【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜又は金属パターンを簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び金属パターン形成方法を提供すること。また、簡便な工程で、多大なエネルギーを用いることなく製造された、平滑な基板との密着性に優れる金属膜、金属パターンを提供すること。
【解決手段】（ａ）基板上に、メッキ触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、重合性基、及び２価の硫黄原子を含む置換基を有するポリマーを直接化学結合させてポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｂ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｃ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法、これにより得られた金属膜、前記金属膜形成方法を応用した金属パターン形成方法、これにより得られた金属パターン。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】所定の配線を終えパッシベーションのパターンエッチングが終了した基板上のレジストマスクを剥離する前に、金属化合物の被膜を形成し、（ａ）該レジストマスク及び金属化合物被膜を剥離除去した後に配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元するか、（ｂ）配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元した後に該レジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去してから、金属化合物の被膜を還元し、得られた金属膜を無電解めっきの活性化触媒膜および中間膜とし、該中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜を基体上に容易に形成するための組成物と方法を提供すること。
【解決手段】アミン化合物と水素化アルミニウム化合物との錯体および大気圧下での沸点が３００℃より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体と反応しない媒体とを含有するコーティング用組成物、ならびに上記組成物を基体上に塗布し、熱処理または光照射してアルミニウム膜を生成し次いで前記媒体を除去するアルミニウム膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の無電解銅めっき方法において、めっき液に基板が浸漬された後に、スムーズにめっき反応を開始させることができる無電解銅めっき方法を提供する。
【解決手段】銅張積層板１２を水平方向Ａに搬送する水平搬送方式の無電解銅めっき方法である。めっき槽１４に収容されためっき液に銅張積層板１２を浸漬させる前に、無電解銅めっきの反応電位を銅張積層板１２に付与する。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

【課題】 十分な選択めっき性が得られるとともに、耐食性に優れる無電解ニッケル／金めっきを施すことが可能な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成された金属導体配線上に第１の無電解ニッケルめっき皮膜を、当該第１無電解ニッケルめっき皮膜全量を基準としたリン含有量が６〜８質量％となるように形成する第１の無電解ニッケルめっき工程と、上記第１のニッケルめっき皮膜上に、上記第１のニッケルめっき皮膜よりもリン含有量が高い第２の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する第２の無電解ニッケルめっき工程と、を有することを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層の形成の前に、非導電性基板表面のエッチング、特にポリアミドまたはABSプラスチック表面をエッチングするための方法及びエッチング溶液に関する。
【解決手段】本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含むハロゲン化物及び／または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。本発明の利点はいかなるクロム酸塩も使用することがない点にある。 （もっと読む）

【課題】生産性及び材料効率の高い湿式めっき法により、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂膜のイミド環を開環させてカルボキシル基を導入し、前記カルボキシル基に金属イオンを吸着させ、前記金属イオンを還元して金属皮膜を成膜するダイレクトメタライゼーションを用いた樹脂製品の製造方法であって、樹脂基材１１の上にポリイミド樹脂膜１２を形成し、ポリイミド樹脂膜１２の上に、前記カルボキシル基の導入、前記金属イオンの吸着、及び前記金属イオンの還元のいずれか一又は二以上において処理条件を不足側に制御して前記ダイレクトメタライゼーションを行うことにより、光輝性及び不連続構造の金属皮膜１３を成膜する。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシート上に電極パターンを薄く形成することができるとともに、生産性が高く、高品質の積層電子部品を得ることができる無電解めっき膜形成方法、及び、無電解めっきのための触媒パターン形成装置を提供する。
【解決手段】触媒溶液３２、４２を含浸させた転写材３１、４１をセラミックグリーンシート１に接触させて、同シート１上に、触媒溶液３２、４２による触媒パターン３２０、４２０を形成する。その後、触媒パターン３２０、４２０に無電解めっきを施す。転写装置３、４は、支持体３０、４０と、転写材３１、４１とを含み、支持体３０、４０は転写材３１、４１を支持し、転写材３１、４１は触媒溶液３２、４２に対する保液性を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度で微細なパターンを形成し、メッキ析出膜とベースパターンとの密着性に優れ、実用に耐えうる機械的強度を備えた回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に選択的に形成され、金属微粒子１４を含有した非導電性の樹脂層１２と、樹脂層１２上に、樹脂層１２から露出する金属微粒子１４と接触させて形成された導電金属層１３とを具備し、樹脂層１２と導電金属層１３との界面における樹脂層１２の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）を２０ｎｍ≦Ｒｚ≦５００ｎｍの範囲とする。 （もっと読む）

