【課題】微細な溝も完全に埋め込み、かつ下地段差を平坦化するのに十分な厚塗りができ、下地パターン全体の均一な平坦性を達成でき、さらに水を含まず誘電率の低い、膜特性に優れた絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したＳｉ原子を含むシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の²⁹Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルのシグナルの積分値から求められる所定の式で示される含有比率Ｘが、所定の式を満足する、１５０℃以上３００℃以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液、及びこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供することにより前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高硬度でかつシリコーンの特性を有する硬化物を形成可能な光カチオン硬化性樹脂組成物並びに耐汚染性塗料、コーティング材料、樹脂改質剤、レジスト材料及び光造型剤を提供する。
【解決手段】光カチオン硬化性樹脂組成物は、下記式（Ｉ）に示す構造式（Ｒ^０は下記式（ＩＶ）に示す構造式で表される有機官能基であり、Ｘは加水分解性基。）で表される化合物と、一分子中に一つ以上のシロキサン結合生成基を有する反応性シリコーンと、の混合物を加水分解して得られる。


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【課題】
イオン伝導性置換基を有するオルガノポリシロキサンからなる導電性シリコーン材料であって、特にコーティング剤として製膜性が良好であり、かつ耐熱性に優れ、表面抵抗値の経時変化が少ない伝導性シリコーン材料、および該材料からなる導電性コーティング膜を提供する。
【解決手段】
メルカプト基を有しないシラン化合物Ａおよびメルカプト基を有するシラン化合物Ｂを、反応系に供給し、共加水分解および重縮合を進行させて、オルガノポリシロキサンのゾル溶液を得る工程と、
該ゾル溶液を乾燥させて固化させて固化物を得る工程と、
該固化物のメルカプト基を酸化させる工程と
を含む方法によって得られるオルガノポリシロキサンからなる導電性シリコーン材料、ならびに該導電性シリコーン材料からなる導電性コーティング膜。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐熱水性を付与する透明な熱硬化型オルガノシロキサン樹脂塗料の調製方法、および該塗料で表面を保護されたポリカーボネート樹脂成形体を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと下記式（１）で表わされるアルコキシシランの加水分解物とを縮合反応させたオルガノシロキサン樹脂塗料を調製するにあたり、シリカ微粒子の平均粒子径が１０〜７０ｎｍであり、且つその粒子径に基づく変動係数が２０〜４０％になるように反応させることを特徴とす調製方法。


（但し、式中Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはメタクリロキシ基、アミノ基、グリシドキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル基からなる群から選ばれる１以上の基で置換された炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基、ｍ、ｎはそれぞれ０、１、２のいずれかの整数、ｍ＋ｎは０、１、２のいずれかの整数である） （もっと読む）

【課題】
高分子材料改質剤や化粧品原料等として有用な、ポリシロキサン架橋構造体から成る新規の有機シリコーン微粒子を提供する。
【解決手段】
ポリシロキサン架橋構造体から成る有機シリコーン微粒子を、全体として円形リング形状を呈し、外径の平均値が０．０５〜１５μｍ、内径の平均値が０．０１〜１０μｍ、且つ外径の平均値と内径の平均値との差が０．０４〜５μｍの範囲内にあるものとした。 （もっと読む）

レジスト組成物は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂と、（Ｂ）酸解離性基含有化合物と、（Ｃ）光酸発生剤と、（Ｄ）有機溶媒と、任意で（Ｅ）添加剤とを含む。このレジスト組成物により、フォトレジストとして好適なリソグラフィ特性（例えば、高い耐エッチング性、透明性、解像度、感度、フォーカス許容性、ラインエッジラフネス及び密着性）が改良される。 （もっと読む）

