【課題】Ｍｇ、Ｓｎ、Ｓｉの金属からなる単相で優れた熱電特性を備えた一般化学式で示される
Ｍｇ_ＸＳｉ_１−ＹＳｎ_Ｙ
の熱電半導体を焼結して製造するにあたり、ｐ型の熱電特性を有した熱電半導体を簡単に製造する。
【解決手段】Ｍｇ_ＸＳｉ_１−ＹＳｎ_Ｙの金属間化合物の化学組成において、これを焼結したときの焼結体組成Ｘ、Ｙが、
１．９８≦Ｘ≦２．０１
０．７２≦Ｙ≦０．９５
の範囲のものがｐ型伝導の熱電特性を有することを見出し、該熱電特性を有する半導体を製造することができた。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】 表面に微細な凹凸をもつ精密金型を工業的に安価に、かつ大型の金型にも適用可能な金型の製造方法とその金型、およびそれによる部材提供する。
【解決手段】 金属ガラス合金粉末をホットプレス装置にて温度、圧力を制御して焼結し、その焼結体をさらにプレス加工することにより、深さ１０ｎｍ〜１ｍｍの微細な凹凸をもつ金属ガラス合金粉末焼結体からなる金型の製造方法、およびその方法により製造された金型、並びにそれによる部材。 （もっと読む）

【課題】 微細形状、微細表面性状を有する精密金属部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 所望の部品形状を得るために精密加工されたダイ内に金属ガラス合金粉末を挿入し、該金属ガラス合金粉末をガラス遷移温度以上、結晶化温度以下に保った状態でパンチで加圧して精密部品を得る工程において、該金属ガラス合金粉末の昇温中に、軟化開始温度以上、ガラス遷移温度以下でダイ内にて一旦温度を保持して仮焼結した後、結晶化温度以下に昇温して加圧焼結成形することを特徴とする精密部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多湿で結露し易い環境下においても過剰な水分を高能率で吸水して基材表面における結露水の発生を抑制するとともに機械的強度が大きく加工性が良好で軽量性や耐候性に優れたアルミニウム多孔体の製造法を提供する。
【解決手段】機械的手段により粉砕され表面に凹凸が形成された粒子径が３００μｍ以下のアルミニウム微粒子３を金型１に充填しアルミニウム微粒子の表面が軟化する５５０〜６００℃の温度範囲において３０〜６０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で押圧する。 （もっと読む）

【課題】混合・境界潤滑条件下で低摩擦・低摩耗を示す三相から構成されるFe₇Mo₆基合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Feを55〜60原子%、残りがMoから成り、Fe₇Mo₆金属間化合物相、Fe-7原子%Mo相、Mo相の3相から構成される合金でることを特徴とするFe₇Mo₆基合金及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を保持しつつ、銅配線部を無電解めっきすることが可能であるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット、及び十分な密度の焼結体とすることができる同スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルとパラジウムとからなる半導体素子配線部の銅拡散防止バリア膜形成用スパッタリングターゲットであって、パラジウムが15原子％以上、70原子％以下であり、残部がタンタル及び不可避不純物からなるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット。タンタルとパラジウムからなる焼結体の製造方法であって、タンタルとパラジウムとの金属間化合物を予め作製し、該金属間化合物を混合して焼結することを特徴とするタンタルパラジウムスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。また、上記固化成形温度を９００〜１０５０℃とすることを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハードディスク等に使用されるＲｕ薄膜を形成するために用いるＲｕターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 タップ密度が１０〜３０％、酸素含有量が０．５％以下であるＲｕ粉末を、カーボン型に充填し、不活性ガス雰囲気中で、ホットプレスにより固化成形するＲｕターゲット材の製造方法。上記ホットプレス後に１１００℃以上に加熱し、５０ＭＰａ以上で３秒以上加圧を行い、密度９８％以上とするＲｕターゲット材の製造方法およびＲｕターゲット材。 （もっと読む）

