【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）または下記一般式（ａ０−２）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（ｂ０−１）または（ｂ０−２）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
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【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高速でパターン転写を行っても良好なパターン形成性を有し、欠陥が少なく、基板加工用途に用いた際にエッチング後のラインエッジラフネスが良好であるインプリント用硬化性組成物を提供する。
【解決手段】重合性単量体（Ａ）を少なくとも１種と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有するインプリント用硬化性組成物であって、前記重合性単量体（Ａ）が、水素結合性官能基と含フッ素基を有する重合性単量体（Ａｘ）を含有することを特徴とするインプリント用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた現像性を示し、耐熱性、耐溶剤性に優れ、色移り、色ムラを低減した着色パターンを形成し得る着色感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）色素多量体、（Ｂ）重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ｘ）色素骨格を含まない無機金属塩の染料固形分に対する含有量が０．１質量％以下である着色感放射線性組成物。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換された（メタ）アクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、マグネシウム、銅、亜鉛又はセシウムの（メタ）アクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の塩の繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、ラインエッジラフネスが小さい特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性、ＬＷＲ及び耐エッチング性に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】式（１）で表される構造単位、式（２）で表される構造単位及び酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、並びに酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】高エネルギー線照射により発生する酸を触媒として、架橋剤及び／又はレジストポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位により、レジストポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーが、（１）側鎖に酸発生基を有する（メタ）アクリル酸エステル類単位、（２）側鎖に縮合芳香環を有する（メタ）アクリル酸エステル類単位、（３）アセナフチレン単位、（４）インデン単位の繰り返し単位を含有し、（１）の繰り返し単位は０．５〜１０モル％、かつ、他の繰り返し単位を合計した量の割合は５０〜９９．５モル％を占める。
【効果】本発明によれば、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の改善に加え、ネガ型レジスト組成物特有のアンダーカットの度合いが小さいレジストプロファイルの形成を可能とし、かつ高解像性を与える。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるレジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される基により、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び有機溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜であって、膜厚が１０〜２００ｎｍであるレジスト膜。


（式中、Ｒ_１は、炭化水素基を表す。Ｒ_２は、水素原子又は炭化水素基を表す。Ａｒは、アリール基を表す。Ｒ_１は、Ａｒと結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよい。＊は前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】優れた透明性を有する、ポリカーボネート系樹脂とアクリル系樹脂とのブレンド物を調製できる樹脂組成物の製造方法、それによって得られる樹脂組成物および該組成物の成形体を提供する。
【解決手段】樹脂組成物の製造方法であって、メタクリル酸メチル６０〜９５重量％、（メタ）アクリル酸エステル（Ｉ）５〜４０重量％、及びこれら以外の単官能単量体０〜３５重量％からなる単量体成分が重合してなる共重合体を含有するアクリル系樹脂５５〜９５重量部と、ポリカーボネート系樹脂４５〜５重量部とを含む樹脂混合物を、温度１８０〜２６５℃及び剪断速度１０〜１００ｓｅｃ^−１で溶融混練することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ５００量体より大きな高分子量のポリアセチレンを分子量制御して高収率で得ることができるポリアセチレンの製造方法を提供する。
【解決手段】 モノマー溶液と触媒溶液を混合してポリアセチレンを製造する方法であって、触媒溶液とモノマー溶液を、前記触媒溶液と前記モノマー溶液の界面で接触させて混合溶液を得る工程を有し、かつ前記触媒溶液と前記モノマー溶液が接触した界面におけるモノマー溶液の界面距離（Ｌｍ）が、触媒溶液の界面距離（Ｌｃ）よりも大きいポリアセチレンの製造方法。（１）モノマー溶液の界面距離（Ｌｍ）とは、触媒溶液と接触するモノマー溶液の存在する領域で、モノマー溶液と触媒溶液の界面から最も遠い点までの距離を表す。（２）触媒溶液の界面距離（Ｌｃ）とは、モノマー溶液と接触する触媒溶液の存在する領域で、モノマー溶液と触媒溶液の界面から最も遠い点までの距離を指す。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位、下記一般式（２）で表される繰り返し単位及び下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅ポジ型レジスト組成物。
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【課題】低粘度で硬化性に優れ、各種プラスチックフィルム等、特に親水性プラスチックフィルム等に対する接着力に優れ、厳しい耐久性が要求される用途においても十分な性能を有し、具体的には、高温及び高湿条件下においても高い接着力を維持することができるプラスチックフィルム等用の活性エネルギー線硬化型接着剤組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）ウレタン（メタ）アクリレート、（Ｂ）カルボキシル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物、（Ｃ）リン酸基及びエチレン性不飽和基を有する化合物、（Ｄ）脂肪族基又は脂環式骨格及びエチレン性不飽和基を有する化合物及び（Ｅ）光ラジカル重合開始剤を含むプラスチック製フィルム又はシート用活性エネルギー線硬化型接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】高反射基板や段差基板に対するリソグラフィ工程において、良好なパターン形状を得ることができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】感放射線性組成物において、ヒドロキシスチレン由来の構造単位（ＨＳ１）と、下記式（ａ−１）で表される基を有する構造単位（ａ１）とを含有し、かつ酸の作用により解離して酸性官能基を生じる酸解離性基を実質的に有していない重合体［Ａ１］と、ヒドロキシスチレン由来の構造単位（ＨＳ２）を含有し、かつ前記酸解離性基を有する重合体［Ａ２］と、を含むものとする。
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【課題】良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含んだ樹脂（Ｐ）を含有している。
【化１】
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【課題】リンの酸を含むモノマーから懸濁重合プロセスによって形成された新規ポリマービーズ組成物を提供する。
【解決手段】１）少なくとも２０〜９９．９重量パーセントのリン含有有機モノマー；および２）３０〜１０００μｍの平均サイズ；を有するポリマービーズ組成物。 （もっと読む）

