【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］
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【課題】塗膜としたときに低屈折率性、透明性、防汚性、撥水撥油性、表面滑り性及び耐擦傷性等の特性を有し、かつ汎用有機溶剤への可溶性や貯蔵安定性に優れる含フッ素ランダム共重合体あるいは二重結合含有含フッ素ランダム共重合体、あるいはこれらを含む組成物を提供すること。
【解決手段】特定のフルオロオレフィン（A）１０〜７５モル％、特定のフルオロアルキルパーフルオロビニルエーテル（B）４〜７０モル％、特定の水酸基含有不飽和単量体（C）１０〜７０モル％、特定のポリシロキサン化合物（D）０．００１〜１０モル％を含んでなり、かつ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜300,000であり、重量平均分子量／数平均分子量で表される分子量分布が1.0〜5.0の範囲であることを特徴とする含フッ素ランダム共重合体。 （もっと読む）

【課題】生体及び環境へのリスクが低く、各種基材に対して良好な撥水撥油性を示す、離型性、透明性、密着性、耐熱性に優れる硬化膜を形成する硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）（１）下記式
【化１４】


（ＲはＨ又はメチル基、ｎは１〜６、ａは１〜４、ｂは０〜３、ｃは１〜３の整数。）
で表されるポリフルオロアルキルビニル単量体：５０〜９９．５質量％、
（２）分子中に１個以上のケイ素原子に結合した加水分解可能な基を含有する有機ケイ素系ビニル単量体、ヒドロキシル基含有ビニル単量体及びカルボキシル基含有ビニル単量体から選ばれるビニル単量体：０．５〜５０質量％、
（３）（１）、（２）成分と共重合可能で、かつ（１）、（２）成分を含まない非ケイ素系又は有機ケイ素系ビニル単量体：０〜４９質量％
からなる単量体混合物の共重合体、及び
（Ｂ）アルミキレート
を有効成分としてなる硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】架橋反応を抑制しつつ、ポリマーが有する−ＳＯ_２Ｆ基を、イオン交換基を複数有するペンダント基に簡便に変換して、イオン交換容量が高く、含水率が低いイオン性ポリマーを得る。
【解決手段】ポリマーが有する−ＳＯ_２Ｆ基を−ＳＯ_２ＮＺ^１Ｚ^２基（Ｚ^１およびＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、１価の金属元素、およびトリメチルシリル基からなる群から選ばれる基）に変換する工程（Ａ）と、前記工程（Ａ）で得られたポリマーにＦＳＯ_２（ＣＦ_２）_２ＳＯ_２Ｆを反応させる工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）で得られたポリマーの側鎖の末端−ＳＯ_２Ｆ基を、−ＳＯ_３Ｈ基等のイオン交換基に変換する工程を有するイオン性ポリマーの製造方法。また、該製造方法により得られるイオン性ポリマー。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹はアルカンジイル基；Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｒ^ｂ１及びＲ^ｂ２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^ｂ１は、２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^ｂ１は複素環；Ｒ^ｂ３は、水素原子又は炭化水素基；Ｒ^ｂ４は炭化水素基；ｍは、０〜６の整数；Ｚ^１＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、ハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）ヘキサフルオロプロピル酸エステル基を側鎖に有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）ベース樹脂として、ラクトン環由来の骨格及び／又は水酸基を有する骨格及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。
【効果】レジスト保護膜を使うことなく高速スキャンに耐えうる高撥水性かつ高滑水性のレジスト膜を実現し得る。更には、アルカリ現像液による上記ポリマーの加水分解により現像後のレジスト膜表面を親水性に改質し、その結果、ブロッブ欠陥が大幅に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
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【課題】本発明は、特定のＣＳＭの添加時期を制限することで、圧縮永久歪み、耐熱性、応力緩和などの物性が優れる含フッ素エラストマーの製造方法を提供する。さらに、この方法によって製造した含フッ素エラストマーおよび成形品を提供する。
【解決手段】該製造方法は、少なくとも１種のフルオロオレフィンを含むエチレン性不飽和化合物と、一般式（１）：
ＣＹ^１_２＝ＣＹ^２Ｒ_ｆ^１Ｘ^１ （１）
（式中、Ｙ^１、Ｙ^２はフッ素原子、水素原子または−ＣＨ_３；Ｒ_ｆ^１はエーテル結合性酸素原子を有していてもよく水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状の含フッ素アルキレン基；Ｘ^１はヨウ素原子または臭素原子）
で示される化合物とを共重合させる含フッ素エラストマーの製造方法であって、
一般式（１）で示される化合物の添加を、重合開始剤添加後に重合系内に添加する前記エチレン性不飽和化合物の全添加量の０〜１０重量％を添加した時期に開始することを特徴とする含フッ素エラストマーの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性を有し、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂及び（Ｂ）アルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性（ＣＤＵ）に優れ、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができる樹脂及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａｂ）で表される構造単位とを有する樹脂及びこの樹脂を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸の作用により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基；ｎ^aa１は１又は２；Ａ^aa１は、置換基を有していてもよい炭化水素基；Ａ^ab1は、置換基を有していてもよい炭化水素基；Ｒ^ab2は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、容易に個々の単芯プラスチック光ファイバ一本一本に解くことができ、該一本一本の単芯プラスチック光ファイバの光伝送が良好な多芯プラスチック光ファイバ素線を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の多芯プラスチック光ファイバ素線は、樹脂からなる複数本の芯と、当該芯を取り囲む第１鞘樹脂からなる第１鞘層と、前記第１鞘層の外周と接する第２鞘樹脂からなる第２鞘層と、を含む多芯プラスチック光ファイバ素線であって、前記第１鞘樹脂および前記第２鞘樹脂が特定の樹脂である。 （もっと読む）