【課題】焼結用の原料粉末として用いた場合に、焼結体がすぐれた機械的性質と耐熱性を有するようになる組成傾斜型Ｍｏ−Ｎｂ合金粉末を提供する。
【解決手段】平均粒径が０．５〜１０μｍのＭｏとＮｂの固溶体からなるＭｏ−Ｎｂ合金粉末であって、Ｍｏの平均含有量は９０〜９９ａｔ％、Ｎｂの平均含有量は１〜１０ａｔ％であり、しかも、合金粉末表層部における固溶Ｎｂ含有量は、合金粉末中心部における固溶Ｎｂ含有量よりも大である組成傾斜型のＭｏ−Ｎｂ合金粉末。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットにであって、このスパッタリングターゲットの組織は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相と、Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相とからなり、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ三元系合金相は、前記Ｐｔ相および非磁性酸化物相からなる混合相により包囲されている組織を有する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、さらに必要に応じてＢ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ二元系合金相が均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣの１種又は２種以上からなるＴｉ化合物：３５〜５０％、Ａｌ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３：８〜１６％、ＷＣ：１〜６％、残部：ｃ−ＢＮ（いずれも質量％）からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成するｃ−ＢＮ相と連続相を形成するＴｉ化合物相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有するインサート本体の表面に、硬質被覆層として、（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎ層（原子比で、Ｘ＝０．４〜０．６５）からなる下部層と、上部層とを蒸着形成し、該上部層は、ＴｉＮ層と（Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ層（原子比で、Ｙ＝０．４〜０．６５）との交互積層構造として構成する。 （もっと読む）

【課題】結合相富化表面領域を伴う超硬合金及びテクスチャー加工されたα−Ａｌ₂Ｏ₃層を組合せたα−Ａｌ₂Ｏ₃が被覆された切削工具インサートが開示されている。
【解決手段】α−Ａｌ₂Ｏ₃層は２〜９μｍの範囲内の厚みを有し、２〜１２の長さ／幅比を有する柱状粒子で構成されている。これは、強い（１０４）成長テクスチャー及び（０１２）、（１１０）及び（１１３）回折ピークの低い強度を特徴とする。テクスチャー加工されたα−Ａｌ₂Ｏ₃は好ましくは、２〜１０μｍの厚みをもつＭＴＣＶＤＴｉ（Ｃ，Ｎ）層の上に被覆される。アルミナ層が最上層である場合、それを１μｍ未満のＲａ値まで湿式ブラストさせて工具に光沢のある黒色の外観を与えることが可能である。 （もっと読む）

【課題】所定の大きさを有し、結晶化度のばらつきを抑制したアモルファス金属成形体、これを用いた電動機用コア、並びにそれらの製造方法及びこれに用いる製造装置を提供すること。
【解決手段】アモルファス金属を含有する原料粉末を圧縮成形して成り、直径１０ｍｍの球状体に外接する大きさ以上の外形を備える外形部を有すると共に、結晶化度のばらつきが２０％以内であるアモルファス金属成形体である。アモルファス金属は、鉄等を含有し、且つΔＴｘ＝Ｔｘ−Ｔｇ（式中のＴｘは結晶化開始温度、Ｔｇはガラス転移温度を示す。）で表される過冷却液体領域の温度間隔ΔＴｘが２０Ｋ以上である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織におけるＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＦｅを主体とする合金相とが微細に分散しているＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＡｌとＭ成分、但し、Ｍ成分は４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｓｉ、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＡｌとＭ成分及びＡｌの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セラミックの分野に関し、特に、チップコントロールを備える高密度多結晶炭化タングステンインサートに関する。チップコントロール構造を有する、成形多結晶炭化タングステンセラミックカッティングインサートを作製すること。
【解決手段】高速機械加工のためのセラミックカッティングインサートであって、該インサートは、以下：（ａ）カッティングエッジ；（ｂ）チップコントロールグルーブ表面を有するすくい面；（ｃ）逃げ面、を備える、多結晶炭化タングステンから本質的になり、ここで、該カッティングエッジが、該逃げ面およびすくい面の接合部で形成される、セラミックカッティングインサート。 （もっと読む）