【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【解決手段】配線構造を有する半導体装置に形成された配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっき液であり、該無電解めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、下記式で表される化合物、および、特定構造を有する水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有する。


Ｒ¹〜Ｒ⁴は、水素原子、アルキル基、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、オキシアルキレン単位の連鎖からなるポリオキシアルキレン基であって繰返し数の和は２〜５０である。
【効果】銅配線上に高い選択率で均一に拡散防止能を有する保護膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明を用いることで、分散体は長時間分散状態を維持することができる。また、分散体を輸送する際にも粒子の凝集を防止することができ、分散体の分散状態を維持でするものである。
【解決手段】 本発明は、保護剤により被覆されている金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子を溶剤に分散してなるナノ粒子分散体を当該保護剤の融点以下、又は融点が１０℃以下であるときは１０℃以下で保存することを特徴とするナノ粒子分散体の保存方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 金属、セラミックス及び樹脂表面に原子、原子団及び分子レベルで付着して機能的な反応性を付与する。
【解決手段】
下記一般式（１）：
【化７】


で示されるアルコキシシリルトリアジンジチオール。 （もっと読む）

金属ナノワイヤーを合成する方法が提供される。有機金属層が、基板上に薄膜として堆積する。空気の存在下における有機金属薄膜の熱分解によって、金属ナノワイヤーが合成される。金属を変えることによって、異なる特性を有するナノワイヤーが製造可能である。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低温で金属酸化物膜を形成することができるソフト溶液プロセスの利点を活かしつつ、表面積の大きな金属酸化物膜を形成することができる、金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、金属元素および炭素元素を含む金属源と、無水溶媒とを含有する金属酸化物膜形成用溶液に、基材を接触させることにより、上記基材上に金属含有有機薄膜を形成する金属含有有機薄膜形成工程と、上記金属含有有機薄膜を焼成することにより、上記金属含有有機薄膜に含有される有機物を除去し、金属酸化物膜を形成する焼成工程と、を有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が酸化剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】吸引力ヒステリシスの発生を少ないアクチュエータの提供。
【解決手段】固定子側の摺動面に施したコーティング層内にグラファイト粒子を含ませることでアクチュエータに好適な摺動特性を実現できることを見いだした。すなわち、可動子とその可動子を往復動自在に支持する固定子とを有するアクチュエータにおいて、前記可動子の摺動面には無機化合物から形成されたコーティング層を有し、前記固定子の摺動面にはグラファイト粒子を含有するコーティング層を有することを特徴とする。特に、前記可動子の摺動面に形成された前記コーティング層は金属クロム、ＤＬＣ及びグラファイト粒子からなる群から選択された１以上の無機化合物を含有させることで、可動子側の摺動面の硬度を高くすることが可能になり、摺動面の接触面積を長期間小さく保つことが可能になる。 （もっと読む）

本発明は、順に、以下の工程：
ａ）１種以上の分子金属および／またはメタロイド前駆体を、有機溶剤を含む媒体と接触させることによってゾル−ゲル溶液を調製すること、
ｂ）ａ）で得られた溶液に、少なくとも１種のメルカプトオルガノシラン化合物を添加すること、
ｃ）ｂ）で得られた溶液を加水分解すること、および
ｄ）ｃ）で得られた溶液に、カルボン酸、β−ジケトン化合物およびヒドロオキサメート化合物から選択される１種以上の錯化剤を添加すること、
を含む安定なゾル−ゲル溶液を調製するための方法に関する。
金属基材のための、とりわけ鏡のような銀ベースの基材のための被覆材料を形成するための、この溶液の使用。
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【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】 ホーロー掛け前処理をせず、ＮｉやＣｏを含有する高価な釉薬を用いずともホーロー密着性が良好なホーロー用鋼板を提供する。
【解決手段】 質量％でＣ：０．０７０％以下、Ｓｉ：０．５０％以下、Ｍｎ：０．０１０〜０．９５％、Ｐ：０．２０％以下、Ｓ：０．０８０％以下、Ａｌ：０．２０％以下、Ｎ：０．０７０％以下、Ｏ：０．０７０％以下を含有し、さらにＣｕ：０．０５１〜８．０％、Ｎｉ：０．０５１〜８．０％、Ｃｏ：０．０５１〜８．０％、Ｍｏ：０．０５１〜８．０％の一種以上を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、さらに鋼板の製造工程における熱履歴を制御することにより、鋼板表面に形成したＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏの濃化部に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏの１種以上を含み付着量が０．００１〜５．０ｇ／ｍ²のメッキが施されたホーロー用メッキ鋼板。 （もっと読む）

洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

無電解コバルト又はニッケルめっき浴中のクエン酸塩錯化剤の濃度を、遊離フッ化物イオンの微量濃度を含有する無電解めっき浴のサンプルを、硝酸ランタン標準液で滴定することにより判定する。滴定の間、Ｌａ^＋イオンは最初に優先的にクエン酸塩錯化剤と、その後フッ化物イオンと反応し、遊離フッ化物イオン濃度を低減させる。滴定の終点は、遊離フッ化物イオンにおける実質的減少により示唆され、フッ化物イオン特異電極（ＩＳＥ）を介して検出される。本方法は、他の錯化剤の分析に用いることができる。
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