【課題】紫外光においても劣化の少ない光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示されるアルコキシケイ素化合物同士、または一般式（１）と一般式（２）で示されるアルコキシケイ素化合物を、共加水分解縮合させることにより得られるエポキシ樹脂。
ＸＳｉ（Ｒ₁）_n（ＯＲ₂）_3-n （１）
（式中、Ｘはエポキシ基を有する有機基、Ｒ₁はＣ１〜１０のアルキル基、アリール基又はＣ２〜５のアルケニル基を示し、Ｒ₂はＣ１〜４のアルキル基を示す。nは０〜２の整数を示す。）
Ｘ_k（Ｒ₃）_mＳｉ（ＯＲ₄）_4-(k+m) （２）
（式中、Ｘはエポキシ基を有する有機基、Ｒ₃はＣ１〜１０のアルキル基、アリール基又は不飽和脂肪族残基を表す。k、mは０〜３の整数を示し、且つk+mは０〜３である。Ｒ₄はＣ１〜４のアルキル基を表す。）
及び（Ｂ）カチオン重合開始剤を含有することを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】紫外光においても劣化の少ない光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示されるアルコキシケイ素化合物同士、または一般式（１）と一般式（２）で示されるアルコキシケイ素化合物を、共加水分解縮合させることにより得られるエポキシ樹脂、ＸＳｉ（Ｒ₁）_n（ＯＲ₂）_3-n （１）（式中、Ｘはエポキシ基を有する有機基、Ｒ₁はＣ１〜１０のアルキル基、アリール基又はＣ２〜５のアルケニル基を示し、Ｒ₂はＣ１〜４のアルキル基を示す。nは０〜２の整数。）Ｘ_k（Ｒ₃）_mＳｉ（ＯＲ₄）_4-(k+m) （２）（式中、Ｒ₃はＣ１〜１０のアルキル基、アリール基又は不飽和脂肪族残基を表す。k、mは０〜３の整数、且つk+mは０〜３。Ｒ₄はＣ１〜４のアルキル基を表す。）（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤を含有することを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】 シラノール部位を有するかご状オリゴシロキサンと下記一般式（１）で表されるオルガノアシロキシシランとを反応させることを特徴とするかご状オリゴシロキサンの修飾方法。
【化１】


（式中、Ｒ¹は置換又は非置換の炭素数１〜４０の１価炭化水素基あるいは水素原子であり、同一分子における複数のＲ¹は互いに異なっていてもよい。Ｒ²は置換又は非置換の炭素数１〜２０の１価炭化水素基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）
【効果】 本発明の方法により、かご状オリゴシロキサンの修飾を温和な条件下で行うことができるため副反応が抑制され、高収率である。また、様々な官能基を導入することができるため汎用性が高く、副生成物が少なく、反応の後処理が簡便である。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率でしかも機械的強度の高く、平坦性の高い絶縁膜を形成できる有機無機複合体、その製造方法およびその複合体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 金属−酸素結合による架橋構造を有する有機無機複合体において、下記一般式（１）で示される化合物を有することを特徴とする有機無機複合体。


式中、Ｍは金属又はシリコン、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合又はＯＨ基であり、Ｒ¹は炭素数８〜２０の炭素原子含有分子鎖基であり、Ｒ²はメチル、エチル、プロピル、又はフェニル基のいずれかの基を表し、ｎ１、ｎ２は０、１、または２のいずれかである。 （もっと読む）

本発明は、（Ａ）１００重量部の、少なくとも１個のイソシアネート基を含有する少なくとも１つの化合物；（Ｂ）０．３〜３００重量部のカルビノール官能性シリコーン樹脂；（Ｃ）２５０重量部までの有機ポリオール；及び（Ｄ）１０重量部までの硬化速度調整剤を含有してなるウレタン組成物に関する。本発明のウレタン組成物は、スタンドアローンコーティングとして、又は保護コーティング、塗装用配合物及び粉体塗料における原料成分として有用である。また、本発明のウレタン組成物に発泡剤及び気泡安定剤を配合して、熱安定性フォーム配合物を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中に規則的で均一なナノ気孔を形成させ得る新規星型高分子物質の提供。
【解決手段】アルコキシシラン末端基を有し、中心部にエーテル基を有する式（Ｉ）で表される星型高分子を気孔誘導体として用いると、規則的で均一に分布されたナノ気孔を有する低誘電性シリケート高分子薄膜が得られる。前記星型高分子は、環状モノマーを多価アルコールと開環重合させた後、得られた高分子をアルコキシシラン化合物と反応させることによって製造される。 （もっと読む）