本発明は、シルセスキオキサン−チタニアハイブリッドポリマーであって、チタニアドメインサイズが約５ナノメートル未満であるポリマーに関する。このようなポリマーは、例えばマイクロ電子デバイスの製造において、反射防止コーティングを形成するのに有用である。 （もっと読む）

本発明は、ＯＨ末端オルガノヒドロポリシロキサン（Ｐ）を調製するためのプロセスを提供するものであり、このプロセスの第１ステップにおいて、オルガノヒドロジクロロシラン（Ａ）およびジオルガノジクロロシラン（Ａ）を加水分解性塩素１モル当たり最大０．５モルの水と反応させて部分水解物（Ｔ）および塩化水素ガスを得て、第２ステップにおいては依然存在するＳｉＣｌ基を除去するため部分水解物（Ｔ）を水で処理して塩酸を発生させ、オルガノヒドロポリシロキサン（Ｐ）を含む水解物（Ｈ）を得る。 （もっと読む）

【課題】 ２環性基よりも多いシクロ環を有するポリシクロオレフィン官能性ポリシロキサン、及び、３官能性シリコンを有するポリシクロオレフィン官能性ポリシロキサンを提供する。
【解決手段】 下記平均組成式（１）で示される、ポリシクロオレフィン官能性ポリシロキサン、


および、下記構造式（２）で示される、ポリシクロオレフィン官能性ポリシロキサン。
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本発明は、強化シリコーン樹脂フィルムの製造方法であって、シリコーン樹脂を含むフリーラジカル硬化性シリコーン組成物中に繊維強化材を含浸させる工程と、この含浸繊維強化材中のシリコーン樹脂を硬化させる工程とを含む方法を提供する。この場合において、前記強化シリコーン樹脂フィルムは、10重量％〜99重量％の硬化シリコーン樹脂を含み、かつ、厚さが15μm〜500μmである。さらに、本方法によって製造された強化シリコーン樹脂フィルムを提供する。 （もっと読む）

本発明は、式Ｘ_m−Ｍ−（ＯＲ）_n-mを有する少なくとも１つの化合物の溶液を調製し、ドーパントの溶液に添加し、該化合物を加水分解してゾルを形成し、場合により、酸化物を添加し、ゾルをゲル化し、前記液体を再循環し、かつ液体のpH値を調節して、アクアゲル中のドーパントを固定させ、ゲルを乾燥させ、かつ密度を高めてガラスを得ることから成るゾル−ゲル法に関する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式(1)


(Yは官能基を有してもよい脂肪族有機基、又は官能基を有してもよい芳香族構造を含む有機基、X¹，X²，X³はH、ハロゲン原子、アルコキシ基、又はアリーロキシ基を示す。)
で示される側鎖に嵩高い置換基を有する3官能性シランを含むシラン原料を酸又は塩基を触媒とする第1段の加水分解後、第2段として上記シラン原料に強塩基触媒の存在下、縮合による生成する水を反応系外に除去する操作を伴う脱水縮合反応を行う側鎖に嵩高い置換基を有する縮合度100％であるシルセスキオキサン型化合物高含量のシルセスキオキサン系化合物混合物の製造方法。
【効果】本発明によれば、嵩高い置換基を有する縮合度が実質的に100％であるシルセスキオキサン型化合物の存在比の高いシルセスキオキサン系化合物混合物を容易かつ確実に得ることができ、この混合物は、ポジ型レジスト組成物に好適な材料である。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィおよび液浸フォトリソグラフィシステムにおいて非常に適したフォトレジスト用のトップコートを提供する。
【解決手段】本発明のトップコートは、式Ｔ_ｍ^Ｒ３（ただしｍが８、１０、または１２に等しい）および式Ｑ_ｎＭ_ｎ^{Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３}（ただしｎが８、１０、または１２に等しい）の官能化多面体オリゴマー・シルセスキオキサン誘導体を含む組成物である。その官能基として、塩基性水溶液可溶性部分を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】微細な溝も完全に埋め込み、かつ下地段差を平坦化するのに十分な厚塗りができ、下地パターン全体の均一な平坦性を達成でき、さらに水を含まず誘電率の低い、膜特性に優れた絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したＳｉ原子を含むシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の²⁹Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルのシグナルの積分値から求められる所定の式で示される含有比率Ｘが、所定の式を満足する、１５０℃以上３００℃以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液、及びこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供することにより前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、気密性能、低融点特性を同時に満たす有機無機ハイブリッドガラス状物質が、種々の分野で求められていた。
【解決手段】出発原料を混合し、作成したゲルを有機溶媒に溶解後アルカリ水溶液を加え、有機層と水層に分離し、この有機層を乾燥後溶融することによって目的とする物質を得ることを特徴とする有機無機ハイブリッドガラス状物質の製造方法。ゾルゲル原料にフェニル基を持つ物質が少なくとも１種類含まれる特徴もある。また、この方法で製造されたことを特徴とする有機無機ハイブリッドガラス状物質。 （もっと読む）

