒ^３は１価アルコール残基、ｎは０〜２、ｍは１〜４、１≦ｍ＋ｎ≦４である。） （もっと読む）

【課題】有機珪素化合物と固体とからなる混合物を簡単で安価に後処理することができる方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）（Ｒ¹Ｒ²Ｒ³ＳｉＲ⁴）₂Ｓ_xの有機珪素化合物を、一般式（ＩＩ）Ｒ¹Ｒ²Ｒ³ＳｉＲ⁴Ｘのハロゲン化アルコキシシランと一般式（ＩＩＩ）Ｍ₂Ｓ_zの無水ポリスルフィドおよび／または一般式（ＩＶ）Ｍ₂Ｓの無水スルフィドおよび場合によっては硫黄との有機溶剤中での反応によって製造するための方法において、有機溶剤を生じる懸濁液から除去し、一般式（Ｉ）の有機珪素化合物および固体ＭＸを含有する混合物を、少なくとも１つの緩衝液を含有する水と混合し、形成される相を分離する。 （もっと読む）

【課題】有機酸若しくはシアン酸、及びハロアルキルアルコキシシランから、連続工程又はバッチ工程によりオルガノアルコキシシランを調製する方法の提供。
【解決手段】有機酸若しくはシアン酸を塩基と反応させ、有機酸のアルカリ若しくはアルカリ土類金属塩、又はアンモニウム塩、又は金属シアネートを、ウエットな若しくは乾燥した状態で形成させ、ウエット若しくは乾燥した状態の中和された有機酸又は金属シアネートと触媒量のグアニジウム塩とを混合し、中和された有機酸又は金属シアネートとグアニジウム塩との固体混合物を調製し、中和された有機酸若しくは金属シアネートとグアニジウム塩との固体混合物と、液体ハロアルキルアルコキシシランとを反応させ、オルガノアルコキシシラン生成物、及び副産物としてのアルカリ金属ハロゲン化物又はアンモニウムハロゲン化物を得る工程を含んでなる方法。 （もっと読む）

【課題】表面改質剤や界面活性剤などに適用可能な新規なシルセスキオキサン化合物を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるシルセスキオキサン誘導体を提供する。
【化１】


式（１）において、Ｒｆはそれぞれ任意の少なくとも一個の水素がフッ素に置き換えられた炭素数１〜３０のアルキルの群から独立して選択される基である。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】イミノ基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、イミノ基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】アミド又はイミド基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、アミド又はイミド基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体を得ること。
【解決手段】


（式中ｎは１〜２０の整数を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は水素原子、アルキル基などを表し、Ｘ^１〜Ｘ^３はハロゲン、アルコキシ基を表し、Ｙはエステル結合などを表す。） （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】フェナシル基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、フェナシル基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】イミノ基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、イミノ基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】β―ニトロシンナミル基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、β―ニトロシンナミル基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【構成】この発明は、新規シリコン含有化合物に関する。さらに詳しくは、同一分子内にアミノ基またはアミド基およびアリール基を有するシリコン含有化合物およびその製造方法に関する。
【効果】 本発明のシリコン含有化合物は、分子構造中に一級または二級のアミノ基を有することにより、酸クロライドとの縮合、アシル化、アルキル化など種々の反応によって構造修飾が可能となり、不飽和結合の導入による重合性モノマーとしての利用が可能である。さらに、本発明の化合物中のアミノ基と、他のイソシアネート化合物との反応によって得られる縮合体は、ガラス、樹脂、金属などの接着剤、シーラント、プライマー等の用途に好適な硬化性樹脂組成物として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 撥水、撥油、耐薬品性、すべり性、難付着性、耐摩耗性などの含フッ素有機基が有する特性を固体表面に効率的に付与することのできる新規なケイ素化合物を提供する。
【解決手段】 下記式（１）で示される、含フッ素有機基とアルコキシシリル基とを同時に持つシルセスキオキサン誘導体を提供する
【化１】


化合物（１）において、Ａはアルコキシシリルを有する基であり、Ｒ¹は炭素数１〜４０のアルキル、アリール、またはアリールアルキルから独立して選択される基であって、いずれも、任意の少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられている基である。 （もっと読む）

【課題】 かご状シルセスキオキサン、特にｎ＝８のＴ−８シルセスキオキサンを高い選択率で簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】 三官能性シランを、極性溶媒及び四級アンモニウム塩の存在下で加水分解、重縮合反応させる工程において、加水分解における水の添加量を、三官能性シランに対して化学量論的に必要な量以下とする。 （もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１）で表される含フッ素環状構造を有するケイ素化合物。
【化１】


