【課題】機械加工が難しい高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲットを比較的容易に製造できるようにすると共に、ターゲット製造時及びハイパワースパッタリング時の割れの発生を効果的に抑制し、またターゲット原料のホットプレス時におけるダイスとの反応を抑制し、さらにターゲットの反りを低減できるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット材３とターゲット材以外の高融点金属板２，２’とが接合された構造を備えていることを特徴とする高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット。 （もっと読む）

【課題】磁気記録膜用スパッタリングターゲットに対して、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であり、漏洩磁束が大きく、マグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒ：２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔ：３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏとするＣｏを主成分とする磁性合金と導電性酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、焼結体ターゲット中に平均粒子径が１０〜１００μｍの範囲の導電性酸化物が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックスおよび金属などの粉末焼結体の製造に際し、振動を十分かつ効率的に与えることで緻密な焼結体を低い温度で短時間に能率よく製造する。
【解決手段】本発明の粉末焼結体の製造方法は、粉末材料を加熱しつつ加圧して焼結する粉末焼結体の製造方法において、超音波振動子より発した超音波振動の音響エネルギーを、該超音波振動の共振状態を維持しながら、前記粉末材料との接触部が最大振幅になるように型に直接加えつつ前記粉末材料を加熱・加圧することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で撹拌しながら３０℃〜４００℃の温度で加熱して合金化した後、合金化物を粉砕及び粉砕物を混合して、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結してＧａのばらつきが３．０質量％以内のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】金属不純物の混入を抑制する。
【解決手段】金属製容器にて、Ｃｕ粉末及びＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、酸素分圧２０Ｐａ以下の雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で加熱しながら、金属製攪拌羽根で撹拌して合金化したＣｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結して、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの合計が３ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】外枠型からの内枠型および金属圧粉体の取り出し時における、金属圧粉体の破損を簡易に防止することができる金属圧粉体の製造方法を提供すること。
【解決手段】外枠型２と、その外枠型２に嵌合される分割可能な内枠型３とを備える金型１を用意し、次いで、内枠型３の内枠内側面８に、窒化物の膜１０を形成し、次いで、内枠型３内において、膜１０に接するように、金属の粉末を充填し、金型１において、粉末を圧力成形して、金属圧粉体１１を得て、その後、金型１から内枠型３および金属圧粉体１１を取り出した後、内枠型３から、金属圧粉体１１を取り出す。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質の酸化物分散強化型白金合金を安定的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、容器、粉砕媒体、攪拌棒を備える粉砕装置により、溶媒中で白金合金からなる被粉砕物を粉砕処理する工程を含む酸化物分散強化型白金合金の製造方法において、前記容器、粉砕媒体、攪拌棒の少なくとも被粉砕物との接触面を白金又は白金合金で構成し、前記溶媒に過酸化水素溶液を投入して粉砕を行うものであることを特徴とする酸化物分散強化型白金合金の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸素含量の調節が容易な酸化物分散強化合金の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る酸化物分散強化合金の製造方法は、少なくとも一つの成分粉末を機械的合金化させ、ＭＡ合金粉末に前処理するステップと、前処理されたＭＡ合金粉末を収容容器に装入させるステップと、装入されたＭＡ合金粉末の酸素濃度を調節するステップと、酸素濃度が調節されたＭＡ合金粉末を後処理するステップとを含み、酸素濃度調節ステップは、収容容器の内部へ水素ガス、水素混合ガスまたは還元ガスのうち少なくともいずれか一つを流入させ、装入されたＭＡ合金粉末に含まれた酸素のうち少なくとも一部を還元させる還元ステップを含む。このような構成によれば、機械的合金化されたＭＡ合金粉末の酸素濃度調節が容易になることによって、合金の析出物含量および大きさ等の調節が容易になるとともに、機械的特性に優れた酸化物分散強化合金の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造でき、優れた磁気特性を備える磁性材料を提供する。
【解決手段】磁石粉末と、希土類元素、鉄およびホウ素を含有し、希土類元素の原子割合が、２２〜４４原子％の範囲でありホウ素の原子割合が、６〜２８原子％の範囲であるアモルファス金属とを混合するとともに、アモルファス金属の結晶化温度（Ｔｘ）より３０℃低い温度以上、または、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、そのガラス遷移温度（Ｔｇ）以上の温度に加熱することにより磁性材料を製造する。この磁性材料によれば、簡易な製造によって、高い磁気特性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末が不活性雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で合金化されて得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末１を真空又は不活性雰囲気中で４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理した後に、加圧して焼結する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に安定した成膜が可能なＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｇａを１０〜９５質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材であって、組織が平均粒径３００μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金相からなり、ターゲット材中の各部位のＧａ含有量のターゲット材全体のＧａ含有量の平均値に対する変動量が±３％以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±２％以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が１００％以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±２０％以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が３００質量ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金材、スパッタリングターゲット、及びＣｕ−Ｇａ合金材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣｕ−Ｇａ合金材は、平均組成が３２重量％以上５３重量％以下のガリウム（Ｇａ）と、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物とからなるＣｕ−Ｇａ合金材であって、４７重量％未満の銅と不可避的空隙とを含む領域の体積のＣｕ−Ｇａ合金材全体の体積に占める割合が２％以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】微量のＤｙやＴｂを磁石の粒界に対して効率よく偏在配置することが可能となり、ＤｙやＴｂの使用量を減少させつつもＤｙやＴｂによる保磁力の向上を十分に図ることが可能な永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粉砕されたネオジム磁石の微粉末に対して、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、ＭはＤｙ又はＴｂである。Ｒは炭化水素からなる置換基であり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、ネオジム磁石の粒子表面に、均一に有機金属化合物を付着させる。その後、圧粉成形した成形体を水素雰囲気において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。その後、焼成を行うことによって永久磁石を製造する。 （もっと読む）

【課題】湿式粉砕を用いた場合であっても、焼結前に磁石粒子の含有する炭素量を予め低減させることができ、焼結後の磁石の主相と粒界相との間に空隙を生じさせることなく、また、磁石全体を緻密に焼結することが可能となった永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粗粉砕された磁石粉末を、有機溶媒中でビーズミルにより粉砕し、その後、圧粉成形した成形体を水素雰囲気において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。続いて、焼成を行うことによって永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性の材料からなる被覆層が表面に形成された永久磁石粉末が緻密化されてなる永久磁石において、渦電流損失を充分に抑制し、かつ、絶縁性の材料による磁石特性の低下を防止しうる手段を提供する。
【解決手段】 絶縁性の材料からなる被覆層が表面に形成された永久磁石粉末が緻密化されてなる永久磁石であって、前記絶縁性の材料からなる被覆層の厚さｔ（ｍ）と前記絶縁性の材料の体積抵抗率ρ_ｒ（Ωｍ）との積を、前記永久磁石粉末の体積抵抗率ρ_ｍ（Ωｍ）で除した値として定義される被覆抵抗Ｈ（＝ｔ×ρ_ｒ÷ρ_ｍ）と、前記永久磁石粉末の粒径ｄ（ｍｍ）とが、Ｈ≧２３０００×ｄ^−１を満たすことを特徴とする、永久磁石である。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとＰｔとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）