【課題】二軸延伸が容易であり、高い延伸倍率でも均質に延伸でき、かつ圧力損失が低いＰＴＦＥ多孔質膜を形成できる材料を提供する。
【解決手段】フィブリル化性を有する変性ポリテトラフルオロエチレンとホモポリテトラフルオロエチレンとの混合物であって、ホモポリテトラフルオロエチレンは、破断強度が２５Ｎ以上であることを特徴とするポリテトラフルオロエチレン混合物である。 （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターでのレジストパターン製造用レジスト組成物の提供。
【解決手段】構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）又は構造単位（ａ１−２）の構造単位（ａｂ）とを有する樹脂（Ａ１）；構造単位（ａａ）を有さず、樹脂（Ａ１）が有する構造単位（ａｂ）と同一の構造単位（ａｂ）を有する樹脂（Ａ２）；酸発生剤を含有し、かつ「０．８＜α／β＜１．２、αは樹脂（Ａ１）の全構造単位に対する樹脂（Ａ１）中の構造単位（ａｂ）のモル％；βは樹脂（Ａ２）の全構造単位に対する樹脂（Ａ２）中の構造単位（ａｂ）と同一の構造単位のモル％」の関係を満たすレジスト組成物。
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【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有する保護膜を、使用するレジスト膜の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】離型性に優れたインプリント用の樹脂モールド材料および樹脂レプリカモールド材料組成物の提供、該材料組成物を含んでなる樹脂モールドおよび樹脂レプリカモールド並びにそれらの製造方法の提供。
【解決手段】インプリント用のモールド樹脂もしくはレプリカモールド樹脂と、硬化性のフッ素系ポリマー（Ａ）０．１〜１０重量％とを含む、インプリント用の樹脂モールド材料もしくは樹脂レプリカモールド材料組成物。好ましくは、フッ素系ポリマー（Ａ）が、
（ａ１）炭素数４〜６のフルオロアルキル基を有するα位置換アクリレート、および
（ａ２）ホモポリマー状態でのガラス転移点または軟化点が５０℃以上を示す高軟化点モノマー ５〜１２０重量部を繰り返し単位として含んでなり重量平均分子量が３，０００〜２０，０００であるフッ素系ポリマー（Ａ１）である材料組成物。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池用固体電解質の構成材料として、優れたイオン伝導性に寄与するイオン性高分子の提供。
【解決手段】脂肪族炭化水素からなる繰り返し単位とスルホンイミド基を有する繰り返し単位とを含有するイオン性高分子であって、該スルホンイミド基を有する繰り返し単位中のスルホンイミド基は、下記式（１）：
−ＳＯ_２Ｎ（Ｍ）ＳＯ_２Ｒ^１ ・・・（１）
｛式中、Ｒ^１は、フッ素原子、炭素数１〜８のアルキル基、及びフルオロアルキル基から成る群から選ばれる基であり、そしてＭは、プロトン又はリチウムイオンである。｝で表されることを特徴とする前記イオン性高分子。 （もっと読む）

【課題】高いイオン伝導度と、高強度、低溶媒含有率を満足するリチウム二次電池用高分子電解質の提供。
【解決手段】少なくとも非水溶媒とイオン性高分子とを含有するリチウム二次電池用高分子電解質であって、該イオン性高分子が、下記式（１）：
−（ＣＦ_２−ＣＦＲｆ）−｛Ｒｆはフッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基｝又は下記式（２）：−（ＣＨ_２−ＣＨＲｈ）−｛Ｒｈは水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素系アルキル基｝で表される繰り返し単位と、下記式（３）：−ＳＯ_２ＮＬｉＳＯ_２Ｒｇ｛Ｒｇはフッ素原子又は炭素数１〜８のフルオロアルキル基又はアルキル基｝で表されるスルホンイミド基を有する繰り返し単位とを含有する共重合体であり、かつ、該高分子電解質中の該イオン性高分子の含有量が、２５質量％以上９５質量％以下であることを特徴とする前記リチウム二次電池用高分子電解質。 （もっと読む）