【課題】活性化放射線に露光される場合に、特に、改良されたリソグラフィのための放射線に露光されるフォトレジスト組成物に使用される場合に、低いガス放出特性を有する光酸発生剤化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）を有する光酸発生剤化合物：


式中、Ｇは式（ＩＩ）を有し：


式（ＩＩ）において、ＸはＳもしくはＩであり、各Ｒ^０は等しくＸに結合されており、かつ独立してＣ_１−３０アルキル基；多環式もしくは単環式Ｃ_３−３０シクロアルキル基；多環式もしくは単環式Ｃ_６−３０アリール基；または前述の少なくとも１種を含む組み合わせである；ａは２もしくは３である；並びに式（Ｉ）におけるＺはスルホン酸、スルホンイミドもしくはスルホンアミドのアニオンを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の位相差部と複数の等方部にパターニングされた光学素子を生産する上で好適な温度範囲にＮＩ点を有し析出物等が発生しない重合性液晶組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性化合物（Ａ）及び下記一般式（２）で表される重合性化合物（Ｂ）を含有し、（Ａ）及び（Ｂ）の含有量の合計が全重合性化合物の合計量中７０〜１００質量％であり、（Ａ）／（Ｂ）質量比が９５／５〜５０／５０である重合性液晶組成物。
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【課題】フォトレジストコポリマーおよびフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式を有するコポリマー


式中、Ｒ_１〜Ｒ_５は、Ｈ、Ｃ_１−６アルキルもしくはＣ_４−６アリール、Ｒ_６はフッ素化もしくは非フッ素化Ｃ_５−３０酸分解性基；各Ａｒは単環式、多環式もしくは縮合多環式Ｃ_６−２０アリール基；Ｒ_７およびＲ_８は−ＯＲ_１１もしくは−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＲ_１１基、Ｒ_１１はＨ、フッ素化もしくは非フッ素化Ｃ_５−３０酸分解性基；各Ｒ_９はＦ、Ｃ_１−１０アルキル、Ｃ_１−１０フルオロアルキル、Ｃ_１−１０アルコキシ、もしくはＣ_１−１０フルオロアルコキシ基；Ｒ_１０はカチオン結合Ｃ_{１０−４０}光酸発生剤含有基ある。 （もっと読む）

【課題】電子線を用いたフォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に、高感度、高解像力、良好なパターン形状、ブリッジの発生の抑制、良好な真空中ＰＥＤ特性を同時に満足する化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、化学増幅型レジスト組成物。


（式中、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは電子求引性基を表す。Ｙは２価の連結基を表し、Ａｒ及びＡｒ’は、各々独立に、芳香族環を表す。ｎは１〜５の整数である。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｘ、ＹはＣＨ又は窒素原子、ｍは１又は２、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは０又は１である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）