【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

本発明は、金属といった導電基板上及び／又はその中に析出するための金属イオンを調整し、金属間の接触から摩擦を実質的に無くすための組成及び方法を提供する。それは、水溶液の実施例で全ての金属基板に新たな金属面を形成するよう使用される。本工程は、導電基板上及び／又はその中に吸収又は吸収し得る金属及び非金属イオンの安定な水溶液を形成する。水溶液は、元素の周期律表の１族乃至８族による水溶性の金属又は非金属塩と混合した、アンモニウムアルカリ金属リン酸塩、及び／又はアンモニウムアルカリ金属硫酸塩から成る。水溶液により、導電基板上及び／又はその中への金属イオンのナノ析出が可能となる。析出した金属イオンによって形成された表面は、金属の不動態化を与え、炭化水素ベースの潤滑剤を使用せずに金属間の接触での摩擦を実質的に無くす。 （もっと読む）

【課題】無電解Ｎｉメッキで表面処理された電子部品をはんだを利用し、接合させる際にはんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を提供する。
【解決手段】電子部品に無電解ＮｉＸＰ（Ｘ＝Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも1種）メッキを施して金属層を形成する段階と、該無電解ＮｉＸＰ層上にはんだをリフローし接合する段階とから構成し、はんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を達成する。 （もっと読む）

【課題】広範な基材に適用でき、フォトマスクなどを用いることなく、基材との密着性の高い無機薄膜を高い精度で形成された積層部品と、前記無機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂などの基板１に、ポリアミド酸などのカチオン交換基を有する樹脂で構成された樹脂層２を形成し、金属イオンを含む水溶液に浸漬して樹脂層２と金属イオンとを接触させ、生成した金属塩を還元処理又は活性ガスで処理して樹脂層２に金属又は半導電性無機化合物（半導体化合物など）を析出させ、無機薄膜３を形成する。水溶液は、周期表４族乃至１４族に属する金属の水溶性金属化合物の水溶液であってもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、セラミックス微粒子を用いた湿式コーティング法によるセラミックス膜の製造において、平滑で良好な特性を有する膜を得ることのできるセラミックス膜の製造方法を提供する。
【解決手段】塗布液組成物を基体上に塗布し加熱焼成してセラミックス膜を形成する湿式コーティングと焼成による膜製の造方法であり、分散媒中にセラミックス粒子を分散させてなる塗布液組成物（Ａ）を基体上に塗布し、乾燥および／または焼成して得られた被膜基体上の最上層に有機酸金属誘導体を溶解させてなる塗布液組成物（Ｂ）を塗布し、焼成する工程によるセラミックス膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】素子不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成し、無電解メッキ工程によりコンタクトホールにシード層を形成し、シード層上のコンタクトホールに金属配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 （もっと読む）

金属ナノワイヤーを合成する方法が提供される。有機金属層が、基板上に薄膜として堆積する。空気の存在下における有機金属薄膜の熱分解によって、金属ナノワイヤーが合成される。金属を変えることによって、異なる特性を有するナノワイヤーが製造可能である。 （もっと読む）

【課題】置換めっき法を用いて、低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質層１３の孔１４内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法であって、基板上１に、めっき物よりも電気化学的に貴な下地膜１２を介して多孔質層を有する部材を用意する工程、置換めっき法により、該多孔質層の孔内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法。前記めっき物が、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種類以上を含むこと特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、金属の導電体、例えば、紙のような、基体上に電子部品としての銅の導電体のパターンを生産するための方法に関する。前記の方法は、印刷又は同様の機械を使用する大規模な大量生産のために紙上に金属の導電体を生産することに特に適切なものである。その方法において、無電解めっきは、少なくとも二つのステップで実行されるが、ここで溶液は、その金属の出発原料若しくは還元剤の一方で作られるか、又は、他方のものは、その基体におけるそれの継続的な適用が後に続いた、気体又は蒸気の形態で存在するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低温で金属酸化物膜を形成することができるソフト溶液プロセスの利点を活かしつつ、表面積の大きな金属酸化物膜を形成することができる、金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、金属元素および炭素元素を含む金属源と、無水溶媒とを含有する金属酸化物膜形成用溶液に、基材を接触させることにより、上記基材上に金属含有有機薄膜を形成する金属含有有機薄膜形成工程と、上記金属含有有機薄膜を焼成することにより、上記金属含有有機薄膜に含有される有機物を除去し、金属酸化物膜を形成する焼成工程と、を有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属酸化物膜の膜厚が薄い場合であっても電気絶縁性、耐食性、耐熱性、機械強度等の特性に優れた積層体を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、金属基材と、上記金属基材上に形成された金属酸化物膜とを有する積層体であって、上記金属酸化物膜を構成する金属酸化物結晶が柱状構造を有することを特徴とする積層体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、酸化性ガスを混合することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が酸化剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 有害物質である鉛等を実質的に含有させずに、良好なめっき皮膜が得られ、めっき被膜中への水不溶性材料の共析が優れると共に、めっき浴の連続使用を達成できる無電解ニッケル（合金）複合めっき浴を提供すること。
【解決手段】 水溶性ニッケル塩、還元剤、モリブデン及びアンチモン並びに水不溶性材料を含有する無電解ニッケル複合めっき浴およびこれに更に合金化金属塩を含有する無電解ニッケル合金複合めっき浴。 （もっと読む）

【課題】 接続端子部分の銅回路上にニッケルめっき皮膜／置換型無電解金めっき皮膜／還元型無電解金めっき皮膜を形成した配線基板を用いて半導体チップとを半田接合した場合、その接合強度は、半田ボールを基板に搭載するときのリフロー等の加熱工程を繰り返すごとに大きく低下する。本発明はこうした問題点のない配線基板の製造方法とこれに用いる無電解ニッケルめっき液の提供を課題とする。
【解決手段】 接続端子部にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜を設けて半田接合用の配線基板を製造する方法において、マンガンのカルボン酸塩を添加した無電解ニッケルめっき液、好ましくは液中のマンガン濃度が液中のニッケル濃度の１〜１０％である無電解ニッケル液を用いてニッケルめっき皮膜を設ける。 （もっと読む）

本発明は、順に、以下の工程：
ａ）１種以上の分子金属および／またはメタロイド前駆体を、有機溶剤を含む媒体と接触させることによってゾル−ゲル溶液を調製すること、
ｂ）ａ）で得られた溶液に、少なくとも１種のメルカプトオルガノシラン化合物を添加すること、
ｃ）ｂ）で得られた溶液を加水分解すること、および
ｄ）ｃ）で得られた溶液に、カルボン酸、β−ジケトン化合物およびヒドロオキサメート化合物から選択される１種以上の錯化剤を添加すること、
を含む安定なゾル−ゲル溶液を調製するための方法に関する。
金属基材のための、とりわけ鏡のような銀ベースの基材のための被覆材料を形成するための、この溶液の使用。
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