金属ナノワイヤーを合成する方法が提供される。有機金属層が、基板上に薄膜として堆積する。空気の存在下における有機金属薄膜の熱分解によって、金属ナノワイヤーが合成される。金属を変えることによって、異なる特性を有するナノワイヤーが製造可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１と金属膜５との間に単分子膜２が形成され、このとき、単分子膜２が基板１にシロキサン結合を介して強固に結合するとともに、金属との親和力の強いピロリル基と前記金属膜５とが結合することで、基板１と金属膜５間の密着性が従来に比べて優れたものとなる。本実施の形態では、従来のように、基板１の表面に凹凸加工がなされていないため、例えば配線パターンに加工された前記金属膜５は、所望の形状に、高精度に、微細加工されたものになっている。 （もっと読む）

【課題】 連続処理可能であり、より短時間で効率よく金属錯体等の改質材料を熱可塑性樹脂に浸透させることができる成形品の製造方法を提供する。
【解決手段】 改質材料を溶解した高圧流体を熱可塑性樹脂に浸透させることと、改質材料が浸透した熱可塑性樹脂をフィルム状に連続的に成形することとを含む熱可塑性樹脂製成形品の製造方法を提供することにより、連続処理可能であり、より短時間で効率よく金属錯体等の改質材料を熱可塑性樹脂に浸透させることができる。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い配線基板を簡単な製造プロセスで形成することにある。
【解決手段】 本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）基板１０の第１の領域２８および第２の領域２９に第１の界面活性剤を含む界面活性剤層１６を設ける工程と、（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、（ｃ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層３２を設ける工程と、（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層３６を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する密着性に優れた無電解銅めっき膜を形成する。
【解決手段】 下記（１）〜（４）の工程を行う。
（１）無機酸化膜を表面に有する基板１０の表面をシランカップリング剤で処理することにより、基板の表面にシランカップリング剤１２を結合させるカップリング処理工程。
（２）基板の表面に触媒金属を含有する溶液を接触させることにより、シランカップリング剤に触媒金属１４を捕捉させる第１触媒化工程。
（３）基板の表面に塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液または錫・パラジウムコロイド溶液を接触させることにより、基板の表面のシランカップリング剤が結合していない部分にパラジウム１６を析出させる第２触媒化工程。
（４）基板の表面に微量のニッケル化合物を含有する銅めっき液を用いて無電解銅めっきを行うことにより、無電解銅めっき膜１８を形成する無電解めっき工程。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 （もっと読む）

【課題】より微細で信頼性の高い微細パターンを容易に形成可能な選択的無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面を塩化スズ（II）で増感処理する工程と、増感処理された基板に紫外線４をパターン照射し、紫外線の露光部における基板の増感を抑制する工程と、紫外線の露光部に形成されるスズ吸着層２ａを除去する工程と、紫外線の非露光部に残留したスズ吸着層２を塩化パラジウム（II）で活性化処理する工程と、活性化処理された基板を還元処理する工程とを経た後に、還元処理された金属パラジウムの触媒核５を有するスズ吸着層２上に金属の無電解めっき膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐候性に優れかつ熱負荷における粒成長を抑制した導電性皮膜を得ることができる金属コロイド溶液を提供する。
【解決手段】 銀と、金、白金、パラジウム、鉄、スズ、チタン、ガリウム、ニッケル、亜鉛およびアルミニウムからなる群より選択される元素の少なくとも１種とを含むことを特徴とする金属コロイド溶液を用いる。 （もっと読む）