ヒドロシリル化反応条件下でヒドリドシリコーンを（好ましくは）長鎖オレフィンと不完全に反応させて、部分置換ヒドリドシリコーンを生成させ、これをさらにヒドロシリル化反応条件下でビニル含有ＭＱ樹脂と反応させて、残存するヒドリド種を部分的に消費し、これを次に残りのヒドリド種を消費するヒドロシリル化反応条件下で長鎖ジオレフィンと反応させて、可撓性支持体の塗工に際してミスト防止剤として有用な組成物を生成する。 （もっと読む）

ヒドロシリル化反応条件下でヒドリドシリコーンを（好ましくは）長鎖オレフィンと不完全に反応させて、部分置換ヒドリドシリコーンを生成させ、これをさらにヒドロシリル化反応条件下でビニル含有ＭＱ樹脂と反応させて、残存するヒドリド種を部分的に消費し、これを次に残りのヒドリド種を消費するヒドロシリル化反応条件下で長鎖ジオレフィンと反応させて、可撓性支持体の塗工に際してミスト防止剤として有用な組成物を生成する。 （もっと読む）

本発明は、粒状物およびモノリス、その製造方法、およびその使用、例えば、クロマトグラフィー分離材料を含む多孔性無機／有機の均質な共重合体ハイブリッド材料に関する。 （もっと読む）

本発明は、（ｉ）一般式Ｉ［Ｆ］_ｅ［Ｑ_ｃＰ_ｂ］_ｄ （Ｉ）のオルガノ官能性シロキサンの少なくとも１種のブロック縮合物および／または（ｉｉ）ｅ［Ｆ］およびｄ（ｃ［Ｑ］＋ｂ［Ｐ］）から成る少なくとも１種の混合物であり、かつ適切である場合にはｄ［ＱｃＰｂ］を含有する組成物に関する。前記組成物またはブロック縮合物は、ブロック単位Ｆとブロック単位Ｑ、Ｐおよび／またはＱＰとの反応によって得ることが可能であり、この場合、これらは以下の方法の一つによる：−ｃ１）ブロック単位Ｆを、場合によってはアルコールで希釈し、有機または無機酸および使用されたシロキサンＳｉの１モルに対して０．５〜１５０ｍｏｌの水を添加し、これにより、使用されたブロック単位の少なくとも部分的な加水分解が生じ、その後にブロック単位Ｑおよびブロック単位Ｐを添加し、かつ混合物を反応させるか、あるいは、−ｃ２）ブロック単位Ｆを、場合によってはアルコールで希釈し、Ｑ、Ｐおよび／またはブロック単位ＱＰと混合し、その後に、有機または無機酸を添加し、使用されたシロキサンのＳｉ１モルに対して０．５〜１５０モルの水を使用して、部分加水分解およびブロック縮合をおこなうか、あるいは、−ｃ３）ブロック単位Ｆを、場合によってはアルコールで希釈し、有機または無機酸および使用されたシロキサンＳｉ１モルに対して０．５〜１５０モルの水を添加し、その際、少なくとも部分的に加水分解が生じ、ブロック単位ＱＰを添加し、かつ混合物を反応させるか、あるいは、−ｃ４）ブロック単位Ｑ、Ｐおよび／またはＱＰを、場合によってはアルコールで希釈し、有機または無機酸および使用されたシロキサンのＳｉ１モルに対して０．５〜１．５モルの水を添加し、かつ少なくとも部分的に加水分解し、その後にブロック単位Ｆおよびさらには使用されたシロキサンのＳｉ１モルに対して０〜１４８．５モルの水を添加し、かつ混合物を反応させるか、あるいは、−ｃ５）ブロック単位Ｆを場合によってはアルコールで希釈し、使用されたシロキサンのＳｉ１モルに対して０．５〜１５０モルの水および有機または無機酸と混合し、その後にテトラアルコキシシランを添加し、混合物を反応させる。さらに本発明は、前記組成物またはブロック縮合物を製造するための方法およびその使用ならびにこれによって得ることが可能な製品、耐摩耗性ｅａｓｙ−ｃｌｅａｎ被覆およびこの型の被覆を備えた製品に関する。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）