（式中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³は水素原子、水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、環状又は多環状骨格を持つ一価の有機基（但し、アルコキシ基を除く）を表す。Ｙは単結合又は二価の有機基を表す。Ｚは三価の有機基を表す。）
【効果】 本発明は、膨潤によるパターン崩壊を極力抑制して微細パターン形成を可能とする適度な酸性を有し、かつ、有機膜へのパターン転写の際のエッチング条件に対し、優れたエッチング耐性を実現するためにより少ない数のフッ素置換に、この適度な酸性を実現するケイ素化合物とシリコーン樹脂を提供し、このため、特にＡｒＦ露光における二層レジストの原料として好適である。 （もっと読む）

本発明は、式ＲＳｎＨａｌ_３（式中、Ｒ＝アルキルまたはシクロアルキル、およびＨａｌ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）の三ハロゲン化モノアルキルスズを生成する方法に関する。該方法は、少なくとも１つの遷移金属系触媒の存在下で、対応するアルケンまたはシクロアルケン、ハロゲン化第一スズＳｎＨａｌ_２、ハロゲン化水素ＨＨａｌ、および任意選択によりＳｎ金属を接触させ、この後媒体から三ハロゲン化モノアルキルスズを単離することを含む。本発明は、さらに、式ＲＳｎＨａ１_３（式中、Ｒ＝アルキルまたはシクロアルキル、およびＨａｌ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）の三ハロゲン化モノアルキルスズから、式Ｒ_２ＳｎＨａｌ_２の二ハロゲン化ジアルキルスズを生成する方法にも関する。該方法は、三ハロゲン化モノアルキルスズＲｓｎＨａｌ_３とＳｎ金属を接触させ、任意選択により、この後媒体から二ハロゲン化ジアルキルスズＲ_２ＳｎＨａｌ_２を単離させることを含む。 （もっと読む）

アミン系基が導入されたモノシクロペンタジエニル配位子が配位された新しい遷移金属化合物、この合成方法及びこれを利用したオレフィン重合が提供される。該遷移金属化合物は、金属原子に架橋されずに、イミノフェニル基をシクロペンタジエン（Ｃｐ）環に直接導入した新しい構造の化合物であり、該遷移金属化合物を含む触媒組成物を使用し、０．９１０ｇ／ｃｃ未満の超低密度ポリオレフィン共重合体の製造が可能である。
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【課題】本発明の目的は、リビングラジカル重合開始能を有するケイ素化合物を短時間且つ高純度で製造する方法を提供することである。
【解決手段】式（２）で示される化合物に式（３）で示される化合物を反応させる工程を含むことを特徴とする、式（１）で示されるケイ素化合物の製造方法。Ａは重合開始基であり、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキルであり、Ｒ^２は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数６〜２０のアリール、または炭素数７〜２０のアリールアルキルであり、Ｘ^１はハロゲンであり、そしてｎは１〜３の整数である。

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アミドまたはアルコキシ基の導入されたモノシクロペンタジエニル配位子が配位された新しい遷移金属化合物、その合成方法及びこれを利用したオレフィン重合に係り、該遷移金属化合物は、シリコンブリッジ及びオキシド配位子などを有する従来の遷移金属化合物と異なり、フェニレンブリッジを有していて構造的に単量体の接近がさらに容易であり、かつ強固な五角環構造を安定的に維持でき、該遷移金属化合物を含む触媒組成物を使用し、立体障害の大きい単量体を用いて高分子量でありつつも０．９１０ｇ／ｃｃ未満の超低密度ポリオレフィン共重合体の製造が可能である。
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【課題】新規なシラン化合物、及びその製造方法、並びに親水性、耐久性に優れた表面改質剤を提供する。
【解決手段】構造式（１）であわされるシラン化合物。


前記構造式（１）において、Ｒ¹は、アルキル基を表す。Ｒ²は、直鎖又は分岐のアルキレン基を表す。Ｘは、酸素原子、及びＮＲ³のいずれかを表す。Ｒ³は、水素原子、及びアルキル基のいずれかを表す。Ｙは、アニオン性官能基、及びその塩を表す。ｎの値は、１〜６を表す。ｍの値は、０〜１を表す。 （もっと読む）

【課題】イミン結合含有遷移金属化合物のアルキル錯体の効率的な製造法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）
Ｒ_ｎＭＸ_４−ｎ・・・・（Ｉ）
〔式中、Ｍは４族の遷移金属を表す。ｎは１から４の整数であり、Ｘは、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基等を示し、Ｒは炭化水素基である。〕で表わされる遷移金属化合物と、例えばサリチルアルジミン等のイミノ基と−Ｏ−Ｅまたは＞Ｎ−Ｅ（但し、ＥはＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ等）を含む化合物から選ばれる配位子前駆体とを反応させる。 （